Ptotwww.bbb67.com
www.bbb67.com 时间:2021-03-18 阅读:()
BF999Nov-08-20021SiliconN-ChannelMOSFETTriodeForhigh-frequencystagesupto300MHzpreferablyinFMapplications123VPS05161ESD:Electrostaticdischargesensitivedevice,observehandlingprecaution!
TypeMarkingPinConfigurationPackageBF999LBs1=G2=D3=SSOT23MaximumRatingsParameterSymbolValueUnitDrain-sourcevoltageVDS20VDraincurrentID30mAGate-sourcepeakcurrentIGSM10mATotalpowerdissipation,TS76°CPtot200mWStoragetemperatureTstg-55.
.
.
150°CChanneltemperatureTch150ThermalResistanceChannel-solderingpoint1)Rthchs370K/W1ForcalculationofRthJApleaserefertoApplicationNoteThermalResistanceBF999Nov-08-20022ElectricalCharacteristicsatTA=25°C,unlessotherwisespecified.
ParameterSymbolValuesUnitmin.
typ.
max.
DCcharacteristicsDrain-sourcebreakdownvoltageID=10A,-VGS=4VV(BR)DS20--VGate-sourcebreakdownvoltageIGS=10mA,VDS=0V(BR)GSS6.
5-12Gate-sourceleakagecurrentVGS=5V,VDS=0IGSS--50nADraincurrentVDS=10V,VGS=0IDSS5-18mAGate-sourcepinch-offvoltageVDS=10V,ID=20A-VGS(p)--2.
5VACcharacteristicsForwardtranconductanceVDS=10V,ID=10mAgfs1416-mSGateinputcapacitanceVDS=10V,ID=10mA,f=1MHzCgss-2.
5-pFReversetranfercapacitanceVDS=10V,ID=10mA,f=1MHzCdg-25-fFOutputcapacitanceVDS=10V,ID=10mA,f=1MHzCdss-1-pFPowergainVDS=10V,ID=10mA,f=200MHzGp-25-dBNoisefigureVDS=10V,ID=10mA,f=200MHzF-1-BF999Nov-08-20023OutputcharacteristicsID=f(VDS)00EHT07308BF999ΙDDSV20VGS=5101520mA2551015VV0.
6V0.
4V0.
2V0V-0.
2V-0.
4VV-0.
60.
8TotalpowerdissipationPtot=f(TS)020406080100120°C150TS050100150200mW300PtotGatetransconductancegfs=f(VGS)-10EHT07309BF999gfsGSV012V351015mS20DraincurrentID=f(VGS)-10EHT07310BF999GSVΙD102030mA01V2BF999Nov-08-20024GateinputcapacitanceCgss=f(VGS)-20EHT07311BF999CgssGSV-101V12pF3OutputcapacitanceCdss=f(VDS)00.
0EHT07312BF999CdssDSV51015V0.
51.
01.
5pF2.
0ReversetransfercapacitanceCdg=f(VDS)00EHT07313BF999CdgDSV51015V50100150fF200Gateinputadmittancey11s(common-source)00EHT07314BF999b11sg11s50100200300400500600700=800f123mS424681012mS14MHzMHzMHzMHzMHzMHzMHzMHzMHzBF999Nov-08-20025Gateforwardtransferadmittancey21s(common-source)4-15EHT07315BF999b21sg21s=800f68101214mS16-10-5mS070060050040030020010050MHzMHzMHzMHzMHzMHzMHzMHzMHzOutputadmittancey22s(common-source)00EHT07316BF999b22sg0.
10.
20.
30.
4mS0.
545mS22s50100200300400500600700=800321fMHzMHzMHzMHzMHzMHzMHzMHzMHzTestcircuitforpowergainandnoisefiguref=200MHzEHM07024DrInput6060Output15pF1nF1nFBB515270k270kVDSVtunVtunVG1S270kBB5151nF15pF1nF
TypeMarkingPinConfigurationPackageBF999LBs1=G2=D3=SSOT23MaximumRatingsParameterSymbolValueUnitDrain-sourcevoltageVDS20VDraincurrentID30mAGate-sourcepeakcurrentIGSM10mATotalpowerdissipation,TS76°CPtot200mWStoragetemperatureTstg-55.
.
.
150°CChanneltemperatureTch150ThermalResistanceChannel-solderingpoint1)Rthchs370K/W1ForcalculationofRthJApleaserefertoApplicationNoteThermalResistanceBF999Nov-08-20022ElectricalCharacteristicsatTA=25°C,unlessotherwisespecified.
ParameterSymbolValuesUnitmin.
typ.
max.
DCcharacteristicsDrain-sourcebreakdownvoltageID=10A,-VGS=4VV(BR)DS20--VGate-sourcebreakdownvoltageIGS=10mA,VDS=0V(BR)GSS6.
5-12Gate-sourceleakagecurrentVGS=5V,VDS=0IGSS--50nADraincurrentVDS=10V,VGS=0IDSS5-18mAGate-sourcepinch-offvoltageVDS=10V,ID=20A-VGS(p)--2.
5VACcharacteristicsForwardtranconductanceVDS=10V,ID=10mAgfs1416-mSGateinputcapacitanceVDS=10V,ID=10mA,f=1MHzCgss-2.
5-pFReversetranfercapacitanceVDS=10V,ID=10mA,f=1MHzCdg-25-fFOutputcapacitanceVDS=10V,ID=10mA,f=1MHzCdss-1-pFPowergainVDS=10V,ID=10mA,f=200MHzGp-25-dBNoisefigureVDS=10V,ID=10mA,f=200MHzF-1-BF999Nov-08-20023OutputcharacteristicsID=f(VDS)00EHT07308BF999ΙDDSV20VGS=5101520mA2551015VV0.
6V0.
4V0.
2V0V-0.
2V-0.
4VV-0.
60.
8TotalpowerdissipationPtot=f(TS)020406080100120°C150TS050100150200mW300PtotGatetransconductancegfs=f(VGS)-10EHT07309BF999gfsGSV012V351015mS20DraincurrentID=f(VGS)-10EHT07310BF999GSVΙD102030mA01V2BF999Nov-08-20024GateinputcapacitanceCgss=f(VGS)-20EHT07311BF999CgssGSV-101V12pF3OutputcapacitanceCdss=f(VDS)00.
0EHT07312BF999CdssDSV51015V0.
51.
01.
5pF2.
0ReversetransfercapacitanceCdg=f(VDS)00EHT07313BF999CdgDSV51015V50100150fF200Gateinputadmittancey11s(common-source)00EHT07314BF999b11sg11s50100200300400500600700=800f123mS424681012mS14MHzMHzMHzMHzMHzMHzMHzMHzMHzBF999Nov-08-20025Gateforwardtransferadmittancey21s(common-source)4-15EHT07315BF999b21sg21s=800f68101214mS16-10-5mS070060050040030020010050MHzMHzMHzMHzMHzMHzMHzMHzMHzOutputadmittancey22s(common-source)00EHT07316BF999b22sg0.
10.
20.
30.
4mS0.
545mS22s50100200300400500600700=800321fMHzMHzMHzMHzMHzMHzMHzMHzMHzTestcircuitforpowergainandnoisefiguref=200MHzEHM07024DrInput6060Output15pF1nF1nFBB515270k270kVDSVtunVtunVG1S270kBB5151nF15pF1nF
- Ptotwww.bbb67.com相关文档
- packetswww.bbb67.com
- resolvedwww.bbb67.com
- sectionswww.bbb67.com
- hiihewww.bbb67.com
- Cesena3www.bbb67.com
- 1.www.bbb67.com
JUSTG提供俄罗斯和南非CN2 GIA主机年$49.99美元JUSTGgia南非cn2南非CN2justG
JUSTG，这个主机商第二个接触到，之前是有介绍到有提供俄罗斯CN2 GIA VPS主机活动的，商家成立时间不久看信息是2020年，公司隶属于一家叫AFRICA CLOUD LIMITED的公司，提供的产品为基于KVM架构VPS主机，数据中心在非洲（南非）、俄罗斯（莫斯科），国内访问双向CN2，线路质量不错。有很多服务商实际上都是国人背景的，有的用英文、繁体搭建的冒充老外，这个服务商不清楚是不是真...
青云互联19元/月，美国洛杉矶CN2GIA/香港安畅CN2云服务器低至;日本云主机
青云互联怎么样?青云互联美国洛杉矶cn2GIA云服务器低至19元/月起;香港安畅cn2云服务器低至19元/月起;日本cn2云主机低至35元/月起!青云互联是一家成立于2020年的主机服务商,致力于为用户提供高性价比稳定快速的主机托管服务。青云互联本站之前已经更新过很多相关文章介绍了，青云互联的机房有香港和洛杉矶，都有CN2 GIA线路、洛杉矶带高防，商家承诺试用7天，打死全额退款点击进入：青云互联...
VirMach：$7.2/年KVM-美元512MB/$7.2/年MB多个机房个机房可选_双线服务器租赁
Virmach对资源限制比较严格，建议查看TOS，自己做好限制，优点是稳定。 vCPU 内存 空间 流量 带宽 IPv4 价格 购买 1 512MB 15GB SSD 500GB 1Gbps 1 $7/VirMach:$7/年/512MB内存/15GB SSD空间/500GB流量/1Gbps端口/KVM/洛杉矶/西雅图/芝加哥/纽约等 发布于 5个月前 （01-05） VirMach，美国老牌、稳...
www.bbb67.com为你推荐
-
云爆发云出十里未及孤村什么意思陈嘉垣陈浩民狼吻陈嘉恒是什么时候的事www.vtigu.com如图所示的RT三角形ABC中,角B=90°(初三二次根式）30 如图所示的RT三角形ABC中,角B=90°,点p从点B开始沿BA边以1厘米每秒的速度向A移动；同时，点Q也从点B开始沿BC边以2厘米每秒的速度向点C移动。问：几秒后三角形PBQ的面积为35平方厘米？PQ的距离是多少avtt4.comwww.5c5c.com怎么进入baqizi.cc和空姐一起的日子电视剧在线观看 和空姐一起的日子全集在线观看机器蜘蛛《不思议迷宫》四个机器蜘蛛怎么得 获得攻略方法介绍19ise.com欲火难耐看什么电影 19部性感至极的佳片ename.com要怎么在Ename.cn上注册个人域名？猴山条约游猴山，观猴子凤阙寒宫古代後宫宫女的职位等级有哪些