电压最便宜的vps

__概述MAX8550/MAX8551集成了一个用于产生VDDQ的同步buckPWM控制器、一个用于产生VTT的具有供出及吸收能力的LDO线性稳压器以及一个用于产生VTTR的10mA基准输出缓冲器.
Buck控制器驱动两个外部N沟道MOSFET,可从2V至28V的输入产生最低0.
7V的输出,输出电流可高达15A.
LDO可吸收或供出高达1.
5A的连续电流及3A峰值电流.
LDO输出及10mA基准缓冲输出均能跟踪REFIN电压.
这些特性使得MAX8550/MAX8551非常适合于台式机、笔记本电脑及图形卡中的DDR内存应用.
MAX8550/MAX8551中的PWM控制器采用Maxim专有的Quick-PWMTM架构,具有高达600kHz的可编程开关频率.
这种控制方案易于处理宽范围的输入/输出电压比,并具有100ns的负载瞬变响应,同时还能保持高效率及相对恒定的开关频率.
MAX8550提供完全可编程的UVP/OVP及跳跃模式选项,非常适合于便携式设备应用.
跳跃模式在较轻负载下可提供高效率.
MAX8551的目标应用为台式机及图形卡,不具有跳脉冲功能.
VTT及VTTR输出能够以1%的精度跟踪VREFIN/2.
LDO调节器的高带宽可提供优异的瞬态响应,无需使用大容量电容,因此可减少尺寸及成本.
Buck控制器与LDO稳压器具有独立的电流限制.
通过监视低边MOSFET的漏-源压降,实现了Buck调节器的可调节、无损耗、折返式电流限制.
此外,器件还内置有过/欠压保护机制.
一旦过流故障排除,调节器即可重新进入软启动,这有利于减少短路时的功耗.
通过SHDNA、SHDNB及STBY输入,MAX8550/MAX8551允许灵活的排序及待机功率管理.
MAX8550及MAX8551均备有细小的5mmx5mm、28引脚薄型QFN封装.
应用DDRI及DDRII存储器电源台式计算机笔记本电脑及台式笔记本电脑图形卡游戏控制台RAID网络特性Buck控制器100ns负载阶跃响应的Quick-PWM高达95%的效率2V至28V输入电压范围1.
8V/2.
5V固定或0.
7V至5.
5V可调输出最高600kHz的可选开关频率折返式可编程电流限制1.
7ms数字软启动及独立的关断控制过/欠压保护选项Power-Good窗口比较器LDO单元完全集成的VTT及VTTR功能VTT具有±3A的供出/吸收能力VTT与VTTR输出跟踪VREFIN/2全陶瓷输出电容设计1.
0V至2.
8V输入电压范围Power-Good窗口比较器MAX8550/MAX8551专为台式机、笔记本和图形卡提供的集成式DDR电源方案MaximIntegratedProducts128272625242322891011121314151617181920217654321MAX8550MAX85515mmx5mmThinQFNTOPVIEWOVP/UVP(N.
C.
FORMAX8551)TONREFILIMPOK1POK2STBYSHDNBSHDNAAVDDSKIP(TP1FORMAX8551)GNDPGND1VDDDLBSTLXDHVINOUTFBREFINVTTIVTTPGND2VTTRVTTSSS引脚配置19-3173;Rev2;9/04本文是Maxim正式英文资料的译文,Maxim不对翻译中存在的差异或由此产生的错误负责.
请注意译文中可能存在文字组织或翻译错误,如需确认任何词语的准确性,请参考Maxim提供的英文版资料.
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com.
cn.
典型工作电路见本数据手册末尾.
Quick-PWM是MaximIntegratedProducts,Inc.
的商标.
PARTTEMPRANGEPIN-PACKAGEMAX8550ETI-40°Cto+85°C285mm*5mmTQFNMAX8550ETI+-40°Cto+85°C285mm*5mmTQFNMAX8551ETI-40°Cto+85°C285mm*5mmTQFN定购信息+表示无铅封装.
PARAMETERSYMBOLCONDITIONSMINTYPMAXUNITSMAINPWMCONTROLLERVIN228InputVoltageRangeVDD,AVDD4.
55.
5VOutputAdjustRangeVOUT0.
75.
5VFB=OUT0.
6930.
70.
707FB=GND2.
472.
52.
53OutputVoltageAccuracy(Note2)FB=VDD1.
781.
81.
82VSoft-StartRampTimetSSRisingedgeofSHDNAtofullcurrentlimit1.
7msTON=GND(600kHz)170194219TON=REF(450kHz)213243273TON=OPEN(300kHz)316352389On-TimetONVIN=15V,VOUT=1.
5V(Note3)TON=AVDD(200kHz)461516571nsMinimumOff-TimetOFF_MIN(Note3)200300450nsVINQuiescentSupplyCurrentIIN2540AVINShutdownSupplyCurrentSHDNA=SHDNB=GND15AAllon(PWM,VTT,andVTTRon)2.
55SHDNA=GND(onlyVTTandVTTRon)24STBY=AVDD(onlyVTTRandPWMon)12AVDDQuiescentSupplyCurrentIAVDDSHDNB=GND(onlyPWMon)0.
51mAAVDD+VDDShutdownSupplyCurrentSHDNA=SHDNB=GND210ARisingedgeofVIN4.
14.
254.
4VAVDDUndervoltage-LockoutThresholdHysteresis50mVVDDQuiescentSupplyCurrentIVDDSetVFB=0.
8V15AMAX8550/MAX8551专为台式机、笔记本和图形卡提供的集成式DDR电源方案2ABSOLUTEMAXIMUMRATINGSELECTRICALCHARACTERISTICS(VIN=+15V,VDD=AVDD=VSHDNA=VSHDNB=VBST=VILIM=5V,VOUT=VREFIN=VVTTI=2.
5V,UVP/OVP=STBY=FB=SKIP=GND,PGND1=PGND2=LX=GND,TON=OPEN,VVTTS=VVTT,TA=-40°Cto+85°C,unlessotherwisenoted.
TypicalvaluesareatTA=+25°C.
)(Note1)Stressesbeyondthoselistedunder"AbsoluteMaximumRatings"maycausepermanentdamagetothedevice.
Thesearestressratingsonly,andfunctionaloperationofthedeviceattheseoranyotherconditionsbeyondthoseindicatedintheoperationalsectionsofthespecificationsisnotimplied.
Exposuretoabsolutemaximumratingconditionsforextendedperiodsmayaffectdevicereliability.
VINtoGND0.
3Vto+30VVDD,AVDD,VTTItoGND.
0.
3Vto+6VSHDNA,SHDNB,REFINtoGND.
0.
3Vto+6VSS,POK1,POK2,SKIP,ILIM,FBtoGND0.
3Vto+6VSTBY,TON,REF,UVP/OVPtoGND0.
3Vto(AVDD+0.
3V)OUT,VTTRtoGND0.
3Vto(AVDD+0.
3V)DLtoPGND1.
0.
3Vto(VDD+0.
3V)DHtoLX.
0.
3Vto(VBST+0.
3V)LXtoBST.
6Vto+0.
3VLXtoGND2Vto+30VVTTtoGND.
0.
3Vto(VVTTI+0.
3V)VTTStoGND.
0.
3Vto(AVDD+0.
3V)PGND1,PGND2toGND0.
3Vto+0.
3VREFShortCircuittoGND.
ContinuousContinuousPowerDissipation(TA=+70°C)28-Pin5mmx5mmTQFN(derate35.
7mW/°Cabove+70°C)2.
86WOperatingTemperatureRange40°Cto+85°CJunctionTemperature.
150°CStorageTemperatureRange65°Cto+165°CLeadTemperature(soldering,10s)300°CMAX8550/MAX8551专为台式机、笔记本和图形卡提供的集成式DDR电源方案3PARAMETERSYMBOLCONDITIONSMINTYPMAXUNITSREFERENCEReferenceVoltageVREFAVDD=4.
5Vto5.
5V;IREF=01.
9822.
02VReferenceLoadRegulationIREF=0to50A0.
01VVREFrising1.
93VREFUndervoltageLockoutHysteresis300mVFAULTDETECTIONOVPTripThreshold(ReferredtoNominalVOUT)UVP/OVP=AVDD(Note4)112116120%UVPTripThreshold(ReferredtoNominalVOUT)657075%Lowerlevel,fallingedge,1%hysteresis879093POK1TripThreshold(ReferredtoNominalVOUT)Upperlevel,risingedge,1%hysteresis107110113%Lowerlevel,fallingedge,1%hysteresis87.
59092.
5POK2TripThreshold(ReferredtoNominalVVTTSandVVTTR)Upperlevel,risingedge,1%hysteresis107.
5110112.
5%UVPBlankingTimeFromrisingedgeofSHDNA102040msOVP,UVP,POK_PropagationDelayOVPnotapplicableinMAX855110sPOK_OutputLowVoltageISINK=4mA0.
3VPOK_LeakageCurrentVPOK_=5.
5V,VFB=0.
8V,VVTTS=1.
3V1AILIMAdjustmentRangeVILIM0.
252.
00VILIMInputLeakageCurrent0.
1ACurrent-LimitThreshold(Fixed)PGND1toLX455055mVCurrent-LimitThreshold(Adjustable)PGND1toLXVILIM=2V170200235mVCurrent-LimitThreshold(NegativeDirection)PGND1toLXSKIP=AVDD(Note4)-75-60-45mVCurrent-LimitThreshold(NegativeDirection)PGND1toLXSKIP=AVDD,VILIM=2V(Note4)-250mVZero-CrossingDetectionThresholdPGND1toLX3mVThermal-ShutdownThreshold+160°CThermal-ShutdownHysteresis15°CELECTRICALCHARACTERISTICS(continued)(VIN=+15V,VDD=AVDD=VSHDNA=VSHDNB=VBST=VILIM=5V,VOUT=VREFIN=VVTTI=2.
5V,UVP/OVP=STBY=FB=SKIP=GND,PGND1=PGND2=LX=GND,TON=OPEN,VVTTS=VVTT,TA=-40°Cto+85°C,unlessotherwisenoted.
TypicalvaluesareatTA=+25°C.
)(Note1)MAX8550/MAX8551专为台式机、笔记本和图形卡提供的集成式DDR电源方案4PARAMETERSYMBOLCONDITIONSMINTYPMAXUNITSMOSFETDRIVERSDHGate-DriverOn-ResistanceVBST-VLX=5V14DLGate-DriverOn-ResistanceinHighState14DLGate-DriverOn-ResistanceinLowState0.
53DHfallingtoDLrising30DeadTime(AdditionaltoAdaptiveDelay)DLfallingtoDHrising30nsINPUTSANDOUTPUTSRisingedge1.
201.
72.
20VLogicInputThreshold(SHDN_,STBY,SKIP(Note4))Hysteresis225mVLogicInputCurrent(SHDN_,STBY,SKIP(Note4))-1+1ALow(2.
5Voutput)0.
05Dual-ModeInputLogicLevels(FB)High(1.
8Voutput)2.
1VInputBiasCurrent(FB)-0.
1+0.
1AHighAVDD-0.
4Floating3.
153.
85REF1.
652.
35Four-LevelInputLogicLevels(TON,OVP/UVP(Note4))Low0.
5VLogicInputCurrent(TON,OVP/UVP(Note4))-3+3AFB=GND90175350FB=AVDD70135270OUTInputResistanceFBadjustablemode4008001600kOUTDischarge-ModeOn-Resistance(Note4)1025DLTurn-OnLevelDuringDischargeMode(MeasuredatOUT)(Note4)0.
3VELECTRICALCHARACTERISTICS(continued)(VIN=+15V,VDD=AVDD=VSHDNA=VSHDNB=VBST=VILIM=5V,VOUT=VREFIN=VVTTI=2.
5V,UVP/OVP=STBY=FB=SKIP=GND,PGND1=PGND2=LX=GND,TON=OPEN,VVTTS=VVTT,TA=-40°Cto+85°C,unlessotherwisenoted.
TypicalvaluesareatTA=+25°C.
)(Note1)DualModeisatrademarkofMaximIntegratedProducts,Inc.
MAX8550/MAX8551专为台式机、笔记本和图形卡提供的集成式DDR电源方案5Note1:Specificationsto-40°Careguaranteedbydesign,notproductiontested.
Note2:Whentheinductorisincontinuousconduction,theoutputvoltagehasaDCregulationlevelhigherthantheerror-compara-torthresholdby50%oftheripple.
Indiscontinuousconduction,theoutputvoltagehasaDCregulationlevelhigherthanthetriplevelbyapproximately1.
5%duetoslopecompensation.
Note3:On-timeandoff-timespecificationsaremeasuredfrom50%pointto50%pointattheDHpinwithLX=GND,VBST=5V,anda250pFcapacitorconnectedfromDHtoLX.
Actualin-circuittimesmaydifferduetoMOSFETswitchingspeeds.
Note4:NotapplicabletotheMAX8551.
PARAMETERSYMBOLCONDITIONSMINTYPMAXUNITSLINEARREGULATORS(VTTRANDVTT)VTTIInputVoltageRangeVVTTI12.
8VVTTISupplyCurrentIVTTIIVTT=IVTTR=0*-2PCVfRSNUBSNUBINSW=**2LfCPARRPAR=*()*122πPQVfRRRHSDRGGSSWGATEGATEDH=***+.
()IVRRGATEONDHGATE=+25专为台式机、笔记本和图形卡提供的集成式DDR电源方案22*在负向,可调电流限典型为ILIM上电压的-1/8.
折返式电流限制作为另外一种选择,如果没有UVP锁定功能,则可使用折返式限流功能.
折返式限流可减少外部器件的功耗,因此能够忍受无限期的过载和短路,过载或短路故障解除后还可自动恢复.
要实现折返式限流,可从VOUT到ILIM连接一个电阻(图7及典型应用电路中的R6),用于设置可调电流限的电阻分压网络仍然保留(R4与R5),如图7所示.
以下为R4、R5及R6的计算步骤:1)计算输出电压为额定值时,ILIM上所需的电压,VILIM(NOM):2)从15%至40%选取一个折返百分比,PFB;3)计算输出电压短路时(0V)的电压VILIM(0V):4)按下式计算R4:5)R5与R6的并联电阻(用R56表示)计算如下:6)然后,R6可按下式计算:7)R5为:自举电源二极管及电容的选择(Buck)低电流肖特基二极管,例如由CentralSemiconductor公司提供的CMDSH-3,可很好地适应大多数应用.
不要使用结电容较大的大功率二极管,因为它会将BST到LX的电压充高,乃至超过6V极限.
自举电容应在0.
1F至4.
7F之间选取,取决于输入及输出电压、外接元件与PC板布局.
自举电容应尽可能大,以免它被充至过高电压,同时还应足够小,以便在低边MOSFET的最小导通时间内充分充电,低边MOSFET的最小导通时间发生在最大工作占空比时(也就是输入电压最小时).
此外,还应确保自举电容不会因放电而使电压跌落到无法充分打开高边MOSFET的程度,以保证足够小的导通电阻.
这个最小栅-源电压(VGS(MIN))由下式决定:VVxQCGSMINDDGBOOST()=RRRRR5656656=*-RVRRVVVRVVROUTOUTILIMNOMILIMVILIMNOMILIMV665600=**()()*()*()()()()()45--4-RVAR56210=-4RVVAILIMV42100=()-VPVILIMVFBILIMNOM()()0=*VILIRRILIMNOMLOADMAXDSONQ()()()=***10122-MAX8550/MAX8551专为台式机、笔记本和图形卡提供的集成式DDR电源方案23图7.
折返式电流限制MAX8550/MAX8551REFILIMGNDCREFR4R6R5VOUTMAX8550/MAX8551其中VDD为5V,QG为高边MOSFET的总栅极电荷,CBOOST为自举电容值,CBOOST为典型应用电路中的C7(图8).
瞬态响应(Buck)电感纹波电流也影响器件的瞬态响应——尤其当VIN-VOUT差值较小时.
低值电感允许电感电流更快地摆动,补足输出滤波电容上因负载突增而被抽走的电荷.
专为台式机、笔记本和图形卡提供的集成式DDR电源方案24图8.
典型应用电路MAX8550REFILIMGNDPGND1DLVTTRVDDFBDHLXBSTVINAVDDVTTIVTTPOKVIN(4.
5VTO28V)2.
5V/12AVTT1.
25V/±1.
5A5VBIASSUPPLYPOK1VTTR1.
25V/10mAPGND2REFINVTTSOUTSTBYPOK2SSTONOVP/UVPQ1IRF7821N-CHANNEL30V,9mWL1TOKOFDA1254-1R0M1.
0H,21A,1.
6mD1CMOSH-3C11,C12(150mF,4V,25mW,LOW-ESRPOSCAPACITOR(D2E)SANYO4TPE150MQ2IRF7832N-CHANNEL30V,5mWC210FC460FC61FR3100kR4187kR641.
2kR520kR2100kC93.
9nFC100.
22FONOFFC11150FC12150FC131FC70.
22FC54.
7FR110C31FC10.
01FC14470F(OPTIONAL)SKIPSHDNASHDNBC82x10F输出跌落量也与最大占空比有关,根据导通时间和最小关断时间计算如下:其中tOFF(MIN)为最小关断时间(参见ElectricalCharacteristics),K从表1中选取.
当负载从满载到空载瞬变时,由电感的储能所引起的过冲可按下式计算:应用信息压差性能(Buck)连续传导工作模式下,输出电压的调节范围受限于不可调节的最小关断时间单稳态.
为获得最佳的压差性能,可使用较慢(200kHz)的开通时间设置.
工作于低输入电压时,极限占空比必须根据最坏情况下的导通和关断时间来计算.
制造容差及内部传导延时将给TONK因子引入误差,此误差在较高频率上更为明显(参见表1).
请注意,过于接近压差条件工作的buck调节器具有较差的瞬态响应,常常需要使用很大尺寸的输出电容(参见设计步骤中的VSAG计算公式).
当最小关断时间内电感电流的下降量(IDOWN)与开通时间内的上升量(IUP)持平时,即达到极限压差点.
比值h=IUP/IDOWN表示控制器拉高电感电流以响应增加负载的能力,它必须总是大于1.
当h接近于1时——即最小压差点,电感电流不能在每个开关周期内增加同样多的量,VSAG将极大地增加,除非使用更多的输出电容.
合理的最小h值为1.
5,但亦可上下调整,以便在VSAG、输出电容及最小工作电压之间取得更好的平衡.
对于给定的h值,最小工作电压可按下式计算:其中VDROP1与VDROP2为充、放电路径上的寄生压降(参见导通时间单稳态(TON)部分),tOFF(MIN)参见ElectricalCharacteristics,K从表1中选取.
计算绝对最小输入电压时取h=1.
如果计算出的VIN(MIN)大于所需的最小输入电压,则必须降低工作频率,或通过增加输出电容来获得一个可以接受的VSAG.
如果预计会在靠近压差的条件下工作,则要计算VSAG看是否具有足够的瞬态响应.
压差设计举例如下:VOUT=2.
5VfSW=600kHzK=1.
7stOFF(MIN)=450nsVDROP1=VDROP2=100mVh=1.
5电压定位(Buck)在具有快速负载瞬变的应用中,输出电压会瞬时变化RESRxCOUTxILOAD.
电压定位可使这些应用使用更少的输出电容,并使输出电压的交流和直流容差窗口最大化,这对容差很紧张的应用非常有利.
图9显示了在一个电压定位电路中OUT与FB的连接.
在非电压定位电路中,MAX8550/MAX8551调节的是输出电容上的电压.
在电压定位电路中,MAX8550/MAX8551在电压定位电阻的电感侧进行调整.
VOUT被降低至:VVRIOUTVPSOUTNOLOADPOSLOAD=*-VVVVnssVVVINMIN().
.
.
.
.
.
.
=+*+=250111545017010143--VVVhtKVVINMINOUTDROPOFFMINDROPDROP()()=**+1211--VILCVSOARLOADMAXOUTOUT=***()22VLIVKVtCVVVKVtSAGLOADMAXOUTINOFFMINOUTOUTINOUTINOFFMIN=**+*()*+()()()22-MAX8550/MAX8551专为台式机、笔记本和图形卡提供的集成式DDR电源方案25MAX8550/MAX8551PC板布局准则精心的PC板布局对于实现低开关损耗及干净、稳定的工作非常关键,尤其对开关功率级的布局需特别注意.
如果可能,应将所有功率器件安装在电路板的顶层,且使其接地端齐平.
良好的PC板布局应遵循以下准则:使高电流路径尽可能短,尤其是接地端.
这对于实现稳定及无抖动工作很关键.
承载大功率的走线和到负载的连线尽可能短,这对于获得高效率很重要.
使用厚敷铜的PC板(2oz对比1oz)可使满负载效率提高1%或更多.
正确的PC板布线是一项艰巨的任务,需达到了几分之一厘米的程度,m级的引线电阻就会造成明显的效率损失.
到低边MOSFET的LX及PGND1连接必须采用开尔文感应连接方式.
当必须走比较长的线时,应优先考虑在电感的充电路径上增加长度,而尽量不要增加放电路径的长度.
例如,最好将额外的距离放在输入电容与高边MOSFET之间,而不要增加电感与低边MOSFET或电感与输出滤波电容之间的距离.
使高速开关节点(BST、LX、DH及DL)远离敏感的模拟区(REF、FB及ILIM).
必须使输入陶瓷电容的位置尽可能靠近高边MOSFET的漏极和低边MOSFET的源极,输入电容端子与MOSFET之间的阻抗要尽可能小.
LDO部分的特殊布局考虑应使VTT上的电容尽可能靠近VTT及PGND2(引脚12及11),以减少走线的串联电阻/电感.
电容器连接PGND2的一侧必须用低阻抗路径短接至IC底部的裸露垫片上.
必须将裸露垫片以星形方式连接至GND(引脚24)、PGND1(引脚23)、PGND2(引脚11).
可用较窄的线将电容器VTT侧的输出电压接回VTTS(引脚9),但应使这条线远离可能的噪声源,例如PGND1或PGND2.
这能防止噪声被注入误差放大器的输入中.
为获得最佳性能,应使VTTI旁路电容尽可能靠近VTTI(引脚13).
应使用干净的走线单独连接REFIN(引脚14),并提供足够的旁路至GND.
进一步的PC板布局准则,请参见MAX8550评估板数据手册.
专为台式机、笔记本和图形卡提供的集成式DDR电源方案26图9.
电压定位输出MAX8550/MAX8551VINRPOSFBOUTPGND1DLDHBSTINLXGNDVOLTAGE-POSITIONEDOUTPUTVDDAVDD+5VBIASSUPPLYMAX8550/MAX8551专为台式机、笔记本和图形卡提供的集成式DDR电源方案27芯片信息TRANSISTORCOUNT:5100PROCESS:BiCMOSMAX8550/MAX8551REFILIMGNDPGND1DLVTTRVDDFBDHLXBSTVINAVDDVTTIVTTPOKVIN(4.
5VTO28V)1.
8V-2.
5V/12AVTT0.
9V-1.
25V/1.
5A5VBIASSUPPLYPOK1VTTR0.
9V-1.
25V/10mAPGND2REFINVTTSOUTSTBYPOK2SSTONOVP/UVPQ1Q2L1C2C4C6R3R4R6R5R2C9C10ONOFFC11C7C5R110C31FC10.
01FSKIPSHDNASHDNBC8典型工作电路MAX8550/MAX8551专为台式机、笔记本和图形卡提供的集成式DDR电源方案28封装信息(本数据资料提供的封装图可能不是最近的规格,如需最近的封装外型信息,请查询www.
maxim-ic.
com.
cn/packages.
)QFNTHIN.
EPSD2(ND-1)XeeDCPIN#1I.
D.
(NE-1)XeE/2E0.
08C0.
10CAA1A3DETAILA0.
15CB0.
15CAE2/2E20.
10MCABPIN#1I.
D.
b0.
35x45∞LD/2D2/2LCLCeeLCCLkkLLDETAILBLL1eXXXXXMARKINGF1221-0140PACKAGEOUTLINE,16,20,28,32LTHINQFN,5x5x0.
8mm-DRAWINGNOTTOSCALE-MAX8550/MAX8551专为台式机、笔记本和图形卡提供的集成式DDR电源方案Maxim不对Maxim产品以外的任何电路使用负责,也不提供其专利许可.
Maxim保留在任何时间、没有任何通报的前提下修改产品资料和规格的权利.