张文燕@上海上海微技术工业研究院(SITRI)2内容MEMS测试技术MEMS分析技术SITRI测试分析平台介绍量产阶段最大化吞吐量和降低成本.
由于一般MEMS产品的成品率比IC产品要低很多,晶圆级测试可以极大地降低MEMS量产产品的封装成本.
封装后进行成品测试,筛选不良产品,确保上市产品性能良好.
3MEMS测试产品R&D阶段验证器件可以工作和可以生产.
在这一阶段,采用晶圆级测试可以获得早期器件特征,降低开发时间和成本.
产品试量产阶段验证器件以较高成品率量产的能力,开发出可量产的设备方案以及用于量产的测试方案.
通过采用晶圆级测试可以降低开发时间和成本.
概念研发中试生产封装终测市场成品测试晶圆测试4MEMS测试与ASIC测试的异同MEMS测试:电学测试+非电学测试输入电性ASIC输出电性测试环境:温度电磁屏蔽输入电性/非电性MEMS测试环境:温度电磁屏蔽气体振动压力湿度光源输出电性/非电性晶圆测试和成品测试均涉及非电性的输入输出,且需要有特定的测试环境5劢态晶圆测试方法DriveorForce(Volts)(TimeUnits)SenseorMeasure(TimeUnits)f=1/tSlope=DampingRatio,ZetaandQ(DeviceInput)(DeviceOutput)什么是动态晶圆测试通过静电输入驱动,检测或测量MEMS元件,从而确定它的动态力学行为(如固有频率、阻尼系数、品质因素、正交误差、迟滞等)原理:静电力驱动ProofMass和轴极板间的电压差产生静电力,静电力推动Proofmass做运动,当信号到达产品的共振频率点时,机械产生最高振幅.
微信号通过放大电路及滤波电路采集后做分析.
此方法适用于电容式传感器劢态晶圆测试流程LeakageTestInputResponseRangeofMotionCapacitanceTestFlowExampleforGyroOutputLeakageCurrentsResonantFrequencyQ,DampingRatio;OutputSpringConstant;SnapVoltage,Hysteresis;More.
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OutputOutputTestOutputCVCurvesSolidusDocument#110072-E17MEMS晶圆测试难点及解决方案CP测量技术难点:微结构的信号十分微弱,信号经常被噪声淹没,极易受到干扰解决方案:1.
对于探针卡材质,选取低漏电,低寄身电容的材质2.
采取动静态分开测试,静态参数测试需检测所有端口,探针较多,但不易受干扰,可以使用独立探针卡;而动态测试易受探针间干扰,只需连接驱动,检测轴等几个端口,减少探针数量.
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