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2010MicrochipTechnologyInc.
DS22200B_CN第1页特性150mA输出电流20mA,VR=3.
3V时,低压差(LowDropOut,LDO)为260mV(典型值)50A静态电流(典型值)0.
01A关断电流(典型值)输入工作电压范围:2.
0V至28.
0V标准输出电压选项:(1.
8V,2.
5V,3.
0V,3.
3V,5.
0V,10.
0V,12.
0V)输出电压精度:±2%可根据需要提供1.
8V至18.
0V输出电压(以0.
1V增加)使用陶瓷输出电容时可稳定工作电流反馈式电流限流保护关断引脚高PSRR:1kHz时,为50dB(典型值)应用无绳电话,无线通信PDA、记事本和笔记本电脑数码相机单片机电源汽车音响和导航系统家用电器相关文献AN765,《使用Microchip的微功率LDO》,DS00765B_CN,MicrochipTechnologyInc.
,2002AN766,"Pin-CompatibleCMOSUpgradestoBiPolarLDOs",DS00766,MicrochipTechnol-ogyInc.
,2002AN792,"AMethodtoDetermineHowMuchPoweraSOT23CanDissipateinanApplication",DS00792,MicrochipTechnologyInc.
,2001概述MCP1804是采用CMOS工艺制造的低压差(LDO)稳压器,它可以提供高达150mA的电流,而其静态电流只有50A(典型值,1.
8V≤VOUT≤5.
0V).
其输入电压范围为2.
0V至28.
0V.
在输入输出电压差(VOUT=3.
3V)只有1300mV(典型值)的情况下,MCP1804能提供100mA的电流.
MCP1804的输出电压容差在+25°C时的最大值为±2%.
线性稳定度在+25°C时的典型值为±0.
15%.
只需要使用0.
1F的输入和输出电容,LDO的输入和输出就能稳定输入和输出.
陶瓷电容、钽电容或铝电解电容都可以用作输入和输出电容.
过流限制和电流反馈(40mA,典型值)提供了短路保护.
关断(SHDN)功能可以使能或禁止输出.
当禁止时,MCP1804仅吸收0.
01A的电流(典型值).
封装类型包含SOT-23-5(SOT-25),SOT-89-3,SOT-89-5和SOT-223-3.
封装类型SOT-23-512354VOUTVINNCSHDNGNDSOT-89-5(主视图)12354VOUTSHDNVINNCGND123VOUTVINGND(主视图)SOT-223123VOUTVINVSS(主视图)SOT-89-3具有关断功能的150mA、28VLDO稳压器MCP1804MCP1804DS22200B_CN第2页2010MicrochipTechnologyInc.
功能框图典型应用电路热保护+-VINVOUTGND误差放大器基准过流限制关断SHDN*仅适用于5引脚版本*控制电压VINCIN1FCOUT1F陶瓷电容VIN12V电池+VOUTSHDNGNDNC陶瓷电容VOUT30mA时,5.
0V12354SOT-25MCP18042010MicrochipTechnologyInc.
DS22200B_CN第3页MCP18041.
0电气特性绝对最大额定值输入电压.
30V输出电流(连续)PD/(VIN-VOUT)mA输出电流(峰值)300mA输出电压.
VSS-0.
3V)至(VIN+0.
3V)SHDN电压.
VSS-0.
3V)至+30V连续功耗:SOT-25.
250mWSOT-89.
500mWSOT-223.
300mW注:如果器件运行条件超过上述各项绝对最大额定值,可能对器件造成永久性损坏.
上述参数仅是允许条件的极大值,我们不建议使器件在超过或在技术规范以外的条件下运行.
器件长时间工作在绝对最大额定值条件下,其稳定性可能受到影响.
电气特性电气规范:除非另有说明,否则所有参数均适用于以下条件:VIN=VR+2.
0V,注1,COUT=1F(X7R),CIN=1F(X7R),VSHDN=VIN,TA=+25°C参数符号最小值典型值最大值单位条件输入/输出特性输入工作电压VIN2.
0—28.
0V注1输入静态电流IqIL=0mA—50105A1.
8V≤VOUT≤5.
0V—60115A5.
1V≤VOUT≤12.
0V—65125A12.
1V≤VOUT≤18.
0V关断电流ISHDN—0.
010.
10ASHDN=0V最大输出电流IOUT_mAVIN=VR+3.
0V100——mAVOUT10英寸)的应用中,建议使用输入电容.
在大多数应用中,输入电容的推荐范围为0.
1F至1.
0F.
在有输出阶跃负载要求的应用中,LDO的输入电容也非常重要.
输入电容为LDO提供一个良好的本地低阻抗源,并能帮助提升瞬态电流,从而能够对输出负载的阶跃变化做出快速响应.
为了获得很好的阶跃响应性能,输入电容的值应该与输出电容的值相等或更大.
在实际应用中,输入电容也应该尽可能地靠近LDO的输入.
输入电容越大,就越能有效抑制LDO输入和输出的高频噪声,减小在LDO的输入电压源和输入电容间的电感效应.
4.
6热关断当内部结温达到典型过热门限值+150°C时,MCP1804热关断电路对器件进行保护.
过热门限电流关断输出驱动晶体管.
当内部结温降低到过热门限以下(减去25°C时的过热门限迟滞),器件输出将回复到正常状态.
MCP1804DS22200B_CN第20页2010MicrochipTechnologyInc.
图4-1:功能框图热保护+-VINVOUTGND误差放大器电压基准限流电路关断控制SHDN仅适用于5引脚版本**2010MicrochipTechnologyInc.
DS22200B_CN第21页MCP18045.
0功能说明MCP1804CMOS线性稳压器适用于保持输出电压稳定而电流消耗很小的应用.
MCP1804连续工作的负载电流范围从0mA至150mA.
输入工作电压范围为2.
0V至28.
0V,因此可以工作于单节12V电池或单节至多节锂离子电池供电的应用中.
5.
1输入MCP1804的输入连接到P沟道PMOS旁路晶体管的源极.
像所有的LDO电路一样,要求输入源的阻抗相对较小(627@1RWHV'LPHQVLRQV'DQG(GRQRWLQFOXGHPROGIODVKRUSURWUXVLRQV0ROGIODVKRUSURWUXVLRQVVKDOOQRWH[FHHGPPSHUVLGH'LPHQVLRQLQJDQGWROHUDQFLQJSHU$60(627@1RWHV'LPHQVLRQV'DQG(GRQRWLQFOXGHPROGIODVKRUSURWUXVLRQV0ROGIODVKRUSURWUXVLRQVVKDOOQRWH[FHHGPPSHUVLGH'LPHQVLRQLQJDQGWROHUDQFLQJSHU$60(627@1RWHV'LPHQVLRQV'DQG(GRQRWLQFOXGHPROGIODVKRUSURWUXVLRQV0ROGIODVKRUSURWUXVLRQVVKDOOQRWH[FHHGPPSHUVLGH'LPHQVLRQLQJDQGWROHUDQFLQJSHU$60(627@1RWHV'LPHQVLRQV'DQG(GRQRWLQFOXGHPROGIODVKRUSURWUXVLRQV0ROGIODVKRUSURWUXVLRQVVKDOOQRWH[FHHGPPSHUVLGH'LPHQVLRQLQJDQGWROHUDQFLQJSHU$60(627@1RWH)RUWKHPRVWFXUUHQWSDFNDJHGUDZLQJVSOHDVHVHHWKH0LFURFKLS3DFNDJLQJ6SHFLILFDWLRQORFDWHGDWKWWSZZZPLFURFKLSFRPSDFNDJLQJ3引脚塑封小外形晶体管封装(DB)[SOT-223]注:最新封装图请至http://www.
microchip.
com/packaging查看Microchip封装规范.
2010MicrochipTechnologyInc.
DS22200B_CN第33页MCP1804附录A:版本历史版本B(2009年11月)进行了以下修改:1.
电气特性,SHDN"H"电压:改为SHDN"L"电压版本A(2009年9月)本文档的初始版本.
MCP1804DS22200B_CN第34页2010MicrochipTechnologyInc.
注:2010MicrochipTechnologyInc.
DS22200B_CN第35页MCP1804产品标识体系欲订货,或获取价格、交货等信息,请与我公司生产厂或各销售办事处联系.
器件编号X/XX-XX电压封装温度范围器件器件MCP1804T:LDO稳压器(卷带式)电压选项18=1.
8V25=2.
5V30=3.
0V33=3.
3V50=5.
0VA0=10VC0=12V输出电压偏差02=±2%温度范围I=-40°C至+85°C(工业级)封装DB=3引脚塑封小外形晶体管封装(SOT-223)MB=3引脚塑封小外形晶体管封装(SOT-89)MT=5引脚塑封小外形晶体管封装(SOT-89)OT=5引脚塑封小外形晶体管封装(SOT-23)示例:a)MCP1804T-1802I/OT:1.
8V,5-LDSOT-23b)MCP1804T-2502I/OT:2.
5V,5-LDSOT-23c)MCP1804T-3002I/OT:3.
0V,5-LDSOT-23d)MCP1804T-3302I/OT:3.
3V,5-LDSOT-23e)MCP1804T-5002I/OT:5.
0V,5-LDSOT-23f)MCP1804T-A002I/OT:10V,5-LDSOT-23g)MCP1804T-C002I/OT:12V,5-LDSOT-23a)MCP1804T-1802I/MB:1.
8V,5-LDSOT-89b)MCP1804T-2502I/MB:2.
5V,5-LDSOT-89c)MCP1804T-3002I/MB:3.
0V,5-LDSOT-89d)MCP1804T-3302I/MB:3.
3V,5-LDSOT-89e)MCP1804T-5002I/MB:5.
0V,5-LDSOT-89f)MCP1804T-A002I/MB:10V,5-LDSOT-89g)MCP1804T-C002I/MB:12V,5-LDSOT-89a)MCP1804T-1802I/MT:1.
8V,5-LDSOT-89b)MCP1804T-2502I/MT:2.
5V,5-LDSOT-89c)MCP1804T-3002I/MT:3.
0V,5-LDSOT-89d)MCP1804T-3302I/MT:3.
3V,5-LDSOT-89e)MCP1804T-5002I/MT:5.
0V,5-LDSOT-89f)MCP1804T-A002I/MT:10V,5-LDSOT-89g)MCP1804T-C002I/MT:12V,5-LDSOT-89a)MCP1804T-1802I/DB:1.
8V,3-LDSOT-223b)MCP1804T-2502I/DB:2.
5V,3-LDSOT-223c)MCP1804T-3002I/DB:3.
0V,3-LDSOT-223d)MCP1804T-3302I/DB:3.
3V,3-LDSOT-223e)MCP1804T-5002I/DB:5.
0V,3-LDSOT-223f)MCP1804T-A002I/DB:10V,3-LDSOT-223g)MCP1804T-C002I/DB:12V,3-LDSOT-223T卷带式XX输出电压偏差MCP1804DS22200B_CN-page362010MicrochipTechnologyInc.
注:2010MicrochipTechnologyInc.
DS22200B_CN第37页提供本文档的中文版本仅为了便于理解.
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ISBN:978-1-60932-104-8请注意以下有关Microchip器件代码保护功能的要点:Microchip的产品均达到Microchip数据手册中所述的技术指标.
Microchip确信:在正常使用的情况下,Microchip系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之一.
目前,仍存在着恶意、甚至是非法破坏代码保护功能的行为.
就我们所知,所有这些行为都不是以Microchip数据手册中规定的操作规范来使用Microchip产品的.
这样做的人极可能侵犯了知识产权.
Microchip愿与那些注重代码完整性的客户合作.
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代码保护并不意味着我们保证产品是"牢不可破"的.
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Microchip位于美国亚利桑那州Chandler和Tempe与位于俄勒冈州Gresham的全球总部、设计和晶圆生产厂及位于美国加利福尼亚州和印度的设计中心均通过了ISO/TS-16949:2002认证.
公司在PICMCU与dsPICDSC、KEELOQ跳码器件、串行EEPROM、单片机外设、非易失性存储器和模拟产品方面的质量体系流程均符合ISO/TS-16949:2002.
此外,Microchip在开发系统的设计和生产方面的质量体系也已通过了ISO9001:2000认证.
DS22200B_CN第38页2010MicrochipTechnologyInc.
美洲公司总部CorporateOffice2355WestChandlerBlvd.
Chandler,AZ85224-6199Tel:1-480-792-7200Fax:1-480-792-7277技术支持:http://support.
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