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VishaySiliconixSi4567DY_RCDocumentNumber:73575Revision14-Nov-05www.
vishay.
com1R-CThermalModelParametersDESCRIPTIONTheparametricvaluesintheR-Cthermalmodelhavebeenderivedusingcurve-fittingtechniques.
Thesetechniquesaredescribedin"ASimpleMethodofGeneratingThermalModelsforaPowerMOSFET"[1].
WhenimplementedinP-Spice,thesevalueshavematchingcharacteristiccurvestotheSinglePulseTransientThermalImpedancecurvesfortheMOSFET.
R-CvaluesfortheelectricalcircuitintheFoster/Tankconfigurationareincluded.
ThecorrespondingvaluesfortheCauer/Filterconfigurationareavailableuponrequest.
Note:ForadetailedexplanationofimplementingthesevaluesinP-SPICE,refertoApplicationNoteAN609ThermalSimulationsOfPowerMOSFETsonP-SPICEPlatform.
R-CTHERMALMODELFORTANKCONFIGURATIONThisdocumentisintendedasaSPICEmodelingguidelineanddoesnotconstituteacommercialproductdatasheet.
Designersshouldrefertotheappropriatedatasheetofthesamenumberforguaranteedspecificationlimits.
R-CVALUESFORTANKCONFIGURATIONThermalResistance(°C/W)JunctiontoAmbientNchAmbientPchFootNchFootPchRT14.
74825.
543822.
422214.
3514RT231.
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45623.
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9295RT324.
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106820.
7505ThermalCapacitance(Joules/°C)JunctiontoAmbientNchAmbientPchFootNchFootPchCT1311.
8705970.
937341.
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5050m69.
1436m292.
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4978CT38.
4858m7.
7368m860.
04144.
8972mCT41.
33201.
30623.
8677m4.
5394mwww.
vishay.
com2DocumentNumber:73575Revision14-Nov-05VishaySiliconixSi4567DY_RCR-CTHERMALMODELFORFILTERCONFIGURATIONNote:NAindicatesnotapplicableReference:[1]"ASimpleMethodofGeneratingThermalModelsforaPowerMOSFET"byWhartonMcDanielandKandarpPandya,IEEE/SEMITHERM2002R-CVALUESFORFILTERCONFIGURATIONThermalResistance(°C/W)JunctiontoAmbientNchAmbientPchFootNchFootPchRF15.
94799.
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4970RF228.
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09479.
7061RF456.
037649.
98428.
14564.
5158ThermalCapacitance(Joules/°C)JunctiontoAmbientAmbientFootFootCF1434.
80431.
1713m213.
5880343.
6486CF27.
2483m7.
8256m3.
2062m2.
7590mCF353.
9569m90.
0739m25.
5973m58.
3175mCF41.
32541.
3423121.
4973m30.
3715DocumentNumber:73575Revision14-Nov-05www.
vishay.
com3VishaySiliconixSi4567DY_RCwww.
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WhenimplementedinP-Spice,thesevalueshavematchingcharacteristiccurvestotheSinglePulseTransientThermalImpedancecurvesfortheMOSFET.
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Note:ForadetailedexplanationofimplementingthesevaluesinP-SPICE,refertoApplicationNoteAN609ThermalSimulationsOfPowerMOSFETsonP-SPICEPlatform.
R-CTHERMALMODELFORTANKCONFIGURATIONThisdocumentisintendedasaSPICEmodelingguidelineanddoesnotconstituteacommercialproductdatasheet.
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