充电www.se998.com

Rev1.
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5A单节锂电池开关模式充电管理ModifyRecord:版次新版本旧版本修改单位修改内容2018-10-251.
0NA研发新文件制成(因工程产品,故RD开头)2020-06-121.
11.
0研发部增加PCB图,BOM表,修改典型应用图Rev1.
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5A单节锂电池开关模式充电管理简介SE9019是一颗适用于单节锂电池的、具有恒压/恒流充电模式的充电管理IC.
该芯片采用开关型的工作模式,能够为单节锂电池提供快速、高效且简单的充电管理解决方案.
SE9019采用三段式充电管理,当电池电压低于2.
9V(Typ)时,采用涓流模式充电,充电电流为满充电流的2/10(Typ);当电池电压高于2.
9V(Typ)时,采用全电流充电,充电电流由外部的SENSE电阻设定;当电池接近浮充电压时,采用恒压充电,充电电流逐渐减小;当充电电流减小至2/10(Typ)电流时,充电完成;如果电池电压降低至再充电电压4.
05V(Typ)时,SE9019会再次重启充电;当去掉输入电源时,芯片自动进入休眠模式,电池的漏电电流降至2uA(Typ);SE90x9设计有电池温度检测和保护功能,可以通过外部的热敏电阻检测电池温度,当TEM2.
4V时,停止充电;TEMP<80mV时,可以关闭此功能;SE9019内置防倒灌功能,不需要额外的外部二极管;SE9019还设计有欠压保护、芯片过温保护等保护功能;该芯片采用SOP8-EP封装.
特性输入电压范围:4.
7V~5.
5V;恒压/恒流CC/CV模式充电;1MHz(Typ)固定开关频率;内置防倒灌功能,不需要外部二极管;充电电压4.
2V±1%;可编程充电电流;涓流充电;自动再充电;休眠模式;单灯显示充电状态;欠压保护;过温保护;锂电池温度检测保护功能;SOP8-EP封装;应用领域备用电源;便携式设备;锂电池充电器;手持设备引脚定义Rev1.
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5A单节锂电池开关模式充电管理订货信息PartNumberMarkingInformationPackageRemarksSE9019-HFSE9019YYWW-HF(SOP8-EP)PSOP8YYWWmeansProductionbatchHF:HalogenFree.
典型应用:典型应用电路防电池反接OptionSDG注释:1,C1≥10uF不可省略,尽量靠近Vin引脚.
C3尽量靠近Bat引脚.
2,Temp功能引脚不用,需要接地,不能浮空.
3,PCB-layout参考:https://lceda.
cn/joe123/SE9019danjie2ARev1.
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5A单节锂电池开关模式充电管理引脚功能定义引脚名称引脚编号引脚功能描述EN1使能端;BAT2电池电压反馈输入端(电池正极);SEN3充电电流设置引脚(100mV/R5);SW4开关输出端;GND5地(底部散热片接地);VIN6电源输入端;CHRG7充电指示端;充电时为下拉,截止为高阻态;TEMP8开关输出端;内部功能框图Rev1.
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5A单节锂电池开关模式充电管理绝对最大额定值符号参数最大值单位VIN输入电源电压-0.
3~6.
5VI/O引脚输入/输出引脚电压-0.
3~6.
5VIVIN/GND/SWVIN/GND/SW端输入输出电流3.
0ATJ结工作温度-40~150℃TST储存温度-55to+150℃焊接温度(《10秒)260℃推荐工作范围符号参数最大值单位VCC输入电源电压4.
7~5.
5VTJ结工作温度-20to125℃电参数(VIN=5V;Tj=25℃除非另行标注)符号参数条件最小典型最大单位VIN输入电压4.
75.
05.
5VIIN静态电流关断模式(EN脚拉低)-10-μA待机模式(充电中止)-170-休眠模式-0.
11IBATBAT电流待机模式(充电中止)-2uA休眠模式-2VFLOAT电池浮充电压IOUT=1.
3A4.
1584.
24.
242V4.
34VSNS(CHR)恒流采样电压3V≤VBAT≤4V92100105mVVSNS(TRKL)涓流采样电压VBAT=2.
7V-10-mVVTRKL涓流充电电压VBAT上升-2.
9-VVASD自动关断阈值VIN-VBAT-100-mVITEMPTEMP脚输出电流VTEMP=0.
85V-38-μAVTH-HOTTEMP脚高温保护阈值电压VTEMP下降-0.
35-VVTH-COLDTEMP脚低温保护阈值电压VTEMP上升-2.
4-VΔVRECHRG再充电阈值VFLOAT-VRECHRG,VBAT下降-200-mVRev1.
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5A单节锂电池开关模式充电管理FOSC开关频率-1.
0-MHzDC最大占空比--100%OTP热关断-130-°C原理描述SE9019是一款恒流/恒压锂电池充电控制器,采用了电流模式PWM降压开关型架构,其充电电流由外接于SEN和BAT引脚的检测电阻来设定,单节电池的浮充电压由内部设定为4.
20V(典型值).
当VIN输入电压比电池电压高100mV以上时,充电周期开始;在充电周期开始时,如果电池电压低于涓流充电阈值,充电IC进入涓流充电模式,涓流充电电流由芯片内部设定为1/10的满充电流.
当电池电压超过涓流充电阈值,充电器进入满充恒流充电模式;在恒流充电模式中,充电电流通过外部的检测电阻R5和一个内部100mV的参考电压来设定,IOUT=100mV/R5;当电池电压接近于浮充电压时,充电电流开始减小.
当充电电流降低到15%的满充电流时,充电周期终止,内部比较器会关断CHRG脚处的下拉NMOSFET,CHRG脚为高阻抗.
如果要重新启动充电周期,可以去掉输入电压并重新输入或将充电器关断片刻.
同样,如果电池的电压降低到再充电阈电压以下时,一个新的充电周期又开始.
电池充满后,如果输入电压未去除,则关断充电器;当输入电压去除时,充电器则进入休眠模式,这样极大地减小了电池电流消耗且增加了待机时间.
TEMP脚连接一个40KΩ负温度系数的电阻到地以检测电池温度是否符合条件.
当温度超出0~50°C范围以外,充电周期将被暂停.
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5A单节锂电池开关模式充电管理工作流程图充电条件和模式如果电池温度超出VTEMP1到VTEMP2范围时SE9019/SE9029将中止充电,当电池温度恢复到安全范围内芯片自动恢复充电.
SE9019/SE9029实时检测电池电压.
如果电池电压比最小涓流电压阈值低,SE9019/SE9029会在涓流模式下对电池进行充电,涓流电流为10%的满额充电电流,图2为一个典型的充电流程图.
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5A单节锂电池开关模式充电管理充电终止和再充电SE9019在恒压充电阶段实时检测充电电流,在充电电流下降到充电中止电流阈值时充电中止且显示充电结束信号.
当电池电压再下降到4.
05V(4.
2V产品)时芯片对电池进行再充电.
电池温度检测靠近电池组端接入一个负温度系数的热敏电阻可用来监视电池温度,除非检测的电池温度在可接受的范围内,否则充电器将不允许充电.
在SE9019/SE9029的TEMP脚连接一个40K的热敏电阻到地.
对于高温,高温保护电压阈值通过40μA上拉电流源设定为350mV.
对于低温,低温保护电压阈值通过40μA上拉电流源设定为2.
4V.
一旦电池温度进入设定的温度范围,充电周期开始或恢复.
TEMP电压小于80mV(或接地)可以关闭温度检测功能.
充电状态显示SE9019通过CHRG脚和STDBY脚的输出状态显示不同的充电过程.
表1总结了CHRG脚和STDBY的各个工作状态.
可以驱动一个或两个LED灯来显示不同的状态.
表1.
CHRG/STDBY工作模式充电状态CHRG脚状态STDBY脚状态涓流和恒流充电进程中低高阻充电完成高阻低温度检测错误或休眠模式高阻低Rev1.
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5A单节锂电池开关模式充电管理自动关断电压(VASD)当输入电压和电池电压VBAT的压差低于100mV时,IC将进入自动关断模式.
涓流充电在充电周期开始时,如果电池电压小于涓流充电阈值,芯片直接进入涓流充电模式,此充电电流至为10%的恒流满额电流.
关断当SE9019的EN脚被拉低到地,芯片将会关断.
在此关断模式下,CHRG脚和STDBY脚输出高阻态且静态电流低至10μA.
输入和输出电容输入电容CIN是用来吸收转换器所有的输入开关纹波电流,不可以省掉.
它必须具有足够的纹波电流等级.
最坏情况下的纹波电流有效值近似于输出充电电流的一半.
实际电容的值大小不是关键.
固体钽电容在相对小的SMT封装上具有很高的纹波电流等级.
但其作为输入旁路电容时必须谨慎.
当适配器电源热插入到充电器时会产生较高的输入浪涌电流,而固体钽电容在遭受非常高的开启浪涌电流时有令人熟悉的失效机制.
选择最高电压等级的电容可能会使此问题最小化.
可在使用之前请教制造商.
输出电容COUT的选择主要由使纹波电压和负载阶跃响应最小化的等效串联电阻(ESR)来确定的.
输出的纹波电压近似由下式限定:因为ΔIL随输入电压增大而增大,输入电压最大时输出纹波最高.
一般来说,只要ESR满足要求,电容将足以用来滤波和满足必须的RMS电流.
开关纹波电流依靠输出电容的ESR和电池的阻抗在电池和输出电容之间分流.
通常考虑EMI满足电池上最小纹波电流要求.
磁珠或电感在1MHz的开关频率下会增加电池的阻抗.
如果输出电容的ESR为0.
2Ω,在有磁珠或电感时,电池阻抗上升到4Ω时,只有5%的纹波电流会流进电池.
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5A单节锂电池开关模式充电管理PCBLayoutForSOP8-EP可以提供PCB-layout,完整BOM选择.
(需注意5脚模拟地和散热片的功率地尽量直接铺铜不要有缠绕交叉)Rev1.
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5A单节锂电池开关模式充电管理OutlineDrawingForPSOP8联系方式:北京思旺电子技术有限公司–中国总部地址:中国北京市海淀区信息路22号上地科技综合楼B座二层邮编:100085电话:010-82895700/1/5传真:010-82895706SeawardElectronicsCorporation–台湾办事处2F,#181,Sec.
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