阈值电压典型MOS管的阈值电压是多少

数字电路的逻辑电平标准与阈值电压有关吗

有，看你问的是输出还是输入 你TTL逻辑电路的话，输入一般是三极管，达到0.7的PN结压降就会导通，因此一般输入低电平认为是0.7V，大于0.7V都认为是高电平输出的话一般都是推挽结构的三极管，上下各有0.3V的三极管饱和压降，因此输出高电平一般是4.7，低电平一般是0.3V左右如果是OC输出的话，高电平没有压降，就是电源电压，比如5V，低电平有一个饱和压降，小于0.3V。

CMOS电路的话因为内部使用的是MOS管，输入电压阈值一般为1/2电源值电路工作比较稳定输出与TTL类似，不一样的是CMOS电路在低电流输出时，因为它的导通电阻一般都非常小，毫欧级，所以压降也非常小，通常输出高电平电压能达到VCC-0.1 低电平电压小于0.1V数字电路的逻辑电平标准与阈值电压有关吗

MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少?

阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。

阈值电压影响因素

影响cmos阈值电压的因素： 1、栅氧化层厚度TOX 2、衬底费米势 3、金属半导体功函数差 4、耗尽区电离杂质电荷面密度 耗尽区电离杂质电荷面密度近似地与衬底杂质浓度N的平方根成正比 5、栅氧化层中的电荷面密度Qox 阈值电压 （Threshold voltage）：通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。

在描述不同的器件时具有不同的参数。

如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。

　　如MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。

此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一。

　　一开始学习MOS管的工作原理，就引入了阈值电压的概念，但教科书所讲的阈值电压的概念都是建立在器件比较理想的模型基础上的，对于实际的器件，从线性区到饱和区的转换是有一个过渡区的，此时对阈值电压的定义需要遵循一定的标准。

经常发生的一个问题是，不同工艺线中相类似的器件作比较时，因为没有确定一个统一的标准，导致工艺的比较不是非常的科学准确。

本文就对阈值电压的定义方法作一些简单的讨论，尝试对业界现在流行的方法作出更详细的解释。

“肾糖阈”和“阈值电压”分别应该怎样读音

肾糖阈 读音：shèn táng yù? “肾糖阈”共有三个汉字，它们的拼音分别是： 肾，的拼音是：shèn? 糖，的拼音是：táng? 阈，的拼音是：yù? 阈值电压 读音：yù zhí diàn yā? “阈值电压”共有四个汉字，它们的拼音分别是： 阈，的拼音是：yù? 值，的拼音是：zhí? 电，的拼音是：diàn ? 压，的拼音是：yā

典型MOS管的阈值电压是多少

MOS的阈值电压是一个范围值的。

一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。

MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。

此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一 。

MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。

如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。

阈值电压通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。

如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。

扩展资料： MOS管其发热情况有以下三点： 1、电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。

这也是导致MOS管发热的一个原因。

如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。

没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。

这是设计电路的最忌讳的错误。

2、频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。

3、没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。

所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。

4、MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。

参考资料来源： 百度百科-阈值电压 百度百科-mos管