阈值电压在MOS管里面，为什么阈值电压正负跟是否是耗尽型还是增强型有至？

nmos和pmos晶体管的阈值电压分别是多少？估计值

nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。

MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。

由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。

在实际应用中往往规定漏电流达到某一值( 如50μA)时的栅源电压为阈值电压。

从使用角度讲，希望阈值电压Vm小一些好。

阈值电压是决定MOSFET能否导通的临界栅源电压，因此，它是MOSFET的非常重要参数。

扩展资料： 对于理想的增强型MOSFET（即系统中不含有任何电荷状态，在栅电压Vgs = 0时，半导体表面的能带为平带状态）。

阈值电压可给出为VT = ( SiO2层上的电压Vi ) + 2ψb = －[2εεo q Na ( 2ψb )] / Ci + 2ψb ,式中Vi ≈ (耗尽层电荷Qb) / Ci，Qb =－( 2εεo q Na [ 2ψb ] )，Ci是单位面积的SiO2电容，ψb是半导体的Fermi势（等于本征Fermi能级Ei与Ef之差）。

参考资料：百度百科-晶体管阈值电压

发光二极管为什么存在阈值电压？

发光二极管的工作电压有一个电压范围，阀值只是其最小工作电压。

随着发光二极管两端的电压增加，其工作电流会随着增加，当发光二极管的工作电流上升超过某一值时，其寿命随着缩短。

发光管工作电流视品种不同而不同，一般为5~30mA，一般在20mA附近的亮度和寿命都能兼顾，超过30mA发光明亮但使用寿命明显缩短。

LM139的阈值电压是多少？是根据加在它两端电压的变化而变化吗，谁有中文资料。

LM139是4比较器，输出电压是两输入端电压的比较结果，+输入>-输入时输出为高。

无所谓阈值电压，阈值电压自己设。

139是最高品质型号，239是139的工业型号，339是民用型号，用法相同，但性能有差异。

施密特触发器的正向输入阀值电压与反向输入阈值电压指的是什么?

正向阈值指输入端电压由低变高达到输出翻转时的值。

反向阈值指输入电压由高到低变化输出翻转时的输入电压值。

触发器(trigger)是SQL server 提供给程序员和数据分析员来保证数据完整性的一种方法，它是与表事件相关的特殊的存储过程，它的执行不是由程序调用，也不是手工启动，而是由事件来触发，比如当对一个表进行操作( insert，delete， update)时就会激活它执行。

触发器经常用于加强数据的完整性约束和业务规则等。

触发器可以从 DBA_TRIGGERS ，USER_TRIGGERS 数据字典中查到。

SQL3的触发器是一个能由系统自动执行对数据库修改的语句。

阈值电压是不是沟道形成时的电压

首先应该知道什么是阈值电压吧，一种定义是使mos管沟道中形成强反型层时栅上所加的电压。

以nmos为例，其阈值电压（Vth）=0.7V，而亚阈值区就是使mos管沟道中形成反型层但是还没有形成强的反型层，即当所加栅源间电压Vgs

在MOS管里面，为什么阈值电压正负跟是否是耗尽型还是增强型有至？

1、原理不同，最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道，而增强型只有在开启后，才出现导电沟道。

2、控制方法是不一样的。

耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通，而增强型必须使得UGS>UGS(th)才行，一般的 增强型NMOS，都是正电压控制的。