超大规模集成电路大规模和超大规模集成电路的区别？

大规模集成电路的大规模集成电路特点

超大规模集成电路是指集成度（每块芯片所包含的元器件数）大于10的集成电路。

集成电路一般是在一块厚0.2～0.5mm、面积约为0.5mm的P型硅片上通过平面工艺制做成的。

这种硅片（称为集成电路的基片）上可以做出包含为十个（或更多）二极管、电阻、电容和连接导线的电路 与分立元器件相比，集成电路元器件有以下特点： 1. 单个元器件的精度不高，受温度影响也较大，但在同一硅片上用相同工艺制造出来的元器件性能比较一致，对称性好，相邻元器件的温度差别小，因而同一类元器件温度特性也基本一致； 2. 集成电阻及电容的数值范围窄，数值较大的电阻、电容占用硅片面积大。

集成电阻一般在几十Ω～几十 kΩ范围内，电容一般为几十pF。

电感目前不能集成； 3. 元器件性能参数的绝对误差比较大，而同类元器件性能参数之比值比较精确； 4. 纵向NPN管β值较大，占用硅片面积小，容易制造。

而横向PNP管的β值很小，但其PN结的耐压高。

它的设计特点： 由于制造工艺及元器件的特点，模拟集成电路在电路设计思想上与分立元器件电路相比有很大的不同。

1. 在所用元器件方面，尽可能地多用晶体管，少用电阻、电容； 2. 在电路形式上大量选用差动放大电路与各种恒流源电路，级间耦合采用直接耦合方式； 3. 尽可能地利用参数补偿原理把对单个元器件的高精度要求转化为对两个器件有相同参数误差的要求；尽量选择特性只受电阻或其它参数比值影响的电路

超大规模集成电路技术是一种什么样的技术？集成电路是什么东东？

集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。

采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。

它在电路中用字母“IC”表示。

集成电路发明者为杰克·基尔比（基于硅的集成电路）和罗伯特·诺伊思（基于锗的集成电路）。

当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。

超大规模集成电路：VLSI (Very Large Scale Integration) 通常指含逻辑门数大于10000 门(或含元件数大于100000个)。

指几毫米见方的硅片上集成上万至百万晶体管、线宽在1微米以下的集成电路。

大规模和超大规模集成电路的区别？

大规模集成电路：LSI (Large Scale Integration ) 通常指含逻辑门数为100门～9999门(或含元件数1000个～99999个)。

在一个芯片上集合有1000个以上电子元件的集成电路． 超大规模集成电路：VLSI (Very Large Scale Integration) 通常指含逻辑门数大于10000 门(或含元件数大于100000个)。