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PSoC4:PSoC4000系列数据手册可编程片上系统(PSoC)赛普拉斯半导体公司198ChampionCourtSanJose,CA95134-1709408-943-2600文档编号:001-92129版本*C修订日期:February19,2020概述PSoC4是一个可扩展和可重配置的平台架构,是一个包含ArmCortex-M0CPU的可编程嵌入式系统控制器.
通过灵活自动布线资源,它将可编程及可重新配置的模拟模块与数字模块相结合.
PSoC4000产品系列是PSoC4平台架构的最小成员.
该产品系列是下列三者的组合:拥有标准通信和时序外设的微控制器、具有一流性能的电容式触摸感应系统(CapSense)以及通用模拟.
针对新应用和设计要求的方面来说,PSoC4000产品与PSoC4平台系列产品向上兼容.
特性32位MCU子系统16MHzArmCortex-M0CPU包含读取加速器的可达16KB的闪存SRAM容量可达2KB可编程模拟资源用于通用目的或电容式感应应用场合的两个电流DAC(IDAC)拥有内部参照的低功耗比较器低功耗操作:1.
71V至5.
5V通过中断和I2C地址检测唤醒的深度睡眠模式电容式感应赛普拉斯的CapSenseSigma-Delta(CSD)感应技术提供了一流的信噪比(SNR)和防水性能通过赛普拉斯提供的软件组件可以更容易地实现电容式感应设计传感器的电容范围为5pF到45pF时,可以自动调校硬件(SmartSense)串行通信在深度睡眠模式下,许多主设备I2C模块可以进行地址匹配,并且在匹配后唤醒设备.
定时和脉冲宽度调制器一个16位定时器/计数器/脉宽调制器(TCPWM)模块支持中心对齐模式、边缘对齐模式和伪随机模式基于比较器触发的停止(Kill)信号可用于电机驱动以及其它高可靠性的数字逻辑应用多达20个可编程的GPIO引脚封装类型:28-SSOP、24-QFN、16-SOIC、16-QFN、16球WLCSP和8-SOIC端口0、1和2上的GPIO引脚具有CapSense功能,也具有其他功能可对驱动模式、强度和转换速率进行编程PSoCCreator设计环境集成开发环境(IDE)提供了原理图设计输入和编译(包括模拟和数字自动布线)所有固定功能和可编程的外设都提供应用编程接口(API)工业标准工具的兼容性输入原理图后,可以使用基于Arm的标准软件开发工具进行开发PSoC4:PSoC4000系列数据手册文档编号:001-92129版本*C页2/35更多有关的信息赛普拉斯的网站www.
cypress.
com上提供了大量资料,有助于正确选择您设计的PSoC器件,并使您能够快速和有效地将器件集成到设计中.
有关使用资源的完整列表,请参考知识库文章KBA86521—如何使用PSoC3、PSoC4和PSoC5LP进行设计.
下面是PSoC4的简要列表:概况:PSoC产品系列、PSoC产品路线图产品选择器:PSoC1、PSoC3、PSoC4、PSoC5LP.
此外,PSoCCreator还包含一个器件选择工具.
应用笔记:赛普拉斯提供了大量PSoC应用笔记,包括从基本到高级的广泛主题.
下面列出了PSoC4入门的应用笔记:AN79953:PSoC4入门AN88619:PSoC4硬件设计的注意事项AN86439:使用PSoC4GPIO引脚AN57821:混合信号电路板布局AN81623:数字设计的最佳实践AN73854:Bootloader的简介AN89610:ArmCortex代码优化技术参考手册(TRM)包含在两个文件:架构技术参考手册详细介绍了每个PSoC4的功能模块.
寄存器技术参考手册描述了每个PSoC4寄存器.
开发套件:CY8CKIT-040(PSoC4000Pioneer套件)是一种易于使用且廉价低成本的开发平台.
该套件包括用于Arduino兼容子卡和DigilentPmod子卡的连接器.
MiniProg3编程工具可用于对PSoC器件的编程和调试(PSoC1器件仅限编程).
PSoCCreatorPSoCCreator是基于Windows的免费集成开发环境(IDE).
通过它能同时在基于PSoC3、PSoC4和PSoC5LP的系统中设计硬件和固件.
PSoCCreator通过基于原理图的经典方法设计系统架构,由上百个预验证且可用于生产的PSoCComponent给与支持.
更多信息请参考组件数据手册名单.
使用PSoCCreator,可以执行以下操作:1.
将组件图标施放到主要设计工作区中,以进行您的硬件系统设计2.
使用PSoCCreator集成开发环境编译器对您的应用固件和PSoC硬件进行协同设计3.
使用配置工具配置各组件4.
研究包含100多个组件的库5.
查看组件数据手册图1.
PSoCCreator中的示例项目124553PSoC4:PSoC4000系列数据手册文档编号:001-92129版本*C页3/35目录功能定义5CPU和存储器子系统5系统资源5模拟模块6固定数字功能模块6GPIO6特殊功能外设6引脚布局7电源电压12未稳压外部供电12稳压外部供电12开发支持13文档13在线支持13工具13电气规范14最大绝对额定值14器件级规范14模拟外设17数字外设19存储器20系统资源20订购信息23器件型号约定23封装25封装外形图26缩略语.
31文档规范33测量单位33修订记录34销售、解决方案和法律信息35PSoC4:PSoC4000系列数据手册文档编号:001-92129版本*C页4/35图2.
框图PSoC4000器件能够为硬件和固件的编程、测试、调试和跟踪提供广泛的支持.
Arm串行线调试(SWD)接口支持器件的所有编程和调试功能.
借助完善的片上调试(DoC)功能,可以使用标准的生产用器件在最终系统中进行全面的器件调试.
它不需要特殊的接口、调试转接板、模拟器或仿真器.
只需要标准的编程连接,即可全面支持调试.
PSoCCreatorIDE软件能够为PSoC4000器件提供全面集成的编程和调试支持.
SWD接口与行业标准的第三方工具完全兼容.
PSoC4000系列提供了一个不适用于多芯片应用解决方案和微控制器的安全级别.
它拥有下面优点:允许禁用调试特性增强闪存保护功能允许在片上可编程模块上执行客户专用功能默认情况下,调试电路处于使能状态,并且只能通过固件禁用.
如果未使能,唯一的使能方法是擦除整个器件,清除闪存保护,然后用使能调试的新固件对器件进行重新编程.
此外,对于担心因器件恶意重新编程而造成欺诈性攻击的应用或通过启动和中断闪存编程序列来击败安全性的尝试,可以永久禁用所有器件接口.
使能器件的最大安全级别时,将禁用所有编程、调试和测试接口.
因此,已使能器件安全性的PSoC4000将不能退回进行失效分析.
这是PSoC4000允许客户进行的权衡.
DeepSleepActive/SleepCPUSubsystemSRAM2KBSRAMControllerROM4KBROMControllerFlash16KBReadAcceleratorSPCIFSWD/TCNVIC,IRQMXCortexM016MHzMULSystemInterconnect(Single/MultiLayerAHB)I/OSubsystem20xGPIOsIOSSGPIO(4xports)PeripheralsPeripheralInterconnect(MMIO)PCLKPSoC400032-bitAHB-LiteDFTLogicTestDFTAnalogSystemResourcesLitePowerClockWDTILOResetClockControlIMOSleepControlPWRSYSREFPORWICResetControlXRES1xSCB-I2CCapSenseHighSpeedI/OMatrixPowerModes1xTCPWMPSoC4:PSoC4000系列数据手册文档编号:001-92129版本*C页5/35功能定义CPU和存储器子系统CPUPSoC4000中的Cortex-M0CPU是32位MCU子系统的部分,通过扩展的时钟门控来优化该子系统,从而降低功耗.
此外,几乎所有指令的长度都为16位,并且CPU执行Thumb-2指令子集.
这样能够将完全兼容的二进制代码导入更高性能的处理器,如CortexM3和M4.
它包括一个带有8个中断输入的嵌套向量中断控制器(NVIC)模块和一个唤醒中断控制器(WIC).
通过WIC可以将处理器从深度睡眠模式唤醒,这样,当芯片处于深度睡眠模式时,可以关闭主处理器的电源.
CPU子系统还包含一个可生成中断的24位定时器(被称为SYSTICK).
此外,它还包含一个JTAG的2线式调试接口,即串行线调试(SWD)接口.
PSoC4000的调试配置拥有四个断点(地址)比较器和两个观察点(数据)比较器.
闪存PSoC4000器件包含一个闪存模块,该模块的闪存加速器与CPU紧密耦合,以减少闪存模块的平均访问时间.
低功耗闪存模块可在工作频率为16MHz的情况下提供一个零等待状态(WS)的访问时间.
SRAM2KB的SRAM可在工作频率为16MHz的情况下进行零等待的访问.
SROM此外,还提供了包含引导和配置子程序的特权ROM.
系统资源电源系统第12页上的电源电压一节中详细说明了有关电源系统的信息.
它可确保电压电平满足每个相应模式的要求,为此需要进行以下操作:延迟进入模式(例如,上电复位(POR))直到电压电平满足要求以便能够正常工作,或者生成复位事件(例如,欠压检测).
PSoC4000可通过一个外部电源供电,其电压范围为1.
8V±5%(非稳压外部电压)或1.
8V至5.
5V(稳压内部电压).
它拥有三种不同的电源模式,这些模式间的转换由电源系统管理.
PSoC4000提供了活动模式以及低功耗的睡眠模式和深度睡眠模式.
所有子系统都在活动模式下运行.
CPU子系统(CPU、闪存和SRAM)在睡眠模式下关闭时钟信号的同时,所有外设和中断则均由唤醒事件的瞬间唤醒功能激活.
在深度睡眠模式下,高速时钟和相关电路都被关闭,从该模式唤醒会需要35S.
时钟系统PSoC4000的时钟系统为需要时钟的所有子系统提供时钟,并且通过该时钟系统可以在各种时钟源之间进行切换,而不造成短时脉冲.
此外,该时钟系统可确保不会出现亚稳态情况.
PSoC4000的时钟系统既包括内部主振荡器(IMO)和内部低速振荡器(ILO),又提供外部时钟.
图3.
PSoC4000MCU时钟架构通过对FCPU信号进行分频,可以生成用于模拟和数字外设的同步时钟.
PSoC4000提供具有16位分频功能的四个时钟分频器.
16位功能允许灵活生成精细(fine-grained)的频率值并且完全受PSoCCreator的支持.
IMO时钟源在PSoC4000中,IMO是主要的内部时钟源.
在测试过程中,该时钟源被调整,以达到特定的精度.
IMO的默认频率为24MHz并且能以步长为4MHz从24MHz递增到48MHz.
IMO和赛普拉斯提供的校准值之间的容差为±2%(24MHz和32MHz).
ILO时钟源ILO是一个频率为40kHz的极低功耗振荡器,主要用于生成在深度睡眠模式下运行的看门狗定时器(WDT)和外设的时钟.
利用IMO校准ILO驱动计数器可以提高准确度.
看门狗定时器来自ILO的时钟模块为看门狗定时器提供时钟;这样允许看门狗在深度睡眠模式下仍能工作.
另外,在发生已设置的超时前,如果还未服务该看门狗,则将生成看门狗复位.
看门狗复位在固件可读的一个复位原因寄存器内记录.
复位可以由各种源(包括软件复位)复位PSoC4000.
复位事件是异步的,用于确保将器件恢复到一个已知的状态.
复位原因被记录在寄存器内,该寄存器在复位过程中保持不变并允许软件确定复位原因.
XRES引脚被保留,为了在24引脚封装上进行外部复位.
16引脚和8引脚封装的芯片都提供内部上电复位(POR).
XRES引脚使用一个内部上拉电阻,保证该引脚的默认电平为高.
复位引脚为低电平有效.
参考电压PSoC4000参考系统生成所需要的所有内部参考电压.
1.
2V参考电压适用于比较器.
IDAC基于±5%参考电压.
IMOExternalClockFCPU(connectstoGPIOpinP0.
4)DivideBy2,4,8PSoC4:PSoC4000系列数据手册文档编号:001-92129版本*C页6/35模拟模块低功耗比较器PSoC4000具有一个使用内置参考电压的低功耗比较器.
16个引脚中的任何引脚都可以作为比较器的输入使用,并且该比较器的输出会通过芯片上的一个引脚引出来.
已选定的比较器输入与比较器的负输入相连,该比较器的正输入始终连接至1.
2V参考电压.
该比较器存在于CapSense模块中,在CapSense运行期间,它处于不可用状态.
电流DACPSoC4000拥有两个IDAC,可以驱动芯片上的16个引脚.
这些IDAC具有可编程的电流范围.
模拟复用器总线PSoC4000具有两个围绕芯片边缘的同心独立总线.
它们(称为AMUX总线)与固件可编程的模拟开关相连,通过这些开关,芯片的内部资源(IDAC、比较器)可以连接至端口0、1和2上的任何引脚.
固定数字功能模块定时器/计数器/PWM(TCPWM)模块TCPWM模块包含一个用户可编程周期长度的16位计数器.
另外,还有一个捕获寄存器,用于记录发生事件(I/O事件)时的计数值;一个周期寄存器,用于停止或自动重新加载计数器(如果它的计数值等于周期寄存器的值)和多个比较寄存器,用于生成可作为PWM占空比输出的比较值信号.
在正向输出和反向输出之间,该模块还提供了可编程的偏移,使这些输出可以作为可编程死区的互补PWM输出使用.
它还提供用于强制输出进入未确定状态的停止(Kill)输入;例如,当出现过流状态时,该输入可使用于控制驱动系统中,这时需要立即关闭驱动FET的PWM而不能等待进行软件干预.
串行通信模块(SCB)PSoC4000有一个能够实现多主设备I2C接口的串行通信模块.
I2C模式:硬件I2C模块可执行整个多主设备和从设备接口(它具有多主设备的校准功能).
该模块的工作速率可达400kbps(快速模块),另外它还提供各种灵活的缓冲选项,以降低CPU的中断开销和延迟.
该模块还具有一个EZI2C,通过它可以在PSoC4000存储器中创建邮箱的地址范围,并且对存储器中的阵列进行读写操作时可以大量降低I2C通信.
此外,该模块提供一个深度为8字节的FIFO,用于接收和传送目的.
该模块延长了CPU读取数据的时间,从而减少了时钟延展的发生(由于CPU没有及时读取数据,因此才导致时钟延展).
I2C外设与I2C标准模式和快速模式器件相兼容,如NXPI2C总线规范和用户手册(UM10204)中所定义.
在开漏模式下,可以使用GPIO引脚实现I2C总线I/O.
针对下列方面来说,PSoC4000不完全符合I2C规范:GPIO单元没有过压容差功能,因此不能与其它的I2C系统热插拔或者单独供电.
快速模式的最小下降时间不符合快速强驱动模式的规范;根据总线负载,使用慢速强驱动模式可以满足该规范.
GPIOPSoC4000具有多达20个GPIO.
GPIO模块实现下列各项:八种驱动模式:模拟输入模式(禁用了输入和输出缓冲区)仅输入模式弱上拉和强下拉模式强上拉和弱下拉模式开漏和强下拉模式开漏和强上拉模式强上拉和强下拉模式弱上拉和弱下拉模式输入阈值选择(CMOS或LVTTL).
除了强驱动模式外,需要单独控制输入和输出缓冲区的使能/禁用dV/dt相关噪声控制的可选斜率,用以降低EMI各个引脚被放置在逻辑实体(称为端口),每个端口的宽度为8位(端口2和3会更少).
上电和复位期间,各模块被强制为禁用状态,以禁止给任何输入供电和/或造成引脚启用时的过电流现象.
称为高速度I/O矩阵的复用网络用于复用连接至一个I/O引脚的多个信号.
数据输出寄存器和引脚状态寄存器分别用于驱动和保存管脚当前的状态.
如果I/O引脚被使能,它将生成一个中断,并且每个I/O端口都有一个中断请求(IRQ)和相关的中断服务子程序(ISR)向量(对于PSoC4000,向量数量为4).
28引脚和24引脚封装具有20个GPIO.
16-SOIC封装具有13个GPIO.
16-QFN和16球WLCSP封装具有12个GPIO.
8-SOIC封装具有5个GPIO.
特殊功能外设CapSensePSoC4000可通过一个CSD模块支持CapSense功能.
该模块通过一个模拟复用器总线和一个模拟开关与16个引脚相连(端口3上的各引脚不适用于CapSense功能).
因此,在软件控制情况下,系统中的任何有效引脚或引脚组都可以提供CapSense功能.
另外,为了方便用户使用,还为CapSense模块提供了PSoCCreator组件.
通过将屏蔽电压驱动到另一个模拟总线可以提供防水功能.
通过在同相位中驱动屏蔽电极和感应电极,可以提供防水功能,从而可以避免屏蔽电容衰减感应输入.
另外,可以实现接近感应.
CapSense模块具有两个IDAC.
如果CapSense不被使用(两个IDAC都可用)或CapSense没有防水功能(一个IDAC有效),那么可以将这两个IDAC用于通用目的.
文档编号:001-92129版本*C页7/35PSoC4:PSoC4000系列数据手册引脚布局所有端口引脚都支持GPIO.
端口0、1和2支持CSDCapSense和模拟复用器总线连接.
对于5种PSoC4000封装,TCPWM功能和备用功能将根据以下列表被复用到端口的引脚上.
表1.
引脚说明28-SSOP24-QFN16-QFN16-SOIC8-SOIC引脚名称引脚名称引脚名称引脚名称引脚名称TCPWM信号备用功能20VSS21P0.
0/TRIN01P0.
0/TRIN0TRIN0:触发输入022P0.
1/TRIN1/CMPO_02P0.
1/TRIN1/CMPO_01P0.
1/TRIN1/CMPO_03P0.
1/TRIN1/CMPO_0TRIN1:触发输入1CMPO_0:感应比较器输出23P0.
2/TRIN23P0.
2/TRIN22P0.
2/TRIN24P0.
2/TRIN2TRIN2:触发输入224P0.
3/TRIN34P0.
3/TRIN3TRIN3:触发输入325P0.
4/TRIN4/CMPO_0/EXT_CLK5P0.
4/TRIN4/CMPO_0/EXT_CLK3P0.
4/TRIN4/CMPO_0/EXT_CLK5P0.
4/TRIN4/CMPO_0/EXT_CLK2P0.
4/TRIN4/CMPO_0/EXT_CLKTRIN4:触发输入4CMPO_0:感应比较器输出、外部时钟、CMOD电容26VCC6VCC4VCC6VCC3VCC27VDD7VDD6VDD7VDD4VDD28VSS8VSS7VSS8VSS5VSS1P0.
59P0.
55VDDIO9P0.
52P0.
610P0.
68P0.
610P0.
63P0.
711P0.
74P1.
012P1.
05P1.
1/OUT013P1.
1/OUT09P1.
1/OUT011P1.
1/OUT06P1.
1/OUT0OUT0:PWM的输出06P1.
2/SCL14P1.
2/SCL10P1.
2/SCL12P1.
2/SCLI2C时钟7P1.
3/SDA15P1.
3/SDA11P1.
3/SDA13P1.
3/SDAI2C数据8P1.
4/UND016P1.
4/UND0UND0:下溢输出9P1.
5/OVF017P1.
5/OVF0OVF0:上溢输出注释:1.
在POR期间,该引脚不被接地(它应该是一个输出).
文档编号:001-92129版本*C页8/35PSoC4:PSoC4000系列数据手册引脚功能的说明如下:VDD:模拟和数据部分的电源.
VDDIO:有效时,该引脚提供单独电压域(有关详细内容,请参考电源电压一节).
VSS:接地引脚.
VCCD:稳压数字电源(1.
8V±5%).
端口0、1和2上的引脚均可作为CSD感应使用,屏蔽引脚可以与AMUXBUSA或B相连.
除了表1所列出的备用功能外,它们还可以作为由固件驱动的GPIO引脚.
除了上面所述的备用功能之外,端口3上的各引脚还可以作为GPIO使用.
各种封装包括:28-SSOP、24-QFN、16-QFN、16-SOIC和8-SOIC.
10P1.
6/OVF0/UND0/nOUT0/CMPO_018P1.
6/OVF0/UND0/nOUT0/CMPO_012P1.
6/OVF0/UND0/nOUT0/CMPO_014P1.
6/OVF0/UND0/nOUT0/CMPO_07P1.
6/OVF0/UND0/nOUT0/CMPO_0nOUT0:上述的OUT0、UND0和OVF0的补充信号CMPO_0:感应比较器的输出,具有内部复位功能[1]11VSS12无连接(NC)[2]13P1.
7/MATCH/EXT_CLK19P1.
7/MATCH/EXT_CLK13P1.
7/MATCH/EXT_CLK15P1.
7/MATCH/EXT_CLKMATCH:匹配输出外部时钟14P2.
020P2.
016P2.
015VSS16P3.
0/SDA/SWD_IO21P3.
0/SDA/SWD_IO14P3.
0/SDA/SWD_IO1P3.
0/SDA/SWD_IO8P3.
0/SDA/SWD_IOI2C数据、SWD的I/O17P3.
1/SCL/SWD_CLK22P3.
1/SCL/SWD_CLK15P3.
1/SCL/SWD_CLK2P3.
1/SCL/SWD_CLK1P3.
1/SCL/SWD_CLKI2C时钟、SWD时钟18P3.
223P3.
216P3.
2OUT0:PWM的输出019XRES24XRESXRES:外部复位表1.
引脚说明(续)28-SSOP24-QFN16-QFN16-SOIC8-SOIC引脚名称引脚名称引脚名称引脚名称引脚名称TCPWM信号备用功能注释:2.
不使用该引脚,必须将它保持为悬空状态.
PSoC4:PSoC4000系列数据手册文档编号:001-92129版本*C页9/35图4.
28-SSOP引脚布局图5.
24-QFN引脚布局图6.
16-QFN引脚布局28SSOP(TopView)10112827262523222120191817234567891121314161524VSSNCP0.
5P0.
6P0.
7P1.
0P1.
1P1.
2P1.
3P1.
4P1.
5P1.
6P1.
7P2.
0VSSVDDVCCP0.
4P0.
3P0.
2P0.
1P0.
0VSSXRESP3.
2P3.
1P3.
0VSSQFN24TopViewP0.
5XRES1317161862345124232221201978910VDDVSSP0.
6P0.
7P1.
0P3.
2P3.
1P3.
0P2.
0P1.
7VCCDP0.
0P0.
1P1.
4P1.
3P1.
2P1.
1P1.
6P1.
511121415P0.
2P0.
3P0.
4QFN16TopViewP3.
2234116151413P3.
1P3.
0P1.
7P0.
1P0.
2P0.
4VCCD111012P1.
2P1.
1P1.
6P1.
39VSS5678VDDIOVDDP0.
6PSoC4:PSoC4000系列数据手册文档编号:001-92129版本*C页10/35图7.
16-SOIC引脚布局图8.
8-SOIC引脚布局123456781011121314P3.
0151616-SOICTopViewP3.
1P0.
1P0.
2P0.
4VCCDVDDVSSP0.
5P0.
6P1.
1P1.
2P1.
3P1.
6P1.
7P2.
09123456P3.
178P0.
4VCCDVDDVSSP1.
1P1.
6P3.
08-SOICTopViewPSoC4:PSoC4000系列数据手册文档编号:001-92129版本*C页11/35注释:3.
在POR期间,该引脚不被接地(它应该是一个输出).
表2.
16球WLCSP封装的引脚描述和框图引脚名称TCPWM信号备用功能引脚图B4P3.
2OUT0:PWM的输出0–底视图顶视图C3P0.
2/TRIN2TRIN2:触发输入2–C4P0.
4/TRIN4/CMPO_0/EXT_CLKTRIN4:触发输入4CMPO_0:感应比较器输出、外部时钟、CMOD电容D4VCCD––D3VDD––D2VSS––C2VDDIO––D1P0.
6––C1P1.
1/OUT0OUT0:PWM的输出0–B1P1.
2/SCL–I2C时钟A1P1.
3/SDA–I2C数据A2P1.
6/OVF0/UND0/nOUT0/CMPO_0nOUT0:OUT0、UND0和OVF0的补充信号CMPO_0:感应比较器的输出,具有内部复位功能[3]B2P1.
7/MATCH/EXT_CLKMATCH:匹配输出外部时钟A3P2.
0––B3P3.
0/SDA/SWD_IO–I2C数据、SWD的I/OA4P3.
1/SCL/SWD_CLK–I2C时钟、SWD时钟4DCBA3214DCBA321PIN1DOTPSoC4:PSoC4000系列数据手册文档编号:001-92129版本*C页12/35电源电压下面的电源系统框图(图9和图10)显示了PSoC4000的电源引脚设置情况.
该系统具有一个处于活动模式的电压调节器,以用于数字电路.
没有模拟电压调节器,模拟电路直接由VDD输入供电.
深度睡眠模式有一个独立的电压调节器.
供电电压范围为1.
8V±5%(稳压外部电压)或1.
8V至5.
5V(非稳压外部电压;稳压内部电压),所有功能和电路都在该范围内运行.
16引脚QFN封装中有效的VDDIO引脚为P3.
0、P3.
1和P3.
2引脚提供独立电压域.
P3.
0和P3.
1可以用作为I2C引脚,因此芯片能与以不同电压运行的I2C系统通信(其中VDDIOVDD).
例如,VDD为3.
3V和VDDIO为1.
8V.
PSoC4000系列提供两种不同的电源操作模式:非稳压外部供电和稳压外部供电.
未稳压外部供电在该模式下,PSoC4000由一个外部电源供电,它的电压范围为1.
8V至5.
5V.
该范围还适用于电池供电的操作.
例如,该芯片由一个电池系统供电,它的电压从3.
5V下降到1.
8V.
在此模式下,PSoC4000的内部电压调节器为内部逻辑供电,并且它的VCCD输出必须通过一个外部电容(0.
1F;X5R陶瓷或性能更好的电容)旁路接地.
VDD必须通过旁路电容连接到地.
对于属于该频率范围内的系统,建议将一个1F以内的电容器与一个更小(如0.
1F)的电容器并行连接.
请注意,这只是简单的经验法则.
对于重要的应用,PCB布局、走线间的电感和旁路寄生电容需要通过仿真以获得最佳的旁路.
下面是旁路方案的一个示例(VDDIO在16-QFN封装中有效).
图9.
16-QFN的旁路方案示例—非稳压外部供电稳压外部供电在该模式下,PSoC4000由一个外部电源供电,它的电压范围为1.
71V至1.
89V;请注意,此范围必须包括了纹波.
在该模式中,VDD和VCCD引脚短接相连并被旁路.
需要通过固件禁用内部电压调节器.
请注意:在该模式下,即使发生了任何条件(包括闪存编程),VDD(VCCD)也不能超过1.
89V.
下面是旁路方案的一个示例(VDDIO在16-QFN封装中有效).
图10.
16-QFN的旁路方案示例—稳压外部供电PSoC4000VDDVDDIOVSS1.
71VVDD时,该值最大;VIL4.
5VSID69[7]IDIODE通过保护二极管到达VDD/VSS的导通电流––100ASID69A[7]ITOT_GPIO芯片的最大拉电流或灌电流总值––85mAPSoC4:PSoC4000系列数据手册文档编号:001-92129版本*C页16/35表7.
GPIO交流规范(由出厂校准保证)规范ID#参数说明最小值典型值最大值单位详情/条件SID70TRISEF快速强驱动模式下的上升时间2–12nsVDD=3.
3V,Cload=25pFSID71TFALLF快速强驱动模式下的下降时间2–12nsVDD=3.
3V,Cload=25pFSID72TRISES慢速强驱动模式下的上升时间10–60–VDD=3.
3V,Cload=25pFSID73TFALLS慢速强驱动模式下的下降时间10–60–VDD=3.
3V,Cload=25pFSID74FGPIOUT1GPIOFOUT;3.
3VVDD5.
5V.
快速强驱动模式.
––16MHz90/10%,Cload=25pF,占空比=60/40SID75FGPIOUT2GPIOFOUT;1.
71VVDD3.
3V.
快速强驱动模式.
––16MHz90/10%,Cload=25pF,占空比=60/40SID76FGPIOUT3GPIOFOUT;3.
3VVDD5.
5V.
慢速强驱动模式.
––7MHz90/10%,Cload=25pF,占空比=60/40SID245FGPIOUT4GPIOFOUT;1.
71VVDD3.
3V.
慢速强驱动模式.
––3.
5MHz90/10%,Cload=25pF,60/40占空比SID246FGPIOINGPIO输入工作频率;1.
71VVDD5.
5V––16MHz90/10%VIOPSoC4:PSoC4000系列数据手册文档编号:001-92129版本*C页17/35XRES模拟外设比较器注释:8.
由出厂校准保证.
表8.
XRES直流规格规范ID#参数说明最小值典型值最大值单位详情/条件SID77VIH输入高电平阈值0.
7*VDD––VCMOS输入SID78VIL输入低电平阈值––0.
3*VDDVCMOS输入SID79RPULLUP上拉电阻3.
55.
68.
5kΩSID80CIN输入电容–37pFSID81[8]VHYSXRES输入电压迟滞–0.
05*VDD–mVVDD>4.
5V时,典型迟滞为200mV表9.
XRES交流规范规范ID#参数说明最小值典型值最大值单位详情/条件SID83[8]TRESETWIDTH复位脉冲宽度5––sBID#194[8]TRESETWAKE从复位释放到唤醒的时间––3ms表10.
比较器直流规范规范ID#参数说明最小值典型值最大值单位详情/条件SID330[8]ICMP1模块电流—高带宽模式––110ASID331[8]ICMP2模块电流—低功耗模式––85ASID332[8]VOFFSET1偏移电压—高带宽模式–1030mVSID333[8]VOFFSET2偏移电压—低功耗模式–1030mVSID334[8]ZCMP比较器的直流输入阻抗35––MΩSID338[8]VINP_COMP比较器的输入范围0–3.
6V最大输入电压是3.
6V和VDD中的更小值SID339VREF_COMP比较器的内部参考电压1.
1881.
21.
212VPSoC4:PSoC4000系列数据手册文档编号:001-92129版本*C页18/35CSD表11.
比较器交流规范(由出厂校准保证)规范ID#参数说明最小值典型值最大值单位详情/条件SID336[8]TCOMP1响应时间-高带宽模式+50mV过比较值––90nsSID337[8]TCOMP2响应时间-低功耗模式+50mV过比较值––110ns表12.
CSD和IDAC的模块规范规范ID#参数说明最小值典型值最大值单位详情/条件CSD和IDAC的规范SYS.
PER#3VDD_RIPPLE电源的最大允许波纹,直流至10MHz––±50mVVDD>2V(包括波纹),TA=25°C,灵敏度=0.
1pFSYS.
PER#16VDD_RIPPLE_1.
8电源的最大允许波纹,直流至10MHz––±25mVVDD>1.
75V(包括波纹),TA=25°C,寄存器电容(CP)<20pF,敏感度≥0.
4pFSID.
CSD#15VREFHI缓冲区的输出参考电压1.
11.
21.
3VSID.
CSD#16IDAC1IDDIDAC1(8位)模块电流––1125ASID.
CSD#17IDAC2IDDIDAC2(7位)模块电流––1125ASID308VCSD工作电压范围1.
71–5.
5V1.
8V±5%或1.
8V到5.
5VSID308AVCOMPIDACIDAC的标准电压范围0.
8–VDD–0.
8VSID309IDAC1DNL8位分辨率的差分非线性(DNL)–1–1LSBSID310IDAC1INL8位分辨率的积分非线性(INL)–3–3LSBSID311IDAC2DNL7位分辨率的差分非线性(DNL)–1–1LSBSID312IDAC2INL7位分辨率的积分非线性(INL)–3–3LSBSID313SNR手指触摸产生的信号与噪声的比率.
由出厂校准保证5––比率电容值范围=9pF~35pF,灵敏度=0.
1pF.
SID314IDAC1CRT1高范围的IDAC1(8位)输出电流–612–ASID314AIDAC1CRT2低范围的IDAC1(8位)输出电流–306–ASID315IDAC2CRT1高范围的IDAC2(7位)输出电流–304.
8–ASID315AIDAC2CRT2低范围的IDAC2(7位)输出电流–152.
4–ASID320IDACOFFSET所有零输入––±1LSBSID321IDACGAIN全量程错误减去偏移––±10%SID322IDACMISMATCH各IDAC之间的不一致性––7LSBSID323IDACSET88位IDAC达到0.
5LSB所需的建立时间––10s全标度跃变.
无外部负载.
SID324IDACSET77位IDAC达到0.
5LSB所需的建立时间––10s全标度跃变.
无外部负载.
SID325CMOD外部调制器电容.
–2.
2–nF5V的额定电压,X7R或NP0电容.
PSoC4:PSoC4000系列数据手册文档编号:001-92129版本*C页19/35数字外设定时计数脉宽调制器(TCPWM)I2C注释:9.
根据选择的工作模式,触发事件可以为:Stop、Start、Reload、Count、Capture或Kill.
10.
由出厂校准保证.
表13.
TCPWM规范规范ID参数说明最小值典型值最大值单位详情/条件SID.
TCPWM.
1ITCPWM1频率为3MHz时的模块电流消耗––45μA所有模式(TCPWM)SID.
TCPWM.
2ITCPWM2频率为8MHz时的模块电流消耗––145μA所有模式(TCPWM)SID.
TCPWM.
2AITCPWM3频率为16MHz时的模块电流消耗––160μA所有模式(TCPWM)SID.
TCPWM.
3TCPWMFREQ工作频率––FcMHzFc最大值=CLK_SYS.
最大频率=16MHzSID.
TCPWM.
4TPWMENEXT输入触发脉冲宽度2/Fc––ns对于所有触发事件[9]SID.
TCPWM.
5TPWMEXT输出触发脉冲宽度2/Fc––ns上溢、下溢和CC(计数值等于比较值)输出的最小宽度SID.
TCPWM.
5ATCRES计数器的分辨率1/Fc––ns连续计数间的最短时间SID.
TCPWM.
5BPWMRESPWM分辨率1/Fc––nsPWM输出的最小脉宽SID.
TCPWM.
5CQRES正交输入分辨率1/Fc––ns正交相位输入的最小脉冲宽度.
表14.
固定I2C的直流规范[10]规范ID参数说明最小值典型值最大值单位详情/条件SID149II2C1频率为100KHz时的模块电流消耗––25ASID150II2C2频率为400KHz时的模块电流消耗––135ASID.
PWR#5ISBI2C在深度睡眠模式下使能I2C––2.
5A表15.
固定I2C交流规范[10]规范ID参数说明最小值典型值最大值单位详情/条件SID153FI2C1比特率––400KbpsPSoC4:PSoC4000系列数据手册文档编号:001-92129版本*C页20/35存储器系统资源上电复位(POR)表16.
闪存直流规范规格ID参数说明最小值典型值最大值单位详情/条件SID173VPE擦除和编程电压1.
71–5.
5V注释:11.
它可能需要最多20毫秒来写入到闪存.
在这段时间内请勿复位器件,否则会中断闪存操作并且不能保证该操作的完成.
复位源包括XRES引脚、软件复位、CPU锁存状态和特权冲突、不合适的电源电平以及看门狗.
需要确保这些复位源不会无意被触发.

12.
由出厂校准保证.
表17.
闪存交流规范规格ID参数说明最小值典型值最大值单位详情/条件SID174TROWWRITE[11]行(块)编写的时间(擦除和编程)––20ms行(块)=64个字节SID175TROWERASE[11]行擦除时间––13msSID176TROWPROGRAM[11]擦除后的行编程时间––7msSID178TBULKERASE[11]批量擦除时间(16KB)––15msSID180[12]TDEVPROG[11]器件总编程时间––7.
5秒SID181[12]FEND闪存耐久性100K––周期SID182[12]FRET闪存数据保持时间.
TA55°C,100K个编程/擦除周期20––年SID182A[12]闪存数据保持时间.
TA85°C,一万个编程/擦除周期10––年表18.
上电复位(PRES)规范ID参数说明最小值典型值最大值单位详情/条件SID.
CLK#6SR_POWER_UP电源上升速率1–67V/ms在加电时SID185[12]VRISEIPOR上升触发电压0.
80–1.
5VSID186[12]VFALLIPOR下降触发电压0.
70–1.
4V表19.
VCCD的欠压检测(BOD)规范ID参数说明最小值典型值最大值单位详情/条件SID190[12]VFALLPPOR活动模式和睡眠模式下的BOD触发电压1.
48–1.
62VSID192[12]VFALLDPSLP睡眠模式下的BOD触发电压1.
11–1.
5VPSoC4:PSoC4000系列数据手册文档编号:001-92129版本*C页21/35SWD接口内部主振荡器内部低速振荡器注释:13.
由出厂校准保证.
表20.
SWD接口规范规格ID参数说明最小值典型值最大值单位详情/条件SID213F_SWDCLK13.
3VVDD5.
5V––14MHzSWDCLKCPU时钟频率的1/3SID214F_SWDCLK21.
71VVDD3.
3V––7MHzSWDCLKCPU时钟频率的1/3SID215[13]T_SWDI_SETUPT=1/fSWDCLK0.
25*T––nsSID216[13]T_SWDI_HOLDT=1/fSWDCLK0.
25*T––nsSID217[13]T_SWDO_VALIDT=1/fSWDCLK––0.
5*TnsSID217A[13]T_SWDO_HOLDT=1/fSWDCLK1––ns表21.
IMO直流规格(由设计决定)规格ID参数说明最小值典型值最大值单位详情/条件SID218IIMO1频率为48MHz时的IMO工作电流––250ASID219IIMO2频率为24MHz时的IMO工作电流––180A表22.
IMO交流规范规格ID参数说明最小值典型值最大值单位详情/条件SID223FIMOTOL1频率为24或32MHz(出厂调整后)––±2%2VVDD5.
5V和–25°CTA85°CSID223AFIMOTOLVCCD频率为24或32MHz(出厂调整后)––±4%在所有其他条件下SID226TSTARTIMOIMO启动时间––7sSID228TJITRMSIMO2频率为24MHz时的RMS抖动–145–ps表23.
ILO直流规范(由设计决定)规格ID参数说明最小值典型值最大值单位详情/条件SID231[13]IILO1ILO工作电流–0.
31.
05ASID233[13]IILOLEAKILO漏电流–215nA表24.
ILO交流规范规格ID参数说明最小值典型值最大值单位详情/条件SID234[13]TSTARTILO1ILO启动时间––2msSID236[13]TILODUTYILO占空比405060%SID237FILOTRIM1ILO频率范围204080kHzPSoC4:PSoC4000系列数据手册文档编号:001-92129版本*C页22/35注释:14.
由出厂校准保证.
表25.
外部时钟规范规范ID参数说明最小值典型值最大值单位详情/条件SID305[14]ExtClkFreq外部时钟输入频率0–16MHzSID306[14]ExtClkDuty占空比;在VDD/2电压下测量45–55%表26.
模块规范规范ID参数说明最小值典型值最大值单位详情/条件SID262[14]TCLKSWITCH系统时钟源的切换时间3–4周期PSoC4:PSoC4000系列数据手册文档编号:001-92129版本*C页23/35订购信息下表显示的是PSoC4000系列的器件型号和各种特性.
盘带封装中提供了所有封装类型.
器件型号约定PSoC4器件遵循下表所述的器件型号约定.
除非另有声明,否则所有字段都是单字符字母数字(0、1、2、…、9、A、B、…、Z).
器件型号的格式为CY8C4ABCDEF-XYZ,其中各域的定义如下所示.
类别MPN特性封装CPU的最大速度闪存(KB)SRAM(KB)CapSense7-bitIDAC8-bitIDAC比较器TCPWMBlocksI2C16-WLCSP(1.
45x1.
56mm)16-WLCSP(1.
47x1.
58mm)8-SOIC16-SOIC16-QFN24-QFN28-SSOPCY8C4013CY8C4013SXI-4001682––––11CY8C4013SXI-4101682–11111CY8C4013SXI-4111682–11111CY8C4013LQI-4111682–11111CY8C4014CY8C4014SXI-4201616211111CY8C4014SXI-41116162–11111CY8C4014SXI-4211616211111CY8C4014LQI-4211616211111CY8C4014LQI-41216162–11111CY8C4014LQI-4221616211111CY8C4014PVI-41216162–11111CY8C4014PVI-4221616211111CY8C4014FNI-4211616211111CY8C4014FNI-421A1616211111其它CY8C4014LQI-SLT11616211111CY8C4014LQI-SLT21616211111架构赛普拉斯前缀架构中的系列组速度等级闪存容量封装代码温度范围外设设置4:PSoC41:16MHz4:16KBSX:SOICI:工业级实例CY8C4AEDCBFxx-x0:4000系列LQ:QFNPV:SSOPFN:WLCSPPSoC4:PSoC4000系列数据手册文档编号:001-92129版本*C页24/35下表列出了各域值:字段说明值含义CY8C赛普拉斯前缀4架构4PSoC4A系列04000系列BCPU的速度116MHz448MHzC闪存容量38KB416KB532KB664KB7128KBDE封装代码SXSOICLQQFNPVSSOPFNWLCSPF温度范围I行业级XYZ属性代码000-999设置在特殊系列中的特性代码PSoC4:PSoC4000系列数据手册文档编号:001-92129版本*C页25/35封装表27.
封装列表规范ID#封装说明BID#47A28-SSOP28引脚SSOP(5*10*1.
65mm),间距为0.
65mmBID#2624-QFN24引脚QFN(4*4*0.
6mm),间距为0.
5mmBID#3316-QFN16引脚QFN(3*3*0.
6mm),间距为0.
5mmBID#4016-SOIC16引脚(150Mil)SOICBID#478-SOIC8引脚(150Mil)SOICBID#147A16球WLCSP(1.
47*1.
58mm)16球1.
47*1.
58*0.
4mm16球WLCSP(1.
45*1.
56mm)16球1.
45*1.
56*0.
4mm表28.
封装特性参数说明条件最小值典型值最大值单位TA工作环境温度–402585°CTJ工作结温–40–100°CTJA封装θJA(28-SSOP)–66.
6–°C/WattTJC封装θJC(28-SSOP)–34–°C/WattTJA封装θJA(24-QFN)–38–°C/WattTJC封装θJC(24-QFN)–5.
6–°C/WattTJA封装θJA(16-QFN)–49.
6–°C/WattTJC封装θJC(16-QFN)–5.
9–°C/WattTJA封装θJA(16-SOIC)–142–°C/WattTJC封装θJC(16-SOIC)–49.
8–°C/WattTJA封装θJA(16球WLCSP)–90–°C/WattTJC封装θJC(16球WLCSP)–0.
9–°C/WattTJA封装θJA(8-SOIC)–198–°C/WattTJC封装θJC(8-SOIC)–56.
9–°C/Watt表29.
回流焊峰值温度封装最高峰值温度峰值温度下的最长时间全部260°C30秒表30.
封装潮敏等级(MSL),IPC/JEDECJ-STD-020封装MSL全部MSL316-球WLCSPMSL1PSoC4:PSoC4000系列数据手册文档编号:001-92129版本*C页26/35封装外形图图11.
28-SSOP封装外形图12.
24-QFNEPAD(Sawn)封装外形51-85079*F001-13937*G注释:15.
QFN封装图的尺寸单位为毫米.
PSoC4:PSoC4000系列数据手册文档编号:001-92129版本*C页27/35QFN封装上的中心焊盘应连接到接地(VSS),以获得最佳机械、热学和电气性能.
如果未接地,则应处于电气悬空状态,而不能连接到任何其他信号.
图13.
16-针QFN(3*3*0.
6mm)1.
7*1.
7E-Pad(Sawn)封装001-87187*APSoC4:PSoC4000系列数据手册文档编号:001-92129版本*C页28/35图14.
16-针SOIC(150Mils)封装外形图15.
8-针SOIC(150Mils)封装外形51-85068*F51-85066*IPSoC4:PSoC4000系列数据手册文档编号:001-92129版本*C页29/35图16.
16-球WLCSP(1.
47*1.
58*0.
42mm)注释:16.
QFN封装图的尺寸单位为英寸[毫米].
BOTTOMVIEWSIDEVIEWTOPVIEW4DCBA3214DCBA3215.
7.
6.
6.
beEeDMEN164DIMENSIONSD1MDE1EDAA1SYMBOLMIN.
-1.
05BSC1.
05BSC41.
5591.
452NOM.
-0.
42MAX.
1.
4271.
4771.
5341.
5840.
35BSC0.
35BSC0.
200.
170.
230.
0990.
0890.
109NISTHENUMBEROFPOPULATEDSOLDERBALLPOSITIONSFORMATRIXWHENTHEREISANEVENNUMBEROFSOLDERBALLSINTHEOUTERROW,WHENTHEREISANODDNUMBEROFSOLDERBALLSINTHEOUTERROW,DEFINETHEPOSITIONOFTHECENTERSOLDERBALLINTHEOUTERROW.
"SD"AND"SE"AREMEASUREDWITHRESPECTTODATUMSAANDBANDSYMBOL"ME"ISTHEBALLMATRIXSIZEINTHE"E"DIRECTION.
SYMBOL"MD"ISTHEBALLMATRIXSIZEINTHE"D"DIRECTION.
"e"REPRESENTSTHESOLDERBALLGRIDPITCH.
DIMENSION"b"ISMEASUREDATTHEMAXIMUMBALLDIAMETERINASOLDERBALLPOSITIONDESIGNATIONPERJEP95,SECTION3,SPP-020.
"+"INDICATESTHETHEORETICALCENTEROFDEPOPULATEDSOLDERA1CORNERTOBEIDENTIFIEDBYCHAMFER,LASERORINKMARK8.
7.
6.
NOTES:5.
4.
3.
2.
1.
ALLDIMENSIONSAREINMILLIMETERS.
JEDECSPECIFICATIONNO.
REF.
:N/A.
9.
METALIZEDMARK,INDENTATIONOROTHERMEANS.
"SD"=eD/2AND"SE"=eE/2.
PLANEPARALLELTODATUMC.
"SD"OR"SE"=0.
SIZEMDXME.
BALLS.
SD0.
18BSCSE0.
18BSC002-18598**PSoC4:PSoC4000系列数据手册文档编号:001-92129版本*C页30/35图17.
16-球WLCSP1.
45*1.
56*0.
42mmBOTTOMVIEWSIDEVIEWTOPVIEW4DCBA3214DCBA3215.
7.
6.
6.
beEeDMEN164DIMENSIONSD1MDE1EDAA1SYMBOLMIN.
-1.
05BSC1.
05BSC41.
5591.
452NOM.
-0.
42MAX.
1.
4271.
4771.
5341.
5840.
35BSC0.
35BSC0.
200.
170.
230.
0990.
0890.
109NISTHENUMBEROFPOPULATEDSOLDERBALLPOSITIONSFORMATRIXWHENTHEREISANEVENNUMBEROFSOLDERBALLSINTHEOUTERROW,WHENTHEREISANODDNUMBEROFSOLDERBALLSINTHEOUTERROW,DEFINETHEPOSITIONOFTHECENTERSOLDERBALLINTHEOUTERROW.
"SD"AND"SE"AREMEASUREDWITHRESPECTTODATUMSAANDBANDSYMBOL"ME"ISTHEBALLMATRIXSIZEINTHE"E"DIRECTION.
SYMBOL"MD"ISTHEBALLMATRIXSIZEINTHE"D"DIRECTION.
"e"REPRESENTSTHESOLDERBALLGRIDPITCH.
DIMENSION"b"ISMEASUREDATTHEMAXIMUMBALLDIAMETERINASOLDERBALLPOSITIONDESIGNATIONPERJEP95,SECTION3,SPP-020.
"+"INDICATESTHETHEORETICALCENTEROFDEPOPULATEDSOLDERA1CORNERTOBEIDENTIFIEDBYCHAMFER,LASERORINKMARK8.
7.
6.
NOTES:5.
4.
3.
2.
1.
ALLDIMENSIONSAREINMILLIMETERS.
JEDECSPECIFICATIONNO.
REF.
:N/A.
9.
METALIZEDMARK,INDENTATIONOROTHERMEANS.
"SD"=eD/2AND"SE"=eE/2.
PLANEPARALLELTODATUMC.
"SD"OR"SE"=0.
SIZEMDXME.
BALLS.
SD0.
18BSCSE0.
18BSC001-95966*CPSoC4:PSoC4000系列数据手册文档编号:001-92129版本*C页31/35缩略语表31.
本文档中使用的缩略语缩略语说明abus模拟局部总线ADC模数转换器AG模拟全局总线AHBAMBA(先进微控制器总线架构)高性能总线,即为一种Arm数据传输总线ALU算术逻辑单元AMUXBUS模拟复用器总线API应用编程接口APSR应用编程状态寄存器Arm高级RISC机器,即为一种CPU架构ATM自动Thump模式BW带宽CAN控制器区域网络,即为一种通信协议CMRR共模抑制比CPU中央处理单元CRC循环冗余校验,即为一种错误校验协议DAC数模转换器,另请参见IDAC、VDACDFB数字滤波器模块DIO数字输入/输出,GPIO仅具有数字功能,无模拟功能.
请参见GPIO.
DMIPSDhrystone每秒百万条指令DMA直接存储器访问,另请参见TDDNL微分非线性,另请参见INLDNU请勿使用DR端口写入数据寄存器DSI数字系统互连DWT数据观察点和跟踪ECC纠错码ECO外部晶体振荡器EEPROM电可擦除可编程只读存储器EMI电磁干扰EMIF外部存储器接口EOC转换结束EOF帧结束EPSR执行程序状态寄存器ESD静电放电ETM嵌入式跟踪宏单元FIR有限脉冲响应,另请参见IIRFPB闪存修补和断点FS全速GPIO通用输入/输出,适用于PSoC引脚HVI高电压中断,另请参见LVI、LVDIC集成电路IDAC电流DAC,另请参见DAC、VDACIDE集成开发环境I2C或IIC内部集成电路,即为一种通信协议IIR无限脉冲响应,另请参见FIRILO内部低速振荡器,另请参见IMOIMO内部主振荡器,另请参见ILOINL积分非线性,另请参见DNLI/O输入/输出,另请参见GPIO、DIO、SIO、USBIOIPOR初次上电复位IPSR中断程序状态寄存器IRQ中断请求ITM仪器化跟踪宏单元LCD液晶显示器LIN本地互联网络,即为一种通信协议LR链接寄存器LUT查询表LVD欠压检测,另请参见LVILVI低压中断,另请参见HVILVTTL低压晶体管-晶体管逻辑MAC乘法累加器MCU微控制器单元MISO主入从出NC无连接NMI不可屏蔽的中断NRZ非归零NVIC嵌套向量中断控制器NVL非易失性锁存器,另请参见WOLopamp运算放大器PAL可编程阵列逻辑,另请参见PLDPC程序计数器PCB印刷电路板PGA可编程增益放大器PHUB外设集线器表31.
本文档中使用的缩略语(续)缩略语说明PSoC4:PSoC4000系列数据手册文档编号:001-92129版本*C页32/35PHY物理层PICU端口中断控制单元PLA可编程逻辑阵列PLD可编程逻辑器件,另请参见PALPLL锁相环PMDD封装材料声明数据手册POR上电复位PRES准确上电复位PRS伪随机序列PS端口读取数据寄存器PSoC可编程片上系统PSRR电源抑制比PWM脉冲宽度调制器RAM随机存取存储器RISC精简指令集计算RMS均方根RTC实时时钟RTL寄存器转换语言RTR远程传输请求RX接收SAR逐次逼近寄存器SC/CT开关电容/连续时间SCLI2C串行时钟SDAI2C串行数据S/H采样和保持SINAD信噪比和失真比SIO特殊输入/输出,带高级功能的GPIO.
请参见GPIO.
SOC开始转换SOF帧开始SPI串行外设接口,即为一种通信协议SR斜率SRAM静态随机存取存储器SRES软件复位SWD串行线调试,即为一种测试协议SWV单线浏览器TD传输描述符,另请参见DMATHD总谐波失真TIA互阻放大器TRM技术参考手册表31.
本文档中使用的缩略语(续)缩略语说明TTL晶体管-晶体管逻辑TX发送UART通用异步发射器接收器,它是一种通信协议UDB通用数字模块USB通用串行总线USBIOUSB输入/输出,用于连接至USB端口的PSoC引脚VDAC电压数模转换器,另请参见DAC、IDACWDT看门狗定时器WOL一次性写锁存器,另请参见NVLWRES看门狗定时器复位XRES外部复位I/O引脚XTAL晶体表31.
本文档中使用的缩略语(续)缩略语说明PSoC4:PSoC4000系列数据手册文档编号:001-92129版本*C页33/35文档规范测量单位表32.
测量单位符号测量单位°C摄氏度dB分贝fF飞法Hz赫兹KB1024个字节kbps每秒千位数Khr千小时kHz千赫兹kΩ千欧ksps每秒千次采样LSB最低有效位Mbps每秒兆位数MHz兆赫兹MΩ兆欧Msps每秒兆次采样A微安F微法H微亨s微秒V微伏W微瓦mA毫安ms毫秒mV毫伏nA纳安ns纳秒nV纳伏Ω欧姆pF皮法ppm百万分率ps皮秒s秒sps每秒采样数sqrtHz赫兹平方根V伏特PSoC4:PSoC4000系列数据手册文档编号:001-92129版本*C页34/35修订记录说明标题:PSoC4:PSoC4000系列数据手册可编程片上系统(PSoC)文档编号:001-92129版本ECN提交日期变更说明**434524504/14/2014本文档版本号为Rev.
**,译自英文版001-89638Rev.
*A.
*A490297709/11/2015本文档版本号为Rev.
*A,译自英文版001-89638Rev.
*E.
*B571172204/28/2017本文档版本号为Rev.
*B,译自英文版001-89638Rev.
*G.
更新到新模板.
完成日落评论.
*C680959202/19/2020本文档版本号为Rev.
*C,译自英文版001-89638Rev.
*I.
文档编号:001-92129版本*C修订日期:February19,2020页35/35PSoC4:PSoC4000系列数据手册赛普拉斯半导体公司,2013-2020年.
本文件是赛普拉斯半导体公司及其子公司,包括SpansionLLC("赛普拉斯")的财产.
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禁止对软件的任何其他使用、复制、修改、翻译或汇编.

在适用法律允许的限度内,赛普拉斯未对本文件或任何软件作出任何明示或暗示的担保,包括但不限于关于适销性和特定用途的默示保证.
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