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故障保护、0.
4pCQINJ、8:1/双通道4:1多路复用器ADG5208F/ADG5209FRev.
0DocumentFeedbackInformationfurnishedbyAnalogDevicesisbelievedtobeaccurateandreliable.
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O.
Box9106,Norwood,MA02062-9106,U.
S.
A.
Tel:781.
329.
47002015AnalogDevices,Inc.
Allrightsreserved.
TechnicalSupportwww.
analog.
com功能框图ADG5208FS1S8D1-OF-8DECODERA0A1A2EN13035-001图1.
ADG5208F功能框图ADG5209FS1AS4ADAS1BS4BDB1-OF-4DECODERA0A1EN13035-002图2.
ADG5209F功能框图产品特性过压保护可达55V和+55V掉电保护可达55V和+55V源极引脚有过压保护低电荷注入(QINJ):0.
4pC低导通电容ADG5208F:20pFADG5209F:14pF所有条件下都具有防闩锁特性无数字输入时处于已知状态模拟信号范围VSS至VDD±5V至±22V双电源供电8V至44V单电源供电额定电源电压:±15V、±20V、+12V和+36V应用模拟输入/输出模块过程控制/分布式控制系统数据采集仪器仪表航空电子自动测试设备通信系统继电器替代方案概述ADG5208F和ADG5209F分别为8:1和双通道4:1模拟多路复用器.
ADG5208F将8路输入中的一路切换至公共输出,ADG5209F将4路差分输入中的一路切换至公共差分输出.
两款器件均提供EN输入,用来使能或禁用器件.
当接通时,各通道在两个方向的导电性能相同,输入信号范围可扩展至电源电压范围.
在整个工作电压范围内,数字输入与3V逻辑输入兼容.
没有电源时,通道保持关断状态,开关输入处于高阻态.
正常工作条件下,如果任一Sx引脚上的模拟输入信号电平超过VDD或VSS,并且超出幅度达到阈值电压VT,则相应的通道关断,并且漏极引脚将被拉至所超过的电源电压.
无论有无供电,相对于地达到55V或+55V的输入信号电平都会被阻塞.
这些开关具有低电容和电荷注入特性,因而是要求低开关毛刺和快速建立时间的数据采集与采样保持应用的理想解决方案.
产品特色1.
源极引脚具有过压保护功能,可以耐受高于供电轨,达到55V和+55V的电压.
2.
在未供电情况下,源极引脚的过压保护范围是55V至+55V.
3.
沟槽隔离可防止闩锁.
4.
针对低电荷注入和导通电容而优化.
5.
ADG5208F/ADG5209F可以采用±5V至±22V的双电源或8V至44V的单电源供电.
产品特性1应用.
1功能框图.
1概述.
1产品特色.
1修订历史.
2技术规格.
3±15V双电源3±20V双电源512V单电源.
736V单电源.
9每通道连续电流,Sx、D或Dx.
11绝对最大额定值.
12ESD警告.
12引脚配置和功能描述.
13典型性能参数15ADG5208F/ADG5209F目录Rev.
0|Page2of27测试电路20术语23工作原理24开关架构24故障保护25应用信息26供电轨26电源时序保护26信号范围26电源建议26高压电涌抑制26大电压高频信号26外形尺寸27订购指南27修订历史2015年4月—修订版0:初始版ADG5208F/ADG5209F表1.
参数+25°C40°C至+85°C40°C至+125°C单位测试条件/注释模拟开关VDD=+13.
5V,VSS=13.
5V,参见图36模拟信号范围VDD至VSSV导通电阻RON250Ω(典型值)VS=±10V,IS=1mA270335395Ω(最大值)250Ω(典型值)VS=±9V,IS=1mA270335395Ω(最大值)通道间导通电阻匹配RON2.
5Ω(典型值)VS=±10V,IS=1mA61213Ω(最大值)2.
5Ω(典型值)VS=±9V,IS=1mA61213Ω(最大值)导通电阻平坦度RFLAT(ON)6.
5Ω(典型值)VS=±10V,IS=1mA899Ω(最大值)1.
5Ω(典型值)VS=±9V,IS=1mA3.
544Ω(最大值)阈值电压VT0.
7V(典型值)参见图28漏电流VDD=+16.
5V,VSS=16.
5V源极关断泄漏IS(O)±0.
1nA(典型值)VS=±10V,VD=10V,参见图34±1±2±5nA(最大值)漏极关断泄漏ID(O)±0.
1nA(典型值)VS=±10V,VD=10V,参见图34±1±5±10nA(最大值)通道接通泄漏ID(On)、IS(On)±0.
3nA(典型值)VS=VD=±10V,参见图35±1.
5±20±25nA(最大值)故障源极漏电流IS过压条件下±66±78A(典型值)VDD=+16.
5V,VSS=16.
5V,GND=0V,VS=±55V,参见图33电源接地或浮空±25±40A(典型值)VDD=0V或浮空,VSS=0V或浮空,GND=0V,Ax=0V或浮空,VS=±55V,参见图32漏极漏电流ID过压条件下±10nA(典型值)VDD=+16.
5V,VSS=16.
5V,GND=0V,VS=±55V,参见图33±50±70±90nA(最大值)电源接地±500nA(典型值)VDD=0V,VSS=0V,GND=0V,VS=±55V,Ax=0V,参见图32±700±700±700nA(最大值)电源浮空±50±50±50A(典型值)VDD=浮空,VSS=浮空,GND=0V,VS=±55V,Ax=0V,参见图32数字输入输入电压高(VINH)2.
0V(最小值)低(VINL)0.
8V(最大值)输入电流IINL或IINH±0.
7A(典型值)VIN=VGND或VDD±1.
1±1.
2A(最大值)数字输入电容CIN5.
0pF(典型值)Rev.
0|Page3of27技术规格±15V双电源除非另有说明,VDD=15V±10%,VSS=15V±10%,GND=0V,CDECOUPLING=0.
1F.
ADG5208F/ADG5209F参数+25°C40°C至+85°C40°C至+125°C单位测试条件/注释动态特性1转换时间tTRANSITION180ns(典型值)RL=1kΩ,CL=35pF230245260ns(最大值)VS=8V,参见图45tON(EN)180ns(典型值)RL=1kΩ,CL=35pF235250260ns(最大值)VS=10V,参见图44tOFF(EN)95ns(典型值)RL=1kΩ,CL=35pF125145145ns(最大值)VS=10V,参见图44先开后合时间延迟tD130ns(典型值)RL=1kΩ,CL=35pF90ns(最小值)VS=10V,参见图43过压响应时间tRESPONSE90ns(典型值)RL=1kΩ,CL=5pF,参见图41115130130ns(最大值)过载恢复时间tRECOVERY745ns(典型值)RL=1kΩ,CL=5pF,参见图42945965970ns(最大值)电荷注入QINJ0.
4pC(典型值)VS=0V,RS=0Ω,CL=1nF,参见图46关断隔离76dB(典型值)RL=50Ω,CL=5pF,f=1MHz,参见图38通道间串扰RL=50Ω,CL=5pF,f=1MHz,参见图40邻道75dB(典型值)非邻道88dB(典型值)总谐波失真加噪声(THD+N)0.
005%(典型值)RL=10kΩ,VS=15Vp-p,f=20Hz至20kHz,参见图373dB带宽RL=50Ω,CL=5pF,参见图39ADG5208F190MHz(典型值)ADG5209F290MHz(典型值)插入损耗10.
5dB(典型值)RL=50Ω,CL=5pF,f=1MHz,参见图39CS(O)4pF(典型值)VS=0V,f=1MHzCD(O)VS=0V,f=1MHzADG5208F13pF(典型值)ADG5209F8pF(典型值)CD(On),CS(On)VS=0V,f=1MHzADG5208F20pF(典型值)ADG5209F14pF(典型值)电源要求VDD=+16.
5V,VSS=16.
5V,GND=0V,数字输入=0V、5V或VDD正常模式IDD1.
3mA(典型值)22mA(最大值)IGND0.
75mA(典型值)1.
251.
25mA(最大值)ISS0.
65mA(典型值)0.
80.
85mA(最大值)故障模式VS=±55VIDD1.
6mA(典型值)2.
22.
3mA(最大值)IGND0.
9mA(典型值)1.
61.
7mA(最大值)ISS0.
65mA(典型值)1.
01.
1mA(最大值)VDD/VSS±5V(最小值)GND=0V±22V(最大值)GND=0V1通过设计保证,但未经生产测试.
Rev.
0|Page4of27ADG5208F/ADG5209F表2.
参数+25°C40°C至+85°C40°C至+125°C单位测试条件/注释模拟开关VDD=+18V,VSS=18V,参见图36模拟信号范围VDD至VSSV导通电阻RON260Ω(典型值)VS=±15V,IS=1mA280345405Ω(最大值)250Ω(典型值)VS=±13.
5V,IS=1mA270335395Ω(最大值)通道间导通电阻匹配RON2.
5Ω(典型值)VS=±15V,IS=1mA61213Ω(最大值)2.
5Ω(典型值)VS=±13.
5V,IS=1mA61213Ω(最大值)导通电阻平坦度RFLAT(ON)12.
5Ω(典型值)VS=±15V,IS=1mA141515Ω(最大值)1.
5Ω(典型值)VS=±13.
5V,IS=1mA3.
544Ω(最大值)阈值电压VT0.
7V(典型值)参见图28漏电流VDD=+22V,VSS=22V源极关断泄漏IS(O)±0.
1nA(典型值)VS=±15V,VD=15V,参见图34±1±2±5nA(最大值)漏极关断泄漏ID(O)±0.
1nA(典型值)VS=±15V,VD=15V,参见图34±1±5±10nA(最大值)通道接通泄漏ID(On)、IS(On)±0.
3nA(典型值)VS=VD=±15V,参见图35±1.
5±20±25nA(最大值)故障源极漏电流IS过压条件下±66A(典型值)VDD=+22V,VSS=22V,GND=0V,VS=±55V,参见图33电源接地或浮空±25A(典型值)VDD=0V或浮空,VSS=0V或浮空,GND=0V,Ax=0V或浮空,VS=±55V,参见图32漏极漏电流ID过压条件下±10nA(典型值)VDD=+22V,VSS=22V,GND=0V,VS=±55V,参见图33±2±2±2A(最大值)电源接地±500nA(典型值)VDD=0V,VSS=0V,GND=0V,VS=±55V,Ax=0V,参见图32±700±700±700nA(最大值)电源浮空±50±50±50A(典型值)VDD=浮空,VSS=浮空,GND=0V,VS=±55V,Ax=0V,参见图32数字输入输入电压高(VINH)2.
0V(最小值)低(VINL)0.
8V(最大值)输入电流IINL或IINH±0.
7A(典型值)VIN=VGND或VDD±1.
1±1.
2A(最大值)数字输入电容CIN5.
0pF(典型值)Rev.
0|Page5of27±20V双电源除非另有说明,VDD=20V±10%,VSS=20V±10%,GND=0V,CDECOUPLING=0.
1F.
ADG5208F/ADG5209F参数+25°C40°C至+85°C40°C至+125°C单位测试条件/注释动态特性1转换时间tTRANSITION190ns(典型值)RL=1kΩ,CL=35pF245270285ns(最大值)VS=10V,参见图45tON(EN)185ns(典型值)RL=1kΩ,CL=35pF250270280ns(最大值)VS=10V,参见图44tOFF(EN)95ns(典型值)RL=1kΩ,CL=35pF120145145ns(最大值)VS=10V,参见图44先开后合时间延迟tD140ns(典型值)RL=1kΩ,CL=35pF90ns(最小值)VS=10V,参见图43过压响应时间tRESPONSE75ns(典型值)RL=1kΩ,CL=5pF,参见图41105105105ns(最大值)过载恢复时间tRECOVERY820ns(典型值)RL=1kΩ,CL=5pF,参见图42110012501400ns(最大值)电荷注入QINJ0.
8pC(典型值)VS=0V,RS=0Ω,CL=1nF,参见图46关断隔离76dB(典型值)RL=50Ω,CL=5pF,f=1MHz,参见图38通道间串扰RL=50Ω,CL=5pF,f=1MHz,参见图40邻道75dB(典型值)非邻道88dB(典型值)总谐波失真加噪声(THD+N)0.
005%(典型值)RL=10kΩ,VS=20Vp-p,f=20Hz至20kHz,参见图373dB带宽RL=50Ω,CL=5pF,参见图39ADG5208F190MHz(典型值)ADG5209F290MHz(典型值)插入损耗10.
5dB(典型值)RL=50Ω,CL=5pF,f=1MHz,参见图39CS(O)4pF(典型值)VS=0V,f=1MHzCD(O)VS=0V,f=1MHzADG5208F12pF(典型值)ADG5209F8pF(典型值)CD(On),CS(On)VS=0V,f=1MHzADG5208F19pF(典型值)ADG5209F14pF(典型值)电源要求VDD=+22V,VSS=22V,GND=0V,数字输入=0V、5V或VDD正常模式IDD1.
3mA(典型值)22mA(最大值)IGND0.
75mA(典型值)1.
251.
25mA(最大值)ISS0.
65mA(典型值)0.
80.
85mA(最大值)故障模式VS=±55VIDD1.
6mA(典型值)2.
22.
3mA(最大值)IGND0.
9mA(典型值)1.
61.
7mA(最大值)ISS0.
65mA(典型值)1.
01.
1mA(最大值)VDD/VSS±5V(最小值)GND=0V±22V(最大值)GND=0V1通过设计保证,但未经生产测试.
Rev.
0|Page6of27ADG5208F/ADG5209F表3.
参数+25°C40°C至+85°C40°C至+125°C单位测试条件/注释模拟开关VDD=10.
8V,VSS=0V,参见图36模拟信号范围0V至VDDV导通电阻RON630Ω(典型值)VS=0V至10V,IS=1mA690710730Ω(最大值)270Ω(典型值)VS=3.
5V至8.
5V,IS=1mA290355410Ω(最大值)通道间导通电阻匹配RON6Ω(典型值)VS=0V至10V,IS=1mA171919Ω(最大值)3Ω(典型值)VS=3.
5V至8.
5V,IS=1mA6.
51112Ω(最大值)导通电阻平坦度RFLAT(ON)380Ω(典型值)VS=0V至10V,IS=1mA440460460Ω(最大值)25Ω(典型值)VS=3.
5V至8.
5V,IS=1mA272828Ω(最大值)阈值电压VT0.
7V(典型值)参见图28漏电流VDD=13.
2V,VSS=0V源极关断泄漏IS(O)±0.
1nA(典型值)VS=1V/10V,VD=10V/1V,参见图34±1±2±5nA(最大值)漏极关断泄漏ID(O)±0.
1nA(典型值)VS=1V/10V,VD=10V/1V,参见图34±1±5±10nA(最大值)通道接通泄漏ID(On)、IS(On)±0.
3nA(典型值)VS=VD=1V/10V,参见图35±1.
5±20±25nA(最大值)故障源极漏电流IS过压条件下±63A(典型值)VDD=13.
2V,VSS=0V,GND=0V,VS=±55V,参见图33电源接地或浮空±25A(典型值)VDD=0V或浮空,VSS=0V或浮空,GND=0V,Ax=0V或浮空,VS=±55V,参见图32漏极漏电流ID过压条件下±10nA(典型值)VDD=13.
2V,VSS=0V,GND=0V,VS=±55V,参见图33±50±70±90nA(最大值)电源接地±500nA(典型值)VDD=0V,VSS=0V,GND=0V,VS=±55V,Ax=0V,参见图32±700±700±700nA(最大值)电源浮空±50±50±50A(典型值)VDD=浮空,VSS=浮空,GND=0V,VS=±55V,Ax=0V,参见图32数字输入输入电压高(VINH)2.
0V(最小值)低(VINL)0.
8V(最大值)输入电流IINL或IINH±0.
7A(典型值)VIN=VGND或VDD±1.
1±1.
2A(最大值)数字输入电容CIN5.
0pF(典型值)Rev.
0|Page7of2712V单电源除非另有说明,VDD=12V±10%,VSS=0V,GND=0V,CDECOUPLING=0.
1F.
ADG5208F/ADG5209F参数+25°C40°C至+85°C40°C至+125°C单位测试条件/注释动态特性1转换时间tTRANSITION160ns(典型值)RL=1kΩ,CL=35pF200215230ns(最大值)VS=8V,参见图45tON(EN)160ns(典型值)RL=1kΩ,CL=35pF200220235ns(最大值)VS=8V,参见图44tOFF(EN)130ns(典型值)RL=1kΩ,CL=35pF155160160ns(最大值)VS=8V,参见图44先开后合时间延迟tD95ns(典型值)RL=1kΩ,CL=35pF65ns(最小值)VS=8V,参见图43过压响应时间tRESPONSE110ns(典型值)RL=1kΩ,CL=5pF,参见图41145145145ns(最大值)过载恢复时间tRECOVERY500ns(典型值)RL=1kΩ,CL=5pF,参见图42655720765ns(最大值)电荷注入QINJ0.
9pC(典型值)VS=6V,RS=0Ω,CL=1nF,参见图46关断隔离74dB(典型值)RL=50Ω,CL=5pF,f=1MHz,参见图38通道间串扰RL=50Ω,CL=5pF,f=1MHz,参见图40邻道75dB(典型值)非邻道88dB(典型值)总谐波失真加噪声(THD+N)0.
044%(典型值)RL=10kΩ,VS=6Vp-p,f=20Hz至20kHz,参见图373dB带宽RL=50Ω,CL=5pF,参见图39ADG5208F175MHz(典型值)ADG5209F270MHz(典型值)插入损耗10.
5dB(典型值)RL=50Ω,CL=5pF,f=1MHz,参见图39CS(O)4pF(典型值)VS=6V,f=1MHzCD(O)VS=6V,f=1MHzADG5208F14pF(典型值)ADG5209F8pF(典型值)CD(On),CS(On)VS=6V,f=1MHzADG5208F21pF(典型值)ADG5209F14pF(典型值)电源要求VDD=13.
2V,VSS=0V,GND=0V,数字输入=0V、5V或VDD正常模式IDD1.
3mA(典型值)22mA(最大值)IGND0.
75mA(典型值)1.
41.
4mA(最大值)ISS0.
5mA(典型值)0.
650.
7mA(最大值)故障模式VS=±55VIDD1.
6mA(典型值)2.
22.
3mA(最大值)IGND0.
9mA(典型值)1.
61.
7mA(最大值)ISS0.
65mA(典型值)数字输入=5V1.
01.
1mA(最大值)VS=±55V,VD=0VVDD8V(最小值)GND=0V44V(最大值)GND=0V1通过设计保证,但未经生产测试.
Rev.
0|Page8of27ADG5208F/ADG5209F表4.
参数+25°C40°C至+85°C40°C至+125°C单位测试条件/注释模拟开关VDD=32.
4V,VSS=0V,参见图36模拟信号范围0V至VDDV导通电阻RON310Ω(典型值)VS=0V至30V,IS=1mA335415480Ω(最大值)250Ω(典型值)VS=4.
5V至28V,IS=1mA270335395Ω(最大值)通道间导通电阻匹配RON3Ω(典型值)VS=0V至30V,IS=1mA71618Ω(最大值)3Ω(典型值)VS=4.
5V至28V,IS=1mA6.
51112Ω(最大值)导通电阻平坦度RFLAT(ON)62Ω(典型值)VS=0V至30V,IS=1mA7085100Ω(最大值)1.
5Ω(典型值)VS=4.
5V至28V,IS=1mA3.
544Ω(最大值)阈值电压VT0.
7V(典型值)参见图28漏电流VDD=39.
6V,VSS=0V源极关断泄漏IS(O)±0.
1nA(典型值)VS=1V/30V,VD=30V/1V,参见图34±1±2±5nA(最大值)漏极关断泄漏ID(O)±0.
1nA(典型值)VS=1V/30V,VD=30V/1V,参见图34±1±5±10nA(最大值)通道接通泄漏ID(On)、IS(On)±0.
3nA(典型值)VS=VD=1V/30V,参见图35±1.
5±20±25nA(最大值)故障源极漏电流IS过压条件下±58A(典型值)VDD=+39.
6V,VSS=0V,GND=0V,VS=+55V、40V,参见图33电源接地或浮空±25A(典型值)VDD=0V或浮空,VSS=0V或浮空,GND=0V,Ax=0V或浮空,VS=±55V,参见图32漏极漏电流ID过压条件下±10nA(典型值)VDD=39.
6V,VSS=0V,GND=0V,VS=±55V,参见图33±50±70±90nA(最大值)电源接地±500nA(典型值)VDD=0V,VSS=0V,GND=0V,VS=+55V、40V,Ax=0V,参见图32±700±700±700nA(最大值)电源浮空±50±50±50A(典型值)VDD=浮空,VSS=浮空,GND=0V,VS=±55V,Ax=0V,参见图32数字输入输入电压高(VINH)2.
0V(最小值)低(VINL)0.
8V(最大值)输入电流IINL或IINH±0.
7A(典型值)VIN=VGND或VDD±1.
1±1.
2A(最大值)数字输入电容CIN5.
0pF(典型值)Rev.
0|Page9of2736V单电源除非另有说明,VDD=36V±10%,VSS=0V,GND=0V,CDECOUPLING=0.
1F.
ADG5208F/ADG5209F参数+25°C40°C至+85°C40°C至+125°C单位测试条件/注释动态特性1转换时间tTRANSITION180ns(典型值)RL=1kΩ,CL=35pF230245255ns(最大值)VS=18V,参见图45tON(EN)175ns(典型值)RL=1kΩ,CL=35pF225245260ns(最大值)VS=18V,参见图44tOFF(EN)105ns(典型值)RL=1kΩ,CL=35pF135150150ns(最大值)VS=18V,参见图44先开后合时间延迟tD105ns(典型值)RL=1kΩ,CL=35pF65ns(最小值)VS=18V,参见图43过压响应时间tRESPONSE60ns(典型值)RL=1kΩ,CL=5pF,参见图41808585ns(最大值)过载恢复时间tRECOVERY1400ns(典型值)RL=1kΩ,CL=5pF,参见图42190021002200ns(最大值)电荷注入QINJ0.
9pC(典型值)VS=18V,RS=0Ω,CL=1nF,参见图46关断隔离75dB(典型值)RL=50Ω,CL=5pF,f=1MHz,参见图38通道间串扰RL=50Ω,CL=5pF,f=1MHz,参见图40邻道75dB(典型值)非邻道88dB(典型值)总谐波失真加噪声(THD+N)0.
007%(典型值)RL=10kΩ,VS=18Vp-p,f=20Hz至20kHz,参见图373dB带宽RL=50Ω,CL=5pF,参见图39ADG5208F200MHz(典型值)ADG5209F300MHz(典型值)插入损耗10.
5dB(典型值)RL=50Ω,CL=5pF,f=1MHz,参见图39CS(O)3pF(典型值)VS=18V,f=1MHzCD(O)VS=18V,f=1MHzADG5208F12pF(典型值)ADG5209F7pF(典型值)CD(On),CS(On)VS=18V,f=1MHzADG5208F19pF(典型值)ADG5209F12pF(典型值)电源要求VDD=39.
6V,VSS=0V,GND=0V,数字输入=0V、5V或VDD正常模式IDD1.
3mA(典型值)22mA(最大值)IGND0.
75mA(典型值)1.
41.
4mA(最大值)ISS0.
5mA(典型值)0.
650.
7mA(最大值)故障模式VS=+55V、40VIDD1.
6mA(典型值)2.
22.
3mA(最大值)IGND0.
9mA(典型值)1.
61.
7mA(最大值)ISS0.
65mA(典型值)1.
01.
1mA(最大值)VDD8V(最小值)GND=0V44V(最大值)GND=0V1通过设计保证,但未经生产测试.
Rev.
0|Page10of27ADG5208F/ADG5209F表5.
参数25°C85°C125°C单位测试条件/注释ADG5208F,θJA=112.
6°C/W27168mA(最大值)VS=VSS至VDD4.
5V16117mA(最大值)VS=VSS至VDDADG5209F,θJA=112.
6°C/W20138mA(最大值)VS=VSS至VDD4.
5V1286mA(最大值)VS=VSS至VDDRev.
0|Page11of27每通道连续电流,Sx、D或DxADG5208F/ADG5209F表6.
参数额定值VDD至VSS48VVDD至GND0.
3V至+48VVSS至GND48V至+0.
3VSx引脚55V至+55VSx至VDD或VSS80VVS至VD80VD或Dx引脚1VSS0.
7V至VDD+0.
7V或30mA,以最先出现者为准数字输入2GND0.
7V至48V或30mA,以最先出现者为准峰值电流,Sx、D或Dx引脚72.
5mA(1ms脉冲,最大10%占空比)连续电流,Sx、D或Dx引脚数据3+15%负载电流D或Dx引脚,过压状态,1mA工作温度范围40°C至+125°C存储温度范围65°C至+150°C结温150°C热阻θJA(4层板)112.
6°C/W回流焊峰值温度,无铅依据JEDECJ-STD-020Rev.
0|Page12of27绝对最大额定值除非另有说明,TA=25°C.
1D或Dx引脚上的过压由内部二极管箝位.
电流以给出的最大额定值为限.
2数字输入为EN和Ax引脚.
3参见表5.
注意,等于或超出上述绝对最大额定值可能会导致产品永久性损坏.
这只是额定最值,并不能以这些条件或者在任何其它超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下,推断产品能否正常工作.
长期在超出最大额定值条件下工作会影响产品的可靠性.
任何时候只能使用一个绝对最大额定值.
ESD警告ESD(静电放电)敏感器件.
带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放电.
尽管本产品具有专利或专有保护电路,但在遇到高能量ESD时,器件可能会损坏.
因此,应当采取适当的ESD防范措施,以避免器件性能下降或功能丧失.
ADG5208F/ADG5209F引脚配置和功能描述A01EN2VSS3S14A116A215GND14VDD13S25S512S36S611S47S710D8S89ADG5208FTOPVIEW(NottoScale)13035-003图3.
ADG5208F引脚配置表7.
ADG5208F引脚功能描述引脚编号引脚名称描述1A0逻辑控制输入.
2EN高电平有效数字输入.
当此引脚处于低电平时,器件禁用,所有开关断开.
当此引脚为高电平时,Ax逻辑输入决定接通哪些开关.
3VSS最低负电源电位.
4S1过压保护源极引脚1.
该引脚可以是输入或输出.
5S2过压保护源极引脚2.
该引脚可以是输入或输出.
6S3过压保护源极引脚3.
该引脚可以是输入或输出.
7S4过压保护源极引脚4.
该引脚可以是输入或输出.
8D漏极引脚.
该引脚可以是输入或输出.
9S8过压保护源极引脚8.
该引脚可以是输入或输出.
10S7过压保护源极引脚7.
该引脚可以是输入或输出.
11S6过压保护源极引脚6.
该引脚可以是输入或输出.
12S5过压保护源极引脚5.
该引脚可以是输入或输出.
13VDD最高正电源电位.
14GND地(0V)参考.
15A2逻辑控制输入.
16A1逻辑控制输入.
表8.
ADG5208F真值表A2A1A0EN导通开关X1X1X10无0001S10011S20101S30111S41001S51011S61101S71111S81X表示无关.
Rev.
0|Page13of27ADG5208F/ADG5209FA01EN2VSS3S1A4A116GND15VDD14S1B13S2A5S2B12S3A6S3B11S4A7S4B10DA8DB9ADG5209FTOPVIEW(NottoScale)13035-005图4.
ADG5209F引脚配置表9.
ADG5209F引脚功能描述引脚编号引脚名称描述1A0逻辑控制输入.
2EN高电平有效数字输入.
当此引脚处于低电平时,器件禁用,所有开关断开.
当此引脚为高电平时,Ax逻辑输入决定接通哪些开关.
3VSS最低负电源电位.
4S1A带过压保护的源极引脚1A.
该引脚可以是输入或输出.
5S2A带过压保护的源极引脚2A.
该引脚可以是输入或输出.
6S3A带过压保护的源极引脚3A.
该引脚可以是输入或输出.
7S4A带过压保护的源极引脚4A.
该引脚可以是输入或输出.
8DA漏极引脚A.
该引脚可以是输入或输出.
9DB漏极引脚B.
该引脚可以是输入或输出.
10S4B带过压保护的源极引脚4B.
该引脚可以是输入或输出.
11S3B带过压保护的源极引脚3B.
该引脚可以是输入或输出.
12S2B带过压保护的源极引脚2B.
该引脚可以是输入或输出.
13S1B带过压保护的源极引脚1B.
该引脚可以是输入或输出.
14VDD最高正电源电位.
15GND地(0V)参考.
16A1逻辑控制输入.
表10.
ADG5209F真值表A1A0EN导通对X1X10无001S1x011S2x101S3x111S4x1X表示无关.
Rev.
0|Page14of27ADG5208F/ADG5209F典型性能参数120010008006004002000–25–20–15–10–50510152025ONRESISTANCE()VS,VD(V)±22V±20V±18V±16.
5V±15.
0V±13.
5VTA=25°C13035-105图5.
RON与VS、VD的关系(双电源)12001000800600400200001412108642ONRESISTANCE()VS,VD(V)13.
2V12.
0V10.
8VTA=25°C13035-106图6.
RON与VS、VD的关系(12V单电源)1200100080060040020000403530252015105ONRESISTANCE()VS,VD(V)39.
6V36.
0V32.
4VTA=25°C13035-107图7.
RON与VS、VD的关系(36V单电源)1400120010008006004002000–15–12–9–6–303691215ONRESISTANCE()VS,VD(V)VDD=+15VVSS=–15V+125°C+85°C+25°C–40°C13035-108图8.
不同温度下RON与VS、VD的关系(±15V双电源)1400120010008006004002000–20–15–10–505101520ONRESISTANCE()VS,VD(V)VDD=+20VVSS=–20V+125°C+85°C+25°C–40°C13035-109图9.
不同温度下RON与VS、VD的关系(±20V双电源)1400120010008006004002000012108642ONRESISTANCE()VS,VD(V)VDD=12VVSS=0V+125°C+85°C+25°C–40°C13035-110图10.
不同温度下RON与VS、VD的关系(12V单电源)Rev.
0|Page15of27ADG5208F/ADG5209F140012001000800600400200003632282420161284ONRESISTANCE()VS,VD(V)VDD=36VVSS=0V+125°C+85°C+25°C–40°C13035-111图11.
不同温度下RON与VS、VD的关系(36V单电源)2.
5–2.
0–1.
5–1.
0–0.
500.
51.
01.
52.
0012010080604020LEAKAGECURRENT(nA)TEMPERATURE(°C)VDD=+15VVSS=–15VVBIAS=±10VIS(OFF)+–IS(OFF)–+IS,ID(ON)++ID(OFF)+–ID(OFF)–+IS,ID(ON)––13035-112图12.
漏电流与温度的关系(±15V双电源)3–3–2–1012012010080604020LEAKAGECURRENT(nA)TEMPERATURE(°C)VDD=+20VVSS=–20VVBIAS=±15VIS(OFF)+–IS(OFF)–+IS,ID(ON)++ID(OFF)+–ID(OFF)–+IS,ID(ON)––13035-113图13.
漏电流与温度的关系(±20V双电源)1.
5–1.
0–0.
500.
51.
0012010080604020LEAKAGECURRENT(nA)TEMPERATURE(°C)VDD=12VVSS=0VVBIAS=1V,10VIS(OFF)+–IS(OFF)–+IS,ID(ON)++ID(OFF)+–ID(OFF)–+IS,ID(ON)––13035-114图14.
漏电流与温度的关系(12V单电源)3–4–3–2–1012012010080604020LEAKAGECURRENT(nA)TEMPERATURE(°C)VDD=36VVSS=0VVBIAS=1V,30VIS(OFF)+–IS(OFF)–+IS,ID(ON)++ID(OFF)+–ID(OFF)–+IS,ID(ON)––13035-115图15.
漏电流与温度的关系(36V单电源)6012345012010080604020LEAKAGECURRENT(nA)TEMPERATURE(°C)VDD=+15VVSS=–15V13035-116VS=–30VVS=+30VVS=–55VVS=+55V图16.
过压漏电流与温度的关系(±15V双电源)Rev.
0|Page16of27ADG5208F/ADG5209F6012345012010080604020LEAKAGECURRENT(nA)TEMPERATURE(°C)VDD=+20VVSS=–20V13035-117VS=–30VVS=+30VVS=–55VVS=+55V图17.
过压漏电流与温度的关系(±20V双电源)6012345012010080604020LEAKAGECURRENT(nA)TEMPERATURE(°C)VDD=12VVSS=0V13035-118VS=–30VVS=+30VVS=–55VVS=+55V图18.
过压漏电流与温度的关系(12V单电源)6012345012010080604020LEAKAGECURRENT(nA)TEMPERATURE(°C)VDD=36VVSS=0V13035-119VS=–30VVS=+40VVS=–40VVS=+55V图19.
过压漏电流与温度的关系(36V单电源)OFFISOLATION(dB)FREQUENCY(Hz)13035-1200–140–120–100–80–60–40–201k1G100M10M1M100k10kVDD=+15VVSS=–15VTA=25°C图20.
关断隔离与频率的关系(±15V双电源)0–140–120–100–80–60–40–2010k1G100M10M1M100kCROSSTALK(dB)FREQUENCY(Hz)VDD=+15VVSS=–15VTA=25°C13035-121ADJACENTCHANNELSNONADJACENTCHANNELS,COMMONDRAINNONADJACENTCHANNELS,SEPARATEDRAIN图21.
串扰与频率的关系(±15V双电源)6420–2–10–8–6–40403530252015105CHARGEINJECTION(pC)VS(V)TA=25°CVDD=12V,VSS=0VVDD=36V,VSS=0V13035-122图22.
电荷注入与源电压(VS)的关系(单电源)Rev.
0|Page17of27ADG5208F/ADG5209F86420–2–10–8–6–4–2020151050–5–10–15CHARGEINJECTION(pC)VS(V)TA=25°CVDD=+15V,VSS=–15VVDD=+20V,VSS=–20V13035-123图23.
电荷注入与源电压(VS)的关系(双电源)0–120–100–80–60–40–2010k1G100M10M1M100kACPSRR(dB)FREQUENCY(Hz)VDD=+15VVSS=–15VTA=25°C13035-124图24.
ACPSRR与频率的关系(±15V双电源)0.
060.
050.
040.
030.
020.
01002015105THD+N(%)FREQUENCY(kHz)LOAD=10kΩTA=25°CVDD=+12V,VSS=0V,VS=+6Vp-pVDD=+36V,VSS=0V,VS=+18Vp-pVDD=+15V,VSS=–15V,VS=+15Vp-pVDD=+20V,VSS=–20V,VS=+20Vp-p13035-125图25.
THD+N与频率的关系–9–20–19–15–16–17–18–14–13–12–11–1010k1G100M10M1M100kBANDWIDTH(dB)FREQUENCY(Hz)VDD=+15VVSS=–15VTA=25°CADG5208FADG5209F13035-126图26.
带宽与频率的关系tTRANSITION(ns)TEMPERATURE(°C)140150160170180190200210220–40–20020406080100120VDD=+12V,VSS=0VVDD=+36V,VSS=0VVDD=+15V,VSS=–15VVDD=+20V,VSS=–20V13035-127图27.
tTRANSITION与温度的关系THRESHOLDVOLTAGE,VT(V)TEMPERATURE(°C)00.
90.
80.
70.
60.
50.
40.
30.
20.
1–40–2002040608010012013035-128图28.
阈值电压(VT)与温度的关系Rev.
0|Page18of27ADG5208F/ADG5209FCH110VCH210VCH310VCH410V1sACH115.
2V2T–10.
0ns2.
5GS/s100kPOINTSTVDDVSSVSDRAIN13035-129图29.
漏极输出对正过压的响应CH110VCH210VCH310VCH410V1sACH1–15.
6V2T–10.
0ns2.
5GS/s100kPOINTSTVDDVSSVSDRAIN13035-130图30.
漏极输出对负过压的响应SIGNALVOLTAGE(Vp-p)FREQUENCY(MHz)020161284110100DISTORTIONLESSOPERATINGREGIONTA=25°CVDD=+10VVSS=–10V13035-131图31.
大电压信号跟踪与频率的关系Rev.
0|Page19of27ADG5208F/ADG5209F测试电路VSSxVDD=VSS=GND=0VD/DxAAISIDRL10k13035-040图32.
开关未供电泄漏|VS|>|VDD|OR|VSS|SxD/DxAAISIDRL10k13035-039图33.
开关过压泄漏VDS1DAAIS(OFF)ID(OFF)VSS8A13035-035ADG5208F**SIMILARCONNECTIONFORADG5209F.
图34.
关断泄漏VDS1DANCID(ON)VSS8AS2NC=NOCONNECT13035-036ADG5208F**SIMILARCONNECTIONFORADG5209F.
图35.
导通泄漏IDSSxD/DxVSVRON=V/IDS13035-034图36.
导通电阻VOUTRSAUDIOPRECISIONRL10kΩAxVINSxD/DxVSVp-pVDDVSS0.
1FVDD0.
1FVSSGND13035-042图37.
THD+NVOUT50ΩNETWORKANALYZERRL50ΩAxVINSxD/DxOFFISOLATION=20logVOUTVSVSVDDVSS0.
1FVDD0.
1FVSSGND50Ω13035-037图38.
关断隔离VOUT50ΩNETWORKANALYZERRL50ΩAxVINSxD/DxINSERTIONLOSS=20logVOUTWITHSWITCHVOUTWITHOUTSWITCHVSVDDVSS0.
1FVDD0.
1FVSSGND13035-041图39.
带宽CHANNEL-TO-CHANNELCROSSTALK=20logVOUTGNDS1/S1xD/DxS2/S2xNETWORKANALYZERRL50ΩRL50ΩVSVDDVSS0.
1FVDD0.
1FVSSVSVOUT13035-038图40.
通道间串扰Rev.
0|Page20of27ADG5208F/ADG5209FVDADG5208F/ADG5209FGNDSxOTHERSOURCE/DRAINPINSD/DxCL5pF0.
1F0.
1FVSVDDVSSVDDVSSVDD+0.
5V0VtRESPONSESOURCEVOLTAGE(VS)RL1kΩ13035-043VDD0VOUTPUT(VD)OUTPUT*0.
5NOTES1.
THEOUTPUTPULLSTOVDDWITHOUTA1kΩRESISTOR(INTERNAL40kΩPULL-UPRESISTORTOTHESUPPLYRAILDURINGAFAULT).
图41.
过压响应时间tRESPONSEVDADG5208F/ADG5209FGNDSxOTHERSOURCE/DRAINPINSD/DxCL5pF0.
1F0.
1FVSVDDVSSVDDVSSRL1kΩVDD+0.
5V0VtRECOVERYSOURCEVOLTAGE(VS)13035-0440VOUTPUT*0.
5OUTPUT(VD)NOTES1.
THEOUTPUTSTARTSFROMTHEVDDCLAMPLEVELWITHOUTA1kΩRESISTOR(INTERNAL40kΩPULL-UPRESISTORTOTHESUPPLYRAILDURINGAFAULT).
图42.
过载恢复时间tRECOVERYOUTPUTADG5208F*A0A1A21kGNDS1S2TOS7S8D35pFVIN2.
0VENVDDVSSVS*SIMILARCONNECTIONFORADG5209F.
3V0VOUTPUT80%80%ADDRESSDRIVE(VIN)tD13035-0450.
1F0.
1FVDDVSS图43.
先开后合时间延迟tDRev.
0|Page21of27ADG5208F/ADG5209FOUTPUTADG5208F*A0A1A21kGNDS1S2TOS8D35pFVINENVDDVSSVS*SIMILARCONNECTIONFORADG5209F.
3V0VOUTPUT50%50%tOFF(EN)tON(EN)0.
9VOUT0.
1VOUTENABLEDRIVE(VIN)13035-0460.
1F0.
1FVDDVSS图44.
使能延迟tON(EN)、tOFF(EN)3V0VOUTPUTtr<20nstf<20nsADDRESSDRIVE(VIN)tTRANSITIONtTRANSITION50%50%90%90%OUTPUTADG5208F*A0A1A21kGNDS1S2TOS7S8D35pFVIN2.
0VENVDDVSSVS1VS8*SIMILARCONNECTIONFORADG5209F.
13035-0470.
1F0.
1FVDDVSS图45.
地址到输出切换时间tTRANSITION3VVINVOUTQINJ=CL*ΔVOUTΔVOUTDS1ENGNDCL1nFVOUTVINRSVSVDDVSSA0A1A2ADG5208F**SIMILARCONNECTIONFORADG5209F.
13035-0480.
1F0.
1FVDDVSS图46.
电荷注入QINJRev.
0|Page22of27ADG5208F/ADG5209FRev.
0|Page23of27术语IDDIDD表示正电源电流.
ISSISS表示负电源电流.
VD和VSVD和VS分别表示D/Dx引脚和Sx引脚上的模拟电压.
RONRON表示D/Dx引脚与Sx引脚之间的电阻(欧姆).
RONΔRON表示任意两个通道的RON之差.
RFLAT(ON)RFLAT(ON)表示平坦度,定义为在额定模拟信号范围内测得的导通电阻最大值与最小值之差.
IS(O)IS(o)表示开关断开时的源极漏电流.
ID(O)ID(o)表示开关断开时的漏极漏电流.
ID(On)和IS(On)ID(on)和IS(on)表示开关接通时的通道漏电流.
VINLVINL表示逻辑0的最大输入电压.
VINHVINH表示逻辑1的最小输入电压.
IINL和IINHIINL和IINH表示数字输入的最低和最高输入电流.
CD(O)CD(o)表示开关断开时的漏极电容,以地为参考进行测量.
CS(O)CS(o)表示开关断开时的源极电容,以地为参考进行测量.
CD(On),CS(On)CD(on)和CS(on)表示开关接通时的电容,以地为参考进行测量.
CINCIN表示数字输入电容.
tON(EN)tON(EN)表示施加数字控制输入与输出开启之间的延迟时间(见图44).
tOFF(EN)tOFF(EN)表示施加数字控制输入与输出关闭之间的延迟时间(见图44).
tTRANSITIONtTRANSITION表示从一个地址状态切换到另一个地址状态时,数字输入的50%点与通电的90%点之间的延迟时间.
tDtD表示从一个地址状态切换到另一个地址状态时,在两个开关的90%点之间测得的关断时间.
tRESPONSEtRESPONSE表示源极电压超过电源电压0.
5V与漏极电压降至峰值电压的50%之间的延迟时间.
tRECOVERYtRECOVERY表示Sx引脚上的过压降至电源电压加0.
5V以下与漏极电压从0V升至峰值电压的50%之间的延迟时间.
关断隔离关断隔离衡量通过断开开关耦合的无用信号.
电荷注入电荷注入衡量开关期间从数字输入传输到模拟输出的毛刺脉冲.
通道间串扰串扰衡量寄生电容引起的从一个通道耦合到另一个通道的无用信号.
插入损耗插入损耗指开关导通电阻引起的损耗.
3dB带宽带宽指输出衰减3dB的频率.
交流电源抑制比(ACPSRR)ACPSRR表示输出信号的幅度与调制幅度的比值,用于衡量器件避免将电源电压引脚上的噪声和杂散信号耦合到开关输出端的能力.
该器件的直流电压由一个0.
62Vp-p的正弦波调制.
导通响应导通响应指开关接通时的频率响应.
VTVT表示过压保护电路启动的电压阈值(参见图28).
总谐波失真加噪声(THD+N)THD+N表示信号的谐波幅度加噪声与基波的比值.
ADG5208F/ADG5209FRev.
0|Page24of27ESDPROTECTIONSxD/DxAxVDDVSSESDESDFAULTDETECTORSWITCHDRIVERLOGICBLOCK13035-049图47.
开关通道和控制功能NDMOSPDMOSP-WELLN-WELLBURIEDOXIDELAYERHANDLEWAFERTRENCH13035-050图48.
沟槽隔离工作原理开关架构ADG5208F/ADG5209F的每个通道由一对NDMOS和PDMOS晶体管并联而成.
这种结构可在信号范围内提供出色的性能.
当输入信号电压介于VSS和VDD之间时,ADG5208F/ADG5209F各通道用作标准开关.
例如,导通电阻典型值为250Ω,开关的断开或闭合通过相应的地址引脚控制.
利用其它内部电路,开关可以将源极引脚上的电压与VDD和VSS进行比较,从而检测过压输入.
如果信号电压比电源电压高出电压阈值VT,则认为该信号过压.
阈值电压典型值为0.
7V,但可能在0.
8V(在40°C下工作时)至0.
6V(在+125°C下工作时)范围内变动.
VT变化与工作温度的关系参见图28.
任何源极输入上能够施加的电压范围为+55V至55V.
当器件由25V或更大的单电源供电时,最小信号电平从55V提高至40V(VDD=+40V时),以便保持最大额定值80V.
当开关断开时,通道的工艺结构可以承受80V电压.
无论电源存在与否,这些过压限值均适用.
过压反应源极引脚上检测到过压条件时,无论处于何种数字逻辑状态,开关都会自动断开.
源极引脚变为高阻抗,如果选择该源极引脚,漏极引脚将被拉至所超过的电源.
例如,若源极电压超过VDD,漏极输出将被拉至VDD;VSS同样如此.
在图29中可以看到,漏极引脚上的电压跟随源极引脚上的电压,直到开关完全关断.
然后,因为有1kΩ负载电阻,漏极引脚被拉至GND,否则它将被拉至VDD电源.
漏极上的最大电压由内部ESD二极管限制,并且输出电压的放电速率取决于引脚上的负载.
过压期间,流入流出源极引脚的漏电流以数十微安为限.
如果取消选择源极引脚,则漏极引脚上仅有数纳安的漏电流.
然而,如果选择源极,该引脚将被拉至供电轨.
将漏极引脚拉至供电轨的器件具有约40kΩ的阻抗,因此,在负载短路情况下,D或Dx引脚电流限制在约1mA.
此内部阻抗还决定确保在故障期间将漏极引脚拉至期望电平所需的最小外部负载电阻.
发生过压事件时,不受过压输入干扰的通道继续正常工作,不会产生额外的串扰.
ESD性能漏极引脚具有ESD保护二极管,提供针对供电轨的保护;这些引脚的电压不可超过电源电压.
源极引脚具有专项ESD保护功能,允许信号电压达到±55V而无论电源电压水平如何.
开关通道功能概览参见图47.
沟槽隔离在ADG5208F和ADG5209F中,各开关的NDMOS与PDMOS晶体管之间有一个绝缘氧化物层(沟道).
因此,它与结隔离式开关不同,晶体管之间不存在寄生结,从而消除了所有情况下的闩锁现象.
ADG5208F/ADG5209FS1S2S3S8ADG5208F1-OF-8DECODERVDDVSSGND+22V–22V0V+22V55V+55V0V+5VDA0A1A2EN13035-051图49.
过压条件下的ADG5208FRev.
0|Page25of27故障保护当源极输入电压比VDD或VSS高出VT时,开关关断,或者,如果器件未供电,开关将保持关断状态.
开关输入将保持高阻态,与数字输入状态无关;如果选择的话,漏极将被拉至VDD或VSS.
无论是否供电,只要源极和电源引脚之间达到80V限值,就会阻塞最高+55V和55V的信号电平.
上电保护开关处于接通状态必须满足以下三个条件:VDD至VSS≥8V输入信号介于VSSVT和VDD+VT之间数字逻辑控制输入有效当开关接通时,最高达到供电轨的信号电平可以通过.
当模拟输入比VDD或VSS高出阈值电压VT时,开关关断.
绝对输入电压限值是55V和+55V,同时源极引脚和供电轨之间需要保持80V限值.
开关将一直处于关断状态,直到源极引脚上的电压回到VDD与VSS之间.
采用±15V双电源供电时,故障响应时间(tRESPONSE)典型值为90ns,故障恢复时间(tRECOVERY)为745ns.
这些时间会因电源电压和输出负载条件不同而改变.
任一源极输入电压超过±55V时,可能会损坏器件上的ESD保护电路.
开关通道上的最大电压为80V,因此,在故障条件下用户必须密切关注此限值.
例如,考虑器件用在图49所示的设置中.
VDD/VSS=±22V,S1=+22V,选择S1S2发生55V故障,S3发生+55V故障S2与D之间的电压=+22V(55V)=+77VS3与D之间的电压=55V22V=33V.
这些计算全都在器件规格范围内:源极输入故障最大值为55V,关断开关通道上的最大电压为80V.
掉电保护没有电源时,开关保持关断状态,开关输入处于高阻态.
这种状态可确保没有电流流动,防止开关或下游电路受损.
开关输出为虚拟开路.
无论VDD和VSS电源是0V还是浮空,开关均保持关断状态.
为确保正常工作,GND基准必须始终存在.
在未供电条件下,高达±55V的信号电平会被阻塞.
数字输入保护无电源时,ADG5208F和ADG5209F可以容忍器件上存在数字输入信号.
未向器件供电时,开关保证处于关断状态,无论数字逻辑信号处于何种状态.
数字输入受到最高44V的正过压故障保护.
数字输入未提供负过压保护.
数字输入上存在ESD保护二极管(连接到GND).
ADG5208F/ADG5209FLDO+15V–15V12VINPUTADP7182LDOADP5070ADP7118+16V–16V13035-052图50.
双极性电源解决方案表11.
推荐电源管理器件产品描述ADP50701A/0.
6A,带独立正负输出的DC-DC开关稳压器ADP711820V、200mA、低噪声CMOSLDOADP714240V、200mA、低噪声CMOSLDOADP718228V、200mA、低噪声、线性稳压器Rev.
0|Page26of27应用信息某些仪器仪表、工业、汽车、航空航天应用和其它恶劣环境中可能存在过压信号,过压发生期间及之后,系统均必须保持工作状态,过压保护系列开关和多路复用器为这些应用提供了稳定可靠的解决方案.
供电轨为保证器件正常工作,需要0.
1F去耦电容.
ADG5208F和ADG5209F可以采用±5V到±22V的双极性电源供电.
VDD和VSS上的电源不必对称,但VDD至VSS范围不得超过44V.
ADG5208F和ADG5209F也可以采用8V到44V的单电源供电,此时VSS连接到GND.
这些器件的额定电源电压范围为±15V、±20V、+12V和+36V.
电源时序保护器件未供电时,开关通道保持断开,可以施加55V至+55V的信号而不会损坏器件.
仅当连接电源,将一个适当的数字控制信号置于地址引脚且信号处于正常工作范围内时,开关通道才会闭合.
某些系统在电源电压可用之前就会将信号提供给源极引脚,对此,把ADG5208F/ADG5209F放在外部连接器与敏感器件之间可提供保护.
信号范围ADG5208F/ADG5209F开关的输入端具有过压检测电路,可将源极引脚上的电压与VDD和VSS进行比较.
为保护下游电路不受过压损害,应向ADG5208F/ADG5209F提供与目标信号范围匹配的电压.
额外的保护结构使得最高达到供电轨的信号可以通过,只有比供电轨高出阈值电压的信号才会被阻塞.
该信号模块可以保护开关器件及所有下游电路.
电源建议ADI公司提供广泛的电源管理产品,可满足大多数高性能信号链的需求.
图50所示为一个双极性电源解决方案示例.
ADP7118和ADP7182可用来从ADP5070(双通道开关稳压器)输出产生干净的正负供电轨.
这些供电轨可用来为典型信号链中的ADG5208F/ADG5209F放大器和/或精密转换器供电.
高压电涌抑制ADG5208F/ADG5209F并非针对极高电压应用而设计.
晶体管的最大工作电压为80V.
在输入过压可能超过击穿电压的应用中,应使用瞬变电压抑制器(TVS)或类似器件.
大电压高频信号图31显示了ADG5208F/ADG5209F能够可靠传送的电压范围和频率.
对于覆盖从VSS到VDD的全部信号范围的信号,频率应低于1MHz.
如果要求的频率大于1MHz,则应当相应地缩小信号范围,以确保信号完整性.
ADG5208F/ADG5209F外形尺寸16981PIN1SEATINGPLANE8°0°4.
504.
404.
306.
40BSC5.
105.
004.
900.
65BSC0.
150.
051.
20MAX0.
200.
090.
750.
600.
450.
300.
19COPLANARITY0.
10COMPLIANTTOJEDECSTANDARDSMO-153-AB图51.
16引脚超薄紧缩小型封装[TSSOP](RU-16)图示尺寸单位:mm订购指南型号1温度范围封装描述封装选项ADG5208FBRUZ16引脚超薄紧缩小型封装[TSSOP]RU-16ADG5208FBRUZ-RL740°C至+125°C40°C至+125°C16引脚超薄紧缩小型封装[TSSOP]RU-16ADG5209FBRUZ40°C至+125°C16引脚超薄紧缩小型封装[TSSOP]RU-16ADG5209FBRUZ-RL740°C至+125°C16引脚超薄紧缩小型封装[TSSOP]RU-161Z=符合RoHS标准的器件.
2015AnalogDevices,Inc.
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Rev.
0|Page27of27D13035sc-0-4/15(0)