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典型应用电路EROCVDDADTRSERPG/ALTCTRLSDASCLAGNDOUTAOUTBOUTCOUTDCS1SR1SR2VFOVPSYNI/FLGIVDDDRIVERDRIVERLOADVS+DCINPUTPMBusCS2–CS2+VS–ADP1051Coupleri11443-001图1.
ADP1051用于带PMBus接口的隔离式电源数字控制器产品特性多功能数字电压模式控制器快速输入电压前馈控制6路脉冲宽度调制(PWM)逻辑输出,625ps分辨率开关频率:49kHz至625kHz频率同步–作为主机设备和从机设备多种节能模式用于优化效率的自适应死区时间补偿低设备功耗:100mW(典型值)电源的直接并联控制,无需OR-ing设备精确下垂式均流控制预偏置启动反向电流保护条件过压保护丰富的故障检测和保护兼容PMBus易于编程的图形用户界面(GUI)用于编程和数据存储的片上EEPROM采用24引脚、4mmx4mmLFCSP封装工作温度范围:40°C至+125°C应用高密度隔离式DC-DC电源中间总线变换器高可靠性并联电源系统服务器、存储器、工业、网络和通信基础设施概述ADP1051是一款带PMBusTM接口的先进数字控制器,用于高密度、高效率DC-DC功率转换.
该控制器采用电压模式控制,通过快速的输入线电压前馈改善了瞬态响应和噪声性能.
ADP1051具有6路可编程脉冲宽度调制(PWM)输出,同步整流控制技术使ADP1051适合大多数高效率的电源拓扑.
该设备具有自适应死区时间补偿功能,可提高全负载范围内效率,可编程轻负载工作模式配合设备的低功耗特性,则可降低系统待机功率损耗.
ADP1051集成多种特性,能够实现稳健的并联和冗余工作系统,从而满足高可应用性或并行连接的客户需求.
该设备提供频率同步、反向电流保护和预偏置启动功能,可在电源之间实现精确均流,并且采用有条件的过压技术,能够在并行工作模式下识别并安全关断故障电源.
ADP1051基于灵活的状态机架构,采用直观的GUI进行编程.
易于使用的接口缩短了设计周期,因此构成一个加载于内置EEPROM的稳定硬件编码系统.
小型(4mmx4mm)LFCSP封装让ADP1051成为超级紧凑、隔离式DC-DC功率模块或嵌入式电源设计的理想选择.
Tel:781.
329.
47002013AnalogDevices,Inc.
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O.
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Rev.
0Rev.
0|Page2of108目录产品特性.
1应用.
1概述.
1典型应用电路1修订历史.
3技术规格.
4绝对最大额定值.
9热阻9焊接9ESD警告.
9引脚配置和功能描述.
10典型性能参数12工作原理.
14PWM输出(OUTA、OUTB、OUTC、OUTD、SR1、SR2)15同步整流.
15PWM调制限值和180°移相.
16自适应死区补偿(ADTC)16轻载模式和深度轻载模式.
17频率同步.
17输出电压检测和校准.
19数字补偿器21闭环输入电压前馈控制和VF检测.
21开环输入电压前馈工作22开环工作.
23电流检测.
23软启动和关断.
24伏秒平衡控制.
26恒流模式.
27跳脉冲.
27预偏置启动27输出电压下降控制28VDD和VCORE.
28芯片密码.
28电源监控、标志和故障响应.
29标志29电压读数.
32电流读数.
32功率读数.
32占空比读数33开关频率读数.
33温度读数.
33温度线性化特性.
34PMBus保护命令.
34用户自定义保护命令.
36用户自定义保护响应.
39电源校准和校准.
40IIN校准(CS1校准)40IOUT校准(CS2校准)40VOUT校准(VS校准)40VIN校准(VF增益校准)41RTD和OTP校准41应用配置.
42布局布线指南43CS1引脚43CS2+和CS2引脚.
43VS+和VS引脚.
43OUTA至OUTD、SR1和SR2PWM输出.
43VDD引脚.
43VCORE引脚43RES引脚43SDA和SCL引脚.
43裸露焊盘.
43RTD引脚.
43AGND引脚.
43PMBus/I2C通信.
44PMBus特性.
44概述44PMBus/I2C地址.
44数据传输.
44广播支持.
4610位寻址.
46快速模式.
46故障条件.
46超时条件.
46数据传输故障.
46数据内容故障.
47EEPROM48EEPROM特性48ADP1051Rev.
0|Page3of108EEPROM概述48页面擦除操作.
48读取操作(字节读取和块读取)48写入操作(字节写入和块写入)49EEPROM密码49将EEPROM设置下载至内部寄存器.
50将寄存器设置保存至EEPROM.
50EEPROMCRC校验和50GUI软件.
51PMBus命令集52用户自定义扩展命令列表55PMBus命令描述.
58基本PMBus命令.
58用户自定义扩展命令描述77标志配置寄存器.
77软启动和软件复位寄存器.
79消隐和PGOOD设置寄存器.
80开关频率和同步寄存器82电流检测和限值设置寄存器.
83电压检测和限值设置寄存器.
88温度检测和保护设置寄存器.
89数字补偿器和调制设置寄存器90PWM输出时序寄存器.
93伏秒平衡控制寄存器.
95占空比读数设置寄存器96自适应死区补偿寄存器97其他寄存器设置.
100用户自定义故障标志寄存器.
104用户自定义值读数寄存器.
106外形尺寸.
108订购指南.
108修订历史2013年7月—修订版0:初始版ADP1051Rev.
0|Page4of108表1.
参数符号最小值典型值最大值单位测试条件/注释电源电源电压VDD3.
03.
33.
6V电拉电流IDD28.
533mA正常工作;PWM引脚无负载2.
2F电容连接至AGNDIDD+6mAEEPROM编程期间50100关断;VDD低于欠压闭锁阈值(UVLO)开机复位开机复位3.
0VVDD上升UVLO阈值2.
752.
852.
97VVDD下降UVLO磁滞35mVOVLO阈值3.
73.
94.
1VOVLO去抖动2VDD_OV标志去抖设置为2μs500VDD_OV标志去抖设置为500μsVCORE引脚输出电压VCORE2.
452.
62.
75V330nF电容连接至AGND振荡器和PLLPLL频率190200210MHzRES输入=10kΩ(±0.
1%)数字PWM分辨率625psOUTA、OUTB、OUTC、OUTD、SR1、SR2引脚输出低电压VOL0.
4VIOH=+10mA输出高电压VOHVDD0.
4VIOL=10mA上升时间tR3.
5nsCLOAD=50pF下降时间tF1.
5nsCLOAD=50pF输出拉电流IOL10mA输出灌电流IOH10mA同步信号输出(SYNO)正脉冲宽度600640680nsOUTC或OUTD编程为SYNOVS+、VS电压检测引脚输入电压范围VIN011.
6V从VS+到VS的差分电压漏电流1.
0VS精确ADC有效输入电压范围01.
6VADC时钟频率1.
56MHz寄存器更新速率10ms测量分辨率12位测量精度工厂校准至1.
0V5+5%FSR0%至100%的输入电压范围80+80mV2+2%FSR10%至90%的输入电压范围32+32mV1.
0+1.
0%FSR900mV至1.
1V16+16mV温度系数70ppm/°C从VS到AGND的电压差200+200mVVS高速ADC等效采样频率fSAMPfSWkHz等效分辨率6位fSW=390.
5kHz动态范围±25mV调节电压=0mV至1.
6V技术规格除非另有说明,VDD=3.
0V至3.
6V,TA=40°C至+125°C.
FSR=满量程范围.
ADP1051Rev.
0|Page5of108VSUVP数字比较器触发VOUT_UV_FAULT标志阈值精度2+2%FSR10%至90%的输入电压范围比较器更新速度82sOVP引脚触发VOUT_OV_FAULT标志漏电流1.
0AOVP比较器电压范围0.
751.
5V从OVP到VS的差分电压阈值精度1.
61+1.
6%电压范围:0.
75V至1.
5V传输延时6185ns不包括去抖时间VF电压检测引脚输入电压范围VIN011.
6V从VF到AGND的电压漏电流1.
0A通用ADC有效输入电压范围01.
6VADC时钟频率1.
56MHz寄存器更新速率1.
31ms测量分辨率11位测量精度2+2%FSR10%至90%的输入电压范围32+32mV5+5%FSR0%至100%的输入电压范围80+80mVVFUVP数字比较器触发VIN_LOWorVIN_UV_FAULT标志阈值精度基于VF通用ADC参数值比较器更新速度1.
31ms前馈ADC输入电压范围VIN0.
511.
6V分辨率11位采样周期10CS1电流检测引脚输入电压范围VIN011.
6V从CS1到AGND的电压拉电流1.
20.
35ACS1ADC有效输入电压范围01.
6VADC时钟频率1.
56MHz寄存器更新速率10ms测量分辨率12位测量精度2+2%FSR10%至90%的输入电压范围32+32mV5+5%FSR0%至100%的输入电压范围80+80mVCS1OCP比较器触发内部CS1_OCP标志基准精度1.
1851.
21.
215V设置为1.
2V时0.
2350.
250.
265V设置为0.
25V时ADP1051传输延时65105ns不包括去抖/消隐时间CS31测量和数字比较器触发CS3_OC_FAULT标志寄存器更新速率10ms比较器速度10ms参数符号最小值典型值最大值单位测试条件/注释Rev.
0|Page6of108CS2+、CS2电流检测引脚输入电压范围VIN0120mVCS2+至CS2的差分电压CS2+和CS2的共模电压0.
81.
151.
4V实现CS2测量精度灌电流(高端)1.
871.
9151.
96mA拉电流(低端)195225255温度系数95ppm/°CCS2ADC有效输入电压范围0120mVADC时钟频率1.
56MHz测量分辨率12位低端模式电流测量检测精度4.
99kΩ(0.
01%)电平转换电阻1.
9+1.
9%FSR从0mV到110mV2.
28+2.
28mV6.
1+1.
4%FSR从110mV到120mV7.
32+1.
68mV高端模式电流测量检测精度加载CS2高端工厂校准值;4.
99kΩ(0.
01%)电平转换电阻;VOUT=11V1.
6+2.
3%FSR从0mV到110mV1.
92+2.
76mV5.
3+0.
7%FSR从110mV到120mV6.
36+0.
84mVCS2OCP数字比较器触发IOUT_OC_FAULT标志阈值精度同CS2ADC低端和高端模式电流测量检测精度值比较器更新速度82s设为7位均值速度时328s设为9位均值速度时CS2反向电流比较器触发SR_RC_FAULT标志阈值精度8.
53+3mVSR_RC_FAULT_LIMIT设置为3mV11.
560mVSR_RC_FAULT_LIMIT设置为6mV1493mVSR_RC_FAULT_LIMIT设置为9mV17126mVSR_RC_FAULT_LIMIT设置为12mV21159mVSR_RC_FAULT_LIMIT设置为15241812mVSR_RC_FAULT_LIMIT设置为18mV272115mVSR_RC_FAULT_LIMIT设置为21mV302418mVSR_RC_FAULT_LIMIT设置为24mV传输延时110150ns去抖时间=40nsRTD温度检测引脚输入电压范围VIN01.
6V从RTD到AGND的电压拉电流44.
64647.
3寄存器0xFE2D=0xE638.
64042寄存器0xFE2D=0xB028.
63031.
8寄存器0xFE2D=0x8018.
62021.
6寄存器0xFE2D=0x409.
11011寄存器0xFE2D=0x00RTDADC有效输入电压范围01.
6VADC时钟频率1.
56MHz寄存器更新速率10ms测量分辨率12位参数符号最小值典型值最大值单位测试条件/注释ADP1051Rev.
0|Page7of108测量精度0.
3+0.
45%FSR2%至20%的输入电压范围4.
8+7.
2mV2+2%FSR0%至100%的输入电压范围80+80mVOTP数字比较器触发OT_FAULT标志阈值精度0.
9+0.
25%FSRT=85°C(100kΩ||16.
5kΩ)14.
4+4mV0.
5+1.
1%FSRT=100°C(100kΩ||16.
5kΩ)8+17.
6mV比较器更新速度10ms根据内部线性化处理的温度读数拉电流设置为46A(寄存器0xFE2D=0xE6);NTCR25=100kΩ(1%);β=4250(1%);REXT=16.
5kΩ(1%)7°C25°C至100°C5°C100°C至125°CPG/ALT(开漏)引脚输出低电平VOL0.
4V灌电流=10mACTRL引脚输入低电平VIL0.
4V输入高电平VIHVDD0.
8V漏电流1.
0ASYNI/FLGI引脚输入低电平VIL0.
4V输入高电平VIHVDD0.
8V内部时钟周期的同步范围%tSYNC90110%SYNI正脉冲宽度360ns外部时钟施加于SYNI引脚SYNI负脉冲宽度360ns外部时钟施加于SYNI引脚SYNI周期漂移280ns两个连续外部时钟之间的周期漂移漏电流1.
0ASDA、SCL引脚输入低电压VIL0.
8V输入高电压VIHVDD0.
8V输出低电压VOL0.
4V灌电流=3mA漏电流5+5A串行总线时序参见图2时钟工作频率10100400kHz干扰抑制50ns总线空闲时间tBUF1.
3s介于停止条件与起始条件之间起始条件建立时间tSU;STA0.
6s重复起始条件的建立时间起始条件保持时间tHD;STA0.
6s(重复)起始条件之后的保持时间;此周期结束后产生第一个时钟停止条件建立时间tSU;STO0.
6sSDA建立时间tSU;DAT100nsSDA保持时间tHD;DAT125ns用于回读300ns用于写入SCL低电平超时tTIMEOUT2535msSCL低电平时间tLOW0.
6sSCL高电平时间tHIGH0.
6sSCL低电平延长时间tLOW;SEXT25msSCL、SDA上升时间tR20300nsSCL、SDA下降时间tF20300ns参数符号最小值典型值最大值单位测试条件/注释ADP1051Rev.
0|Page8of108EEPROMEEPROM更新时间40ms从更新命令到EEPROM更新完成的时间可靠性耐久性210,000周期TJ=85°C1000周期TJ=125°C数据保持320年TJ=85°C15年TJ=125°C时序图SCLSDAPStBUFtHD;STAtHD;DATtHIGHtSU;DATtHD;STAtSU;STAtSU;STOtLOWtRtFSP11443-002图2.
串行总线时序图ADP1051参数符号最小值典型值最大值单位测试条件/注释1CS3是由CS1读数(代表输入电流)、占空比和主变压器匝数比计算的备选输出电流读数.
2耐久性是分别在40°C、+25°C、+85°C和+125°C时依据JEDEC22标准方法A117来认定的.
3对应结温环境下的等效寿命是根据JEDEC22标准的方法A117.
Rev.
0|Page9of108绝对最大额定值表2.
参数额定值电源电压(连续)VDD4.
2V数字引脚(OUTA、OUTB、OUTC、OUTD、VS至AGNDSR1、SR2、PG/ALT、SDA、SCL)CS2+、CS20.
3V至VDD+0.
3VVS、VS+、VF、OVP、RTD、ADD、CS1、0.
3V至+0.
3VSYNI/FLGI、CTRL0.
3V至VDD+0.
3V0.
3V至VDD+0.
3V工作温度范围(TA)40°C至+125°C存储温度范围65°C至+150°C结温150°C回流焊峰值温度锡铅体系(10s至30s)240°CRoHS体系(20s至40s)260°CESD充电设备模型1.
25kVESD人体模型5.
0kV表3.
热阻封装类型θJAθJC单位24引脚LFCSP36.
261.
51°C/WESD警告ESD(静电放电)敏感器件.
带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放电.
尽管本产品具有专利或专有保护电路,但在遇到高能量ESD时,器件可能会损坏.
因此,应当采取适当的ESD防范措施,以避免器件性能下降或功能丧失.
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致设备永久性损坏.
这只是额定最值,并不能以这些条件或者在任何其它超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下,推断设备能否正常工作.
长期在绝对最大额定值条件下工作会影响设备的可靠性.
焊接设计ADP1051的印刷电路板(PCB)尺寸封装以及将设备焊接到PCB时,请务必遵循正确的规范.
有关这些规范的详情,请参阅应用笔记AN-772"引脚架构芯片级封装(LFCSP)设计与制造指南".
热阻θJA针对最差条件,即焊接在电路板上的设备为表贴封装.
ADP1051Rev.
0|Page10of108引脚配置和功能描述213456181716151413CS1VFCS2+CS2–VS+VS–SYNI/FLGISCLSDACTRLPG/ALTVCORENOTES1.
FORINCREASEDRELIABILITYOFTHESOLDERJOINTSANDMAXIMUMTHERMALCAPABILITY,ITISRECOMMENDEDTHATTHEEXPOSEDPADBESOLDEREDTOTHEPCBAGNDPLANE.
89011172RSUOATBTUOCTUO21DTUO1RS029112DNGADDVSER22DDA32DTR42VOPADP1051TOPVIEW11443-003图3.
引脚配置表4.
引脚功能描述引脚编号引脚名称说明1VS2VS+电压检测的同相输入端.
此信号参考VS.
为了进行校准,建议此输入端的电阻分压器容差规格≤0.
5%.
3CS24CS2+5VF6CS17SR1PWM逻辑输出驱动.
不用时可禁用该引脚.
此信号参考AGND.
8SR2PWM逻辑输出驱动.
不用时可禁用该引脚.
此信号参考AGND.
9OUTAPWM逻辑输出驱动.
不用时可禁用该引脚.
此信号参考AGND.
10OUTBPWM逻辑输出驱动.
不用时可禁用该引脚.
此信号参考AGND.
11OUTCPWM逻辑输出驱动.
不用时可禁用该引脚.
此信号参考AGND.
此引脚也可编程为同步信号输出(SYNO).
12OUTDPWM逻辑输出驱动.
不用时可禁用该引脚.
此信号参考AGND.
此引脚也可编程为同步信号输出(SYNO).
13SYNI/FLGI同步信号输入(SYNI)/外部信号输入,产生标志条件(FLGI).
若不使用,请将此引脚连接到AGND.
14SCLI2C/PMBus串行时钟输入和输出(漏级开路).
此信号参考AGND.
15SDAI2C/PMBus串行数据输入和输出(漏级开路).
此信号参考AGND.
16CTRLPMBus控制信号.
建议在CTRL引脚和AGND之间连接一个1nF电容,以实现噪声去抖和去耦.
此信号参考AGND.
原边电流检测输入.
此引脚连接原边电流检测ADC和逐周期电流限值比较器.
此信号参考AGND.
此输入的电阻容差规格必须≤0.
5%,以便校准.
若不使用,请将此引脚连接到AGND.
此引脚可实现三种可选功能:前馈、原边输入电压检测和输入电压UVLO保护.
此引脚通过一个电阻分压器网络连接到输出电感的前端.
此引脚的额定电压应为1V.
此信号参考AGND.
差分电流检测同相输入端.
为实现最佳操作,应使用1.
12V的额定电压.
当使用低端电流检测时,可在检测电阻和此引脚之间放置一个4.
99kΩ电平转换电阻.
在12V应用中使用高端电流检测时,可在检测电阻和此引脚之间放置一个5.
62kΩ电阻.
当使用高端电流检测时,应用公式R=(VOUT1.
12V)/1.
915mA.
必须使用0.
1%电阻连接到该电路.
若不使用该引脚,则将其连接至AGND并将CS2电流检测设为高端电流检测模式(寄存器0xFE19[7]=1).
差分电流检测反相输入端.
为实现最佳操作,应使用1.
12V的额定电压.
当使用低端电流检测时,可在检测电阻和此引脚之间放置一个4.
99kΩ电平转换电阻.
在12V应用中使用高端电流检测时,可在检测电阻和此引脚之间放置一个5.
62kΩ电阻.
当使用高端电流检测时,应用公式R=(VOUT1.
12V)/1.
915mA.
必须使用0.
1%电阻连接到该电路.
若不使用该引脚,则将其连接至AGND并将CS2电流检测设为高端电流检测模式(寄存器0xFE19[7]=1).
电压检测的反相输入端.
这是供电轨接地线路连接.
提供一个到AGND的低阻抗连接.
为了进行校准,建议此输入端的电阻分压器容差规格≤0.
5%.
ADP1051Rev.
0|Page11of108引脚编号引脚名称说明17PG/ALT18VCORE19VDD20AGND21RES22ADD地址选择输入.
此引脚用于编程I2C/PMBus地址.
ADD和AGND之间连接一个电阻.
此信号参考AGND.
23RTD24OVP过压保护.
该信号用作冗余过压保护.
此信号参考VS.
EP2.
6V调节器的输出.
在此引脚与AGND之间连接一个至少为330nF的去耦电容;该电容应尽可能靠近ADP1051,以最大程度缩短PCB走线长度.
建议不以此引脚为基准或使用阻性分压器产生其他逻辑电平.
PowerGood输出(漏级开路).
通过上拉电阻(通常为2.
2kΩ)将此引脚连接至VDD.
此信号参考AGND.
此引脚也用作SMBusALERT信号.
(有关SMBus规范的信息,请参阅"PMBus特性"部分.
)裸露焊盘.
ADP1051封装底部有一个裸露焊盘.
为提高焊接接头的可靠性并实现最大散热效果,建议将裸露焊盘焊接到PCB的AGND层.
热敏电阻输入.
将一个热敏电阻(R25=100kΩ(1%)、β=4250(1%))与一个16.
5kΩ(1%)电阻和一个1nF滤波电容并联连接.
此引脚参考AGND.
若不使用,请将此引脚连接到AGND.
电阻输入.
此引脚设置内部PLL频率的内部参考.
在此引脚和AGND之间连接一个10kΩ电阻(±0.
1%).
此信号参考AGND.
通用模拟地.
内部模拟电路地和数字电路地通过焊线星型连接到此引脚.
正电源输入.
3.
0V至3.
6V的电压.
此信号参考AGND.
在此引脚与AGND之间连接一个2.
2F去耦电容;该电容应尽可能靠近ADP1051,以最大程度缩短PCB走线长度.
ADP1051Rev.
0|Page12of108典型性能参数VSADCACCURACY(%FSR)–60–40–2002040TEMPERATURE(°C)6080100120140MAXSPECMINSPECMAXMEANMIN11443-0072.
52.
01.
50.
5–0.
51.
00–1.
0–1.
5–2.
0–2.
5图4.
VSADC精度与温度的关系(从FSR的10%至90%)VFADCACCURACY(%FSR)–60–40–2002040TEMPERATURE(°C)6080100120140MAXSPECMINSPECMAXMEANMIN11443-0082.
52.
01.
50.
5–0.
51.
00–1.
0–1.
5–2.
0–2.
5图5.
VFADC精度与温度的关系(从FSR的10%至90%)CS1ADCACCURACY(%FSR)–60–40–2002040TEMPERATURE(°C)6080100120140MAXSPECMINSPECMAXMEANMIN11443-0092.
52.
01.
50.
5–0.
51.
00–1.
0–1.
5–2.
0–2.
5图6.
CS1ADC精度与温度的关系(从FSR的10%至90%)CS2ADCACCURACY(%FSR)–60–40–2002040TEMPERATURE(°C)6080100120140MAXSPECMINSPECMIN11443-0102.
52.
01.
50.
5–0.
51.
00–1.
0–1.
5–2.
0–2.
5MEANMAX图7.
CS2ADC精度与温度的关系(从0mV至120mV)ADP1051RTDADCACCURACY(%FSR)–60–40–2002040TEMPERATURE(°C)6080100120140MAXSPECMINSPECMAXMIN11443-0112.
52.
01.
50.
5–0.
51.
00–1.
0–1.
5–2.
0–2.
5MEAN图8.
RTDADC精度与温度的关系(从FSR的10%至90%)Rev.
0|Page13of1081.
231.
22CS1COMPARATORREFERENCE(V)1.
211.
201.
191.
181.
17–60–40–2002040TEMPERATURE(°C)6080100120140MAXSPECMINSPECMAXMIN11443-012MEAN图9.
CS1OCP比较器基准与温度的关系(1.
2V基准电压)ADP10510.
280CS1COMPARATORREFERENCE(V)0.
2650.
2500.
2350.
220–60–40–2002040TEMPERATURE(°C)6080100120140MAXSPECMINSPECMAXMIN11443-113MEAN图10.
CS1OCP比较器基准与温度的关系(0.
25V基准电压)Rev.
0|Page14of108RTDSDASCLSYNI/FLGISR2SR1OUTDOUTCADDVCOREAGNDRESPWMENGINEADCOSCDIGITALCOREVREFPMBUS8kBEEPROMVS–VS+OVPCS1OUTAADCOUTBVFCS2–CS2+CTRLVDDUVLOLDO0.
25V1.
2VDACADCADCADC11443-013PG/ALT图11.
功能框图ADP1051工作原理ADP1051是一款灵活、易用的数字电源控制器.
ADP1051集成了电源控制所需的典型功能,如:输出电压检测和反馈电压前馈控制数字环路滤波器补偿PWM生成电流、电压和温度检测一般管理和I2C/PMBus接口校准和校准控制输出电压的主要功能通过使用反馈ADC、数字环路滤波器和数字PWM引擎来实现的.
反馈ADC采用已获专利的多路径架构,http://www.
analog.
com/ADP1046A包括一个高速低分辨率(快速低精度)ADC和一个低速高分辨率(慢速高精度)ADC.
ADC输出合并形成高速、高分辨率反馈路径.
环路补偿利用数字滤波器实现.
该比例-积分-微分(PID)补偿器位于数字域中,可实现滤波器特性的简易编程,这在定制设计和设计调试中有很大帮助.
PWM引擎产生最多6路可编程PWM输出,用于控制原边FET驱动器和同步整流FET驱动器.
这种编程特性使许多通用和特殊的开关电源拓扑得以实现.
该设备具有传统的电源管理特性,如输入电压检测、输出电压检测、原边和副边电流检测.
设备提供丰富的保护功能,包括过压保护(OVP)、过流保护(OCP)、过温保护(OTP)、欠压保护(UVP)和SR反向电流保护(RCP).
所有功能均可通过I2C/PMBus数字总线接口编程.
此接口还用于校准.
通过该数字总线接口,还可提供其它信息,如输入电流、输出电流和故障标志.
内部EEPROM能存储所有编程值,支持在没有微控制器的情况下实行独立控制.
免费提供可供下载的GUI,它包含所有对ADP1051进行编程所需的软件.
欲获取最新的GUI软件和用户指南,请访问:http://www.
analog.
com/digitalpower.
ADP1051采用3.
3V单电源供电,额定温度范围为40°C至+125°C.
Rev.
0|Page15of108ISOLATORDRIVEROUTAOUTBOUTCOUTDSR1SR2VINQAQDQCQBQSR2QSR111443-014DRIVER图12.
采用同步整流的零电压切换全桥拓扑的PWM分配11443-116图13.
采用同步整流的零电压切换全桥拓扑的PWM设置,使用ADP1051GUIADP1051PWM输出(OUTA、OUTB、OUTC、OUTD、SR1、SR2)PWM输出用于控制原边驱动器和同步整流器驱动器.
它们可用于多种拓扑,如硬开关全桥、零电压开关全桥、移相全桥、半桥、推挽、双开关正激、有源箝位正激、交错降压等.
上升沿和下降沿之间的延迟可单独编程.
在设置PWM时应特别小心,避免直通和交叉共通.
建议使用ADP1051GUI软件对这些输出进行编程.
图12显示采用同步整流驱动零电压切换全桥拓扑的示例配置.
QA、QB、QC、QD、QSR1和QSR2开关由PWM输出(OUTA、OUTB、OUTC、OUTD、SR1和SR2)分别驱动.
图13显示图12所示电源级的PWM设置示例.
PWM和SRx输出相互之间完全同步.
因此,重新编程多个输出时,应当首先更新所有寄存器,然后将信息一次性锁存到阴影寄存器.
重新编程时,输出暂时禁用.
为确保新PWM时序和开关频率设置同时编程,应通过设置寄存器0xFE61[2:1](GO命令),将一个特殊指令发送到ADP1051.
不使用PWM输出时,建议通过寄存器0xFE53[5:0]将其禁用.
有关PWM时序的更多信息,请参见"PWM输出时序寄存器"部分.
同步整流使用同步整流时,建议将SR1和SR2用作PWM控制信号.
这些PWM信号可配置为更接近于其它PWM输出.
可在同步整流器(SR)PWM输出端施加可选软启动控制.
SR软启动可通过寄存器0xFE08[4:0]编程.
SR软启动禁用时(寄存器0xFE08[1:0]=00),SR信号使能时的占空比即等于其PWM的调制值.
SR软启动使能时(寄存器0xFE08[1:0]=11),SR1和SR2上升沿按照寄存器0xFE08[3:2]设置的步进,从tRx+tMODU_LIMIT位置左移到tRx+tMODULATION位置.
tRx代表SR1的上升沿时序(tR5)和SR2的上升沿时序(tR6)(参见图68);tMODU_LIMIT代表寄存器0xFE3C定义的调制限值(参见图67);tMODULATION代表实时调制值.
即使SR1和SR2未被编程为需要调制,SR软启动仍可应用.
SR软启动使能时,SR1和SR2上升沿按照寄存器0xFE08[3:2]设置的步进,从tRx+tMODU_LIMIT位置左移到tRx位置.
Rev.
0|Page16of108tRXtFXtRYtFYt0tSOUTXOUTYtMODU_LIMITtMODU_LIMIT3tS/2tS/211443-015图14.
设置调制限值11443-118LOADDCINPUTDRIVERDRIVEROUTAOUTBOUTCOUTD图15.
ADP1051控制的双相交错降压变换器SR软启动的优势在于它能最大程度地降低无软启动情况下SRFET开机时的输出电压跌落.
SRx信号立即完全开机的好处是,它们有助于尽量降低负载跳变造成的瞬态电压.
使用寄存器0xFE08[4],SR软启动可编程为仅发生一次(即第一次使能SRx信号的时候),或编程为每次SRx信号使能时都发生(比如系统进入或退出深度轻载模式).
当编程ADP1051使其使用SR软启动时,应将SR1下降沿(tF5)设为比SR1上升沿(tR5)更低的值,并将SR2下降沿(tF6)设为比SR2上升沿(tR6)更低的值,以确保该功能正常工作.
在SR软启动期间,SRx的上升沿从右侧(tRx+tMODU_LIMIT位置)逐渐移动到左侧以提高占空比.
ADP1051非常适合用于隔离式拓扑中的DC-DC变换器.
由于隔离设备的存在,每次PWM信号越过隔离栅,便会增加传输延时.
使用寄存器0xFE3A[5:0],可以设置一个可调延时(0ns到315ns,步长为5ns),使SR1和SR2均延迟一定的时间,以便补偿增加的传输延时.
这样,所有PWM边沿都可以对齐(参见图68).
PWM调制限值和180°移相调制限值寄存器(寄存器0xFE3C)可编程为向任意PWM信号施加最大调制限值,由此限制任意PWM输出的调制范围.
使能调制时,最大调制限值统一应用于所有PWM输出.
此限值(tMODU_LIMIT)是默认时序调制边沿的最大时间变化量,遵循配置的调制方向(参见图14).
不存在最小占空比限值设置.
因此,用户必须基于最小调制设定上升沿和下降沿.
寄存器0xFE3C中的每个LSB均对应不同的时间步长,数值取决于开关频率(见表152).
如果ADP1051用于控制双端拓扑(如全桥、半桥或推挽),则应利用寄存器0xFE13[6]使能双端拓扑模式.
这种情况下,每个半周期中的调制限值是寄存器0xFE3C编程的调制值的一半.
自适应死区补偿(ADTC)ADTC寄存器(寄存器0xFE5A至寄存器0xFE60和寄存器0xFE66)允许即时校准PWM边沿之间的死区时间.
ADP1051仅在CS1电流值(代表输入电流)低于ADTC阈值(由寄存器0xFE5A设置)时使用ADTC功能.
用户可以使用ADP1051GUI轻松设置死区值,建议将GUI用于此操作.
配置ADTC之前,必须设置其阈值.
每个PWM上升和下降沿(tRx和tFx)均可编程(寄存器0xFE5B至寄存器0xFE60)为具有特定死区偏移(CS1电流为0A时).
此偏移可以是正值或负值,相对于额定边沿位置而言.
当CS1电流位于0A和ADTC阈值之间时,死区时间量以5ns的步长线性校准.
ADP1051调制边沿不能超出一个开关周期.
要扩展某些应用的调制范围,可以利用寄存器0xFE3B[5:0]使能180°移相.
180°移相禁用时,上升沿时间和下降沿时间参考开关周期的起始时间(参见图14中的tRx和tFx).
180°移相使能时,上升沿时间和下降沿时间参考开关周期的一半(参见图14中的tRY和tFY,二者参考tS/2).
因此,当禁用180°移相时,边沿始终位于t0和tS之间.
当使能180°移相时,边沿位于tS/2和3tS/2之间.
180°移相功能可用来扩展多相交错变换器的最大占空比.
图15显示一个双相交错降压变换器.
相对于OUTA和OUTBPWM输出,OUTC和OUTDPWM输出可以编程为180°移相.
切相功能可用于改善轻载效率.
更多信息参见"轻载模式和深度轻载模式"部分.
建议使用ADP1051GUI来评估此特性.
Rev.
0|Page17of108NORMALMODELIGHTLOADMODEDEEPLIGHTLOADMODEOUTA,OUTDOUTB,OUTCSR1,I_SR1SR2,I_SR2Vp_T,Ip_TOUTA,OUTDOUTB,OUTCSR1,I_SR1SR2,I_SR1Vp_T,Ip_TOUTA,OUTDOUTB,OUTCSR1,I_SR1SR2,I_SR2Vp_T,Ip_T11443-016图16.
轻载模式和深度轻载模式CS1电流的均值周期和死区校准的速度也可在寄存器0xFE66中编程,以便适应更快或更慢的校准.
例如,如果ADTC阈值设置为0.
8A,则tR1的额定上升沿为100ns.
如果在CS1电流为0A时,tR1的ADTC偏移设置为100ns,则当CS1电流为0A时,tR1移动到200ns;当CS1电流为0.
4A时,tR1移动到150ns.
同样,ADTC也可在负方向上应用.
轻载模式和深度轻载模式为提高全负载范围内的效率,根据所设置的CS2电流阈值,ADP1051可以配置下列三种工作模式:正常模式.
在正常模式下,SRPWM输出与主PWM输出互补.
轻载模式.
SRPWM输出仍然工作,但与主PWM同相.
深度轻载模式.
所有PWM输出均可禁用.
图16给出了硬切换全桥变换器的工作时序.
当CS2电流(输出电流)降至寄存器0xFE19[3:0]设置的轻载模式阈值以下时,SR1和SR2PWM信号从互补模式(正常模式)切换到同相模式(轻载模式),如图16所示.
要实现轻载模式的正常工作,注意以下事项:在具有图12所示功率级的硬开关全桥拓扑中,如果QA至QD分别由OUTA至OUTD驱动,则在正常模式下,应将SR1输出设置为与OUTB和OUTC互补,将SR2输出设置为与OUTA和OUTD互补,如图16所示.
这种情况下,OUTA至OUTD输出均被调制.
在具有图12所示功率级和图13所示PWM设置的零电压开关全桥拓扑中,正常模式下,SR1与OUTC互补,SR2与OUTA互补.
轻载模式下,SR1与OUTA同相,SR2与OUTC同相.
如果使用硬切换全桥、半桥和推挽拓扑,且主开关仅受OUTA和OUTB控制,则在正常模式下,SR1与OUTB互补,SR2与OUTA互补.
在轻载模式下,SR1与OUTA同相,SR2与OUTB同相.
当CS2电流降至寄存器0xFE1B[3:0]设置的深度轻载模式阈值以下时,所有PWM通道均可通过寄存器0xFE1C[5:0]禁用.
这种情况下,ADP1051可用于交错式拓扑中,在轻载模式下可使用自动切相功能.
在轻载和深度轻载两种模式下,阈值的CS2均值速度可以频率同步ADP1051的频率同步功能包括作为从设备的同步输入(SYNI)和作为主设备的同步输出(SYNO,使用OUTC或OUTD引脚).
作为从设备同步ADP1051可以编程为使用SYNI/FLGI引脚信号作为参考,使内部编程的PWM时钟与一个外部时钟同步.
频率捕捉范围要求是,施加于SYNI引脚的外部时钟周期必须在内部编程的PWM时钟周期的90%到110%范围内.
SYNI信号的最小脉冲宽度为360ns.
从SYNI信号的上升沿到内部时钟周期的开始有760ns的传输延时.
通过寄存器0xFE11可以设置更多延迟时间,以便利用不同的控制器实现交错控制.
利用寄存器0xFE1E[5:4],按照四个离散步长在41μs到328μs范围内设置.
磁滞可以通过寄存器0xFE1E[3:2]设置.
轻载模式和深度轻载模式下去掉使用轻载模式数字补偿器.
ADP1051Rev.
0|Page18of10811443-018UNITOFFUNITONUNITONTIMEEXTERNALCLOCKFREQUENCYOPERATINGSWITCHINGFREQUENCYINTERNALCLOCKFREQUENCYt1t2t4t3fSW110%fSW_INT114%fSW_INTfSW_INT90%fSW_INT89%fSW_INT图17.
同步工作ADP1051为实现异步操作与同步操作之间的平滑过渡,寄存器0xFE12[6]中有一个针对同步的相位捕捉范围位,用于捕捉外部时钟信号的相位.
同步使能时,ADP1051检测外部时钟信号与内部时钟信号之间的移相.
当移相落在相位捕捉范围内时,同步开始.
ADP1051与外部时钟频率同步的方式如下:1.
同步功能由寄存器0xFE12[3]和寄存器0xFE12[0]使能,ADP1051开始检测施加于SYNI/FLGI引脚的外部时钟信号的周期.
2.
如果外部时钟的最近64个连续周期的所有时钟周期均落在内部开关时钟周期的90%到110%范围内,则ADP1051将使用当前的最新周期作为同步参考,并确定外部时钟的周期.
此间隔为t2或t4,如图17所示.
否则,ADP1051将放弃该周期,寻找下一个周期(频率捕捉模式).
3.
确定外部时钟周期后,ADP1051检测外部时钟(加上寄存器0xFE11设置的延迟时间)与内部PWM信号之间的移相.
如果移相在相位捕捉范围内,内部和外部时钟就会同步(相位捕捉模式).
4.
此时,PWM时钟与外部时钟同步.
逐周期同步开始.
5.
如果外部时钟信号在任何时候丢失,或者该周期超过最小限值(内部编程频率的89%)或最大限值(内部编程频率的114%),ADP1051将把最后有效的外部时钟信号作为同步参考源.
与此同时,它还检测同步参考与内部时钟之间的移相.
当移相落在相位捕捉范围内时,PWM时钟返回到内部振荡器设置的内部时钟.
此间隔为t1或t3,如图17所示.
这是第一个同步解锁条件,称为同步解锁模式1,其中开关频率超出范围(范围是内部编程频率的89%至大约114%).
如果外部SYNI信号的周期发生显著变化(例如相连周期的时间差超过280ns),ADP1051将把最后有效的外部时钟信号作为同步参考源.
与此同时,它还检测同步参考与内部时钟之间的移相.
当移相落在相位捕捉范围内时,PWM时钟返回到内部振荡器设置的内部时钟.
这是第二个同步解锁条件,称为同步解锁模式2,其中移相超过280ns.
图17给出了同步工作图.
内部频率fSW_INT为ADP1051的内部自由振荡频率.
同步锁定前,ADP1051以fSW_INT运行.
外部频率fSW_EXT是ADP1051需要同步的外部时钟频率.
同步锁定后,ADP1051以fSW_EXT运行.
ADP1051不允许开关频率越过97.
5kHz、195.
5kHz或390.
5kHz的边界.
确保外部时钟不越过这些边界.
否则,内部开关频率无法在这些边界的±10%范围内设置.
Rev.
0|Page19of108SYNI/FLGISYNIDELAYTIMESETTINGREG0xFE11±3.
125%±6.
25%SYNCOPERATIONASSLAVEDEVICE0sDEBOUNCE100sDEBOUNCEFLAGINFLAGRESPONSEREG0xFE03[3:0]SYNIMODEFLGIMODESYNIENABLEREG0xFE12[3]OUTCOUTDOUTCINSYNOMODEOUTDINSYNOMODEDEBOUNCETIMEREG0xFE12[1]SYNOENABLEREG0xFE12[5:4]POLARITYREG0xFE12[2]PHASECAPTURERANGESELECTIONREG0xFE12[6]SYNI/FLGISELECTIONREG0xFE12[0]320nsDEBOUNCE11443-017图18.
同步配置ADP105111443-019图19.
同步期间的边沿校准参考为确保同步之前和之后的死区时间保持不变,寄存器0xFE6D至寄存器0xFE6F可以设置边沿校准参考tS/2或tS.
例如,OUTA下降沿(tF1)参考*tS位置,意味着tF1与*tS的时间差在同步过渡期间是一个常数.
图19显示了一个全桥拓扑中的边沿校准参考设置示例.
作为主设备同步寄存器0xFE12[5:4]可用来设置同步输出(SYNO)功能,其中OUTC引脚(引脚11)或OUTD引脚(引脚12)产生同步参考时钟输出.
位4置1时,OUTC产生一个640ns脉宽时钟信号,代表内部开关频率.
位5置1时,OUTD产生一个640ns脉宽时钟信号,同样代表内部开关频率.
为了补偿ADP1051同步方案中的传输延时,同步输出信号在内部切换周期开始前有760ns的前置时间.
施加VDD后,同步输出信号始终可用.
VDD_OV故障是唯一暂停同步输出信号的故障状况.
输出电压检测和校准输出电压检测和校准功能用于对远程输出电压进行控制、监测和欠压保护.
VS(引脚1)和VS+(引脚2)是全差分输入.
电压检测点可用数字方式校准,以去除外部元件引起的任何误差.
此校准可在生产环境下进行,且设置可保存在ADP1051的EEPROM中(更多信息参见"电源校准和校准"部分).
对于电压监控,READ_VOUT输出电压命令(寄存器0x8B)每10ms更新一次.
ADP1051将每个ADC样本存储10ms,然后在10ms周期结束时计算平均值.
因此,若寄存器0x8B至少每10ms读取一次,则将获得真正的平均值.
电压信息可通过I2C/PMBus接口获取.
ADP1051的控制环路采用已获专利的多路径架构.
输出电压通过两个ADC同时进行转换:一个高精度ADC和一个高速ADC.
完整的信号在数字补偿器中重建并处理,以提供高性能和成本具有竞争力的解决方案.
Rev.
0|Page20of108VOUT_SCALE_LOOP=R2/(R1+R2)VOUT_SCALE_LOOP=1k/(11k+1k)=0.
08333ADP1051LOADDIGITALCOMPENSATORVS+VS–R1R2VOLTAGESENSEREGISTERSHIGHSPEEDADCVOUT_UV_FAULTFLAGVOUT_UV_FAULT_LIMITACCURATEADC11443-020图20.
电压检测配置MAGNITUDEFREQUENCYNYQUISTADCNOISEΣ-ΔADCNOISE11443-021图21.
ADC噪声性能ln(1.
56MHz/带宽)/ln(2)=N位例如,带宽为95Hz时,等效分辨率/噪声为:ln(1.
56MHz/95Hz)/ln(2)=14位带宽为1.
5kHz时,等效分辨率/噪声为:ln(1.
56MHz/1.
5kHz)/ln(2)=10位表5.
选定开关频率下高频ADC的等效分辨率fSW(kHz)高频ADC分辨率(位)49至87997.
5至1848195.
5至3797390.
5至6256电压反馈检测(VS+、VS引脚)电源轨上的VS检测点需要一个外部电阻分压器(图20中的R1和R2),以便使VS+和VS引脚之间的额定差模信号变为1V(见图20).
使用外部电阻分压器是有必要的,因为ADP1051的VSADC输入范围是0V至1.
6V.
当R1和R2已知时,VOUT_SCALE_LOOP参数可通过下式计算:在一个电阻分压器为11kΩ和1kΩ的12V系统中,VOUT_SCALE_LOOP可计算如下:电压检测ADCADP1051的反馈环路中使用了两种Σ-Δ型ADC:低频(LF)ADC,工作频率为1.
56MHz高频(HF)ADC,工作频率为25MHzΣ-Δ型ADC的分辨率为1位,且与传统Flash型ADC的工作方式不同.
能够达到的等效分辨率取决于Σ-Δ型ADC的输出位流滤波时间.
Σ-Δ型ADC与奈奎斯特速率ADC也有差别,因为其整个频谱内的量化噪声不是固定的.
频率较低时,噪声降低.
频率较高时,噪声提高(见图21).
低频ADC的工作频率约为1.
56MHz.
对于特定的带宽,等效分辨率可计算如下:高频ADC有一个25MHz时钟.
采用梳状滤波器进行处理,并以开关频率输出至数字补偿器.
选定采样频率时的等效分辨率参见表5.
高频ADC的范围是±25mV.
使用97.
5kHz的基本开关频率和8位高频ADC分辨率时,量化噪声为0.
195mV(1LSB=2*25mV/28=0.
195mV).
开关频率提高到195.
5kHz且使用7位高频ADC分辨率时,量化噪声为0.
391mV(1LSB=2*25mV/27=0.
391mV).
开关频率提高到390.
5kHz时,量化噪声升高至0.
781mV(1LSB=2*25mV/26=0.
781mV).
输出电压校准命令在ADP1051中,用于控制或读取输出电压或相关参数的电压数据采用线性数据格式.
线性格式指数为固定值10(十进制,参见表21中的VOUT_MODE命令、寄存器0x20).
下列三个基本命令用于设置输出电压:VOUT_COMMAND命令(寄存器0x21,表22)VOUT_MARGIN_HIGH命令(寄存器0x25,表26)VOUT_MARGIN_LOW命令(寄存器0x26,表27)通过OPERATION命令(寄存器0x01,表13)选择这三个命令之一.
VOUT_MAX命令(寄存器0x24,表25)设置ADP1051可以控制的输出电压上限,与任何其它命令或命令组合无关.
输出电压校准期间,使用VOUT_TRANSITION_RATE命令(寄存器0x27,表28)设置VS±引脚改变电压的速率(mV/s).
ADP1051Rev.
0|Page21of108Φ=360*fC/fSWDIGITALCOMPENSATORDPWMENGINEVFR1R21/xΣ-ΔADCREAD_VINREG0x88REG0x35,REG0x36FEED-FORWARDADC0.
5VTO1.
6V0VTO1.
6VVIN_LOWFLAGREG0x7C[3]REG0xFE29[5]VIN_UV_FAULTFLAGREG0x7C[4]FROMTHEVINSENSECIRCUIT11443-022图22.
闭环输入电压前馈配置ADP1051数字补偿器使用内部可编程数字补偿器改变电源的控制环路.
此处采用Ⅲ型数字补偿器架构.
该Ⅲ型补偿器由一个低频滤波器(其输入来自低频ADC)和一个高频滤波器(其输入来自高频ADC)重建.
从电压检测ADC输出到数字补偿器输出,数字补偿器在z域中的传递函数为:其中:a=高频滤波器极点寄存器值/256(正常模式为寄存器0xFE32/256,轻载模式为寄存器0xFE36/256).
b=高频滤波器零点寄存器值/256(正常模式为寄存器0xFE31/256,轻载模式为寄存器0xFE35/256).
c=高频滤波器增益寄存器值(正常模式为寄存器0xFE33,轻载模式为寄存器0xFE37).
d=低频滤波器增益寄存器值(正常模式为寄存器0xFE30,轻载模式为寄存器0xFE34).
m为比例因子:若要定制环路响应以满足特定应用的需要,则低频增益(由d表示)、高频滤波器的零点位置(由b表示)、高频滤波器的极点位置(由a表示)和高频增益(由c表示)均可单独进行设置(见"数字补偿器和调制设置寄存器"部分).
建议使用ADP1051GUI对补偿器进行编程.
GUI以s域中的波特图显示滤波器响应,并计算电源的所有稳定性标准.
要将z域的值传递给s域,应将下列双线性变换方程代入H(z)方程中:滤波器在控制环路中引入了额外的相位延迟因素.
在每个开关周期开始时,数字补偿器电路将占空比信息发送到数字PWM引擎(不像模拟控制器那样对占空比信息作持续判断).
ADC采样和抽取滤波器存在额外的延迟.
对于相位裕量,该额外相位延迟(Φ)表示为:其中,fC为交越频率,fSW为开关频率.
m=1(49kHz≤fSW0,则NCURRENT=NPREVIOUS1.
如果CS1_OCP标志在一个周期中未被触发且NPREVIOUS=0,则NCURRENT=0.
当N值达到IIN_OC_FAST_FAULT_LIMIT指定的限值时,IIN_OC_FAST_FAULT标志被触发(见图41).
对于单端拓扑,如正向变换器和降压变换器等,一个开关周期由一个周期组成.
对于双端拓扑,如全桥变换器、半桥变换器和推挽变换器等,一个开关周期包含两个周期.
IIN_OC_FAST_FAULT_LIMIT位在寄存器0xFE1A[6:4]中.
图41中,IIN_OC_FAST_FAULT_LIMIT值设为8.
对IIN_OC_FAST_FAULT标志的响应可通过IIN_OC_FAST_FAULT_RESPONSE位(寄存器0xFE00[3:0])编程.
操作详情参见"用户自定义保护响应"部分和相关寄存器设置.
半桥变换器中的匹配逐周期限流对于半桥变换器,上述逐周期限流特性无法保证一个开关周期中两个半周期的占空比平衡.
各半周期的不平衡可能导致容性分压器的中心点电压从VIN/2向地或输入电压VIN漂移.
此漂移进而可能引起输出电压调节失败、变压器饱和以及同步整流器的漏极到源极电压(VDS)应力倍增.
为了补偿这些不平衡,ADP1051通过强制各周期与前一周期均衡或匹配,实现了匹配逐周期限流.
匹配逐周期限流被触发时,下半周期的占空比与上半周期的实际占空比完全一致.
然而,逐周期限流在终止PWM通道上始终具有最高优先级.
例如,在逐周期限流情况下,如果前一周期的占空比为20%,则下一周期的占空比也应是20%.
但是,如果下一周期发生逐周期限流,必须以较小的占空比终止PWM,则逐周期限流将取得较高的优先级,占空比可能是一个小于20%的值.
匹配逐周期限流通过寄存器0xFE1D[6]使能.
寄存器0xFE1D[5:4]用于设置匹配逐周期限流的PWM对.
图40显示了CS1逐周期限流时序的一个例子,OUTA的上升沿作为消隐时间基准.
CS1_OCP标志置1后,要等到下一个开关周期开始才会清0.
ADP1051Rev.
0|Page38of108DEBOUNCEREG0xFE1A[3]SR_RC_FAULTFLAGREG0xFEA1[5]VOUTCS2–CS2+ADC12BITSADP1051225A225ASR_RC_FAULT_LIMITREG0xFE1A[2:0]11443-028图42.
SRFET反向电流保护tRx+tMODU_LIMITtOFFSETCS3过流保护如果CS2电流检测不可用,CS3过流保护可提供备用输出过流保护.
读数根据CS1和占空比读数计算.
当寄存器0xFEA9中8个MSB表示的CS3电流读数超过寄存器0xFE6A中设置的CS3_OC_FAULT_LIMIT时,CS3_OC_FAULT标志(寄存器0xFEA0[3])置1.
使用寄存器0xFE19[6:5],可将标志设置的去抖时间编程为0ms、10ms、20ms或200ms.
对CS3_OC_FAULT标志的响应通过CS3_OC_FAULT_RESPONSE位(寄存器0xFE01[3:0])编程.
具体操作信息参见"用户自定义保护响应"部分和相关寄存器设置.
SR反向电流保护在同步整流应用中,反向电流可能会从VOUT经过输出电感、同步整流器和电流检测电阻流到地.
在反向电流很大的情况下,如果同步整流器关闭,流入输出电感的电流的大di/dt所引起的高压应力可能会损坏同步整流器.
SR反向电流检测通过一个带可编程基准的模拟比较器实现.
反向电流保护限值SR_RC_FAULT_LIMIT使用寄存器0xFE1A[2:0]编程.
如果CS2引脚(引脚3)与CS2+引脚(引脚4)之间的负差分电压低于寄存器0xFE1A[2:0]设置的值,就会触发SR_RC_FAULT标志.
触发SR_RC_FAULT标志的去抖时间为40ns或200ns,由寄存器0xFE1A[3]设置.
SR_RC_FAULT标志响应在SR_RC_FAULT_RESPONSE位(寄存器0xFE03[7:4])中设置,用以抑制反向电流.
除了不中断地继续工作、禁用SR1和SR2、禁用所有PWM输出这三种响应选项之外,还有第四种故障响应模式:改变SR1和SR2的上升沿位置.
其中:tRx为SR1和SR2的上升沿时序(见图68).
tMODU_LIMIT为寄存器0xFE3C中定义的调制限值.
tOFFSET为寄存器0xFE68中的偏移设置.
故障标志清0后,按照寄存器0xFE03[5:4]的设置,SR1和SR2可立即返回正常状态或执行软恢复过程.
为实现最佳反向电流保护性能,请使用上面定义的设置来精调SR1和SR2PWM时序.
使用这种保护模式,将SR1和SR2信号设置为50%占空比操作,输出中的能量回流到输入,从而抑制反向电流.
相应地,同步整流器的漏极到源极电压(VDS)应力也得到抑制.
具体操作信息参见"用户自定义保护响应"部分和相关寄存器设置.
FLAGIN保护SYNI/FLGI引脚(引脚13)可配置为标志输入模式(FLGI).
可将一个外部信号发送到ADP1051以触发操作.
外部信号的极性由FLGI极性位(寄存器0xFE12[2])配置.
当ADP1051检测到外部信号时,FLAGIN标志置1.
对FLAGIN标志的响应通过FLAGIN_RESPONSE位(寄存器0xFE03[3:0])编程.
有关可设置的操作的更多信息,参见"用户自定义保护响应"部分和相关寄存器设置.
VDDOVLO保护ADP1051的供电轨上内置了过压保护(OVP).
寄存器0xFE05[5:4]中的VDD过压响应位(VDD_OV_RESPONSE)用来指定对VDD过压状况的响应.
如果寄存器0xFE05[5]=0,当VDD电压高于OVLO阈值时,VDD_OV标志置1,ADP1051关断.
当VDD过压状况结束时,VDD_OV标志清0,ADP1051下载EEPROM内容,然后用软启动程序重启.
VDD_OV标志的去抖时间可利用寄存器0xFE05[4]编程.
如果寄存器0xFE05[5]=1,则无论VDD电压状况如何,VDD_OV标志始终清0.
ADP1051继续工作而不中断.
建议不要将VDD_OV标志响应设置为始终清0.
在这种保护模式下,SR1和SR2的上升沿各维持一个固定值,从下一开关周期起生效(通常将SR1和SR2设置为50%占空比以实现最佳性能).
SR1和SR2上升沿时序的固定值可通过下式确定:ADP1051Rev.
0|Page39of108用户自定义保护响应关于VDD_OV标志和保护操作,参见"VDDOVLO保护"部分.
可配置下列标志来触发保护响应:IIN_OC_FAST_FAULT、VOUT_OV_FAULT、CS3_OC_FAULT、VIN_UV_FAULT、FLAGIN和SR_RC_FAULT.
VOUT_OV_FAULT标志触发寄存器0xFE01[7:4]中的用户自定义保护,仅用于条件式过压保护.
详情参见"VOUT过压保护(OVP)"部分.
上述各标志均可独立编程以触发下列响应之一:不中断地继续工作(忽略标志)禁用SR1和SR2禁用所有PWM输出触发标志的状况得到解决且标志清0后,ADP1051可编程以做出如下响应:经过标志重新使能延迟时间后,用软启动程序重新使能禁用的PWM输出.
立即重新使能禁用的PWM输出,而不使用软启动程序.
PWM输出保持禁用.
必须使用PSON复位信号和软启动程序来重新使能PWM输出.
对于SR_RC_FAULT标志,还有第四种响应选项:SR1和SR2的上升沿移动到tRx+tMODU_LIMITtOFFSET.
该标志清0后,ADP1051可编程以做出如下响应:SR1和SR2以软启动方式恢复正常.
SR1和SR2不以软启动方式恢复正常.
更多信息参见"SR反向电流保护"部分.
第一个导致所有PWM输出禁用(重新使能PWM输出也需要软启动)的标志被记录为第一个标志ID.
有关第一个标志ID使用的更多信息,参见"第一个标志ID记录"部分.
对于所列的用户自定义标志,可以设置标志重新使能延迟时间.
如果标志的配置操作是要在标志重新使能延迟时间后重新使能PWM输出,就会使用该延迟时间.
使用寄存器0xFE05[7:6],可将该延迟时间设置为250ms、500ms、1s或2s.
ADP1051Rev.
0|Page40of108IIN_SCALE_MONITOR=(NPRI/NSEC)*RCS1电源校准和校准所有ADP1051设备均经过工厂校准.
如果ADP1051未在电源生产环境下进行校准,建议对CS1、CS2±、VS±、VF和OVP引脚的输入使用容差为0.
1%的元件,以满足数据手册要求(参见"技术规格"部分).
在电源生产环境中,ADP1051能校准诸如输出电压等项目,并校准由检测电阻和电阻分压器引入的容差误差,以及它自身的内部电路.
ADP1051提供用户足够的校准能力,可校准容差≤0.
5%的外部元设备.
要解锁用于写入访问的校准寄存器,用户必须使用TRIM_PASSWORD命令(寄存器0xD6),利用正确的密码(工厂默认值=0xFF)执行两次连续写操作.
在这两次写操作之间,若对设备中的其它寄存器执行读或写操作,就会中断芯片密码解锁.
校准寄存器包括寄存器0xFE14至寄存器0xFE17、寄存器0xFE20、寄存器0xFE28和寄存器0xFE2A至寄存器0xFE2C.
有关这些寄存器的详细信息,参见"用户自定义扩展命令描述"部分.
IIN校准(CS1校准)使用直流信号将一个已知直流电压(Vx)施加于CS1引脚.
IIN_SCALE_MONITOR命令(寄存器0xD9)设置为0x0001.
READ_IIN输入电流读数命令(寄存器0x89)产生一个与Vx电压值相等的数字代码(代表输入电流的安培数).
校准CS1增益校准寄存器(寄存器0xFE14),直到寄存器0x89中的输入电流读数读出正确的数字代码.
使用交流信号将一个已知电流(Ix)施加于PSU输入.
此电流流经一个电流变压器、一个二极管整流器和一个外部电阻(RCS1),将电流信息转换为电压(Vx).
该电压输入CS1引脚.
IIN_SCALE_MONITOR计算如下:其中,NPRI和NSEC分别是电流互感器原边和副边绕组的匝数.
READ_IIN输入电流读数命令产生一个数字代码,代表输入电流Ix.
校准CS1增益校准寄存器(寄存器0xFE14),直到寄存器0x89中的输入电流读数读出正确的数字代码.
IOUT校准(CS2校准)CS2偏置校正失调误差由外部电平转换电阻和内部电流源的总不匹配引起.
电平转换电阻的容差必须≤0.
1%.
偏置校正包括模拟校准和数字校准两部分.
CS2±输入为0V时,理想ADC读数为0LSB.
执行模拟偏置校正以实现0V的差分输入电压.
执行数字偏置校正以实现0LSB的ADC读数.
偏置校正必须按照如下顺序执行:1.
使用寄存器0xFE19[7]选择高端或低端电流检测.
2.
使用IOUT_CAL_GAIN命令(寄存器0x38)设置电流检测电阻值.
必须注意,由于可能存在铜走线和焊接电阻,实际的IOUT_CAL_GAIN值应略大于该电流检测电阻值.
确定的实际IOUT_CAL_GAIN值必须能够准确读出输出电流.
3.
使用寄存器0xFE16将数字偏置校正值设为0x00.
4.
校准CS2模拟偏置校正值(寄存器0xFE17),直到寄存器0xFEA8中读取的值尽可能接近100(十进制).
5.
使用寄存器0xFE16提高CS2数字偏置校正寄存器值,直到寄存器0x8C中的值读出0A.
偏置校正完成.
CS2±输入为0V时,ADC代码读出0,READ_IOUT读数为0A.
CS2增益校准完成偏置校正后,接着执行增益校准,移除电流检测电阻容差导致的失配.
ADP1051可校准的电流检测电阻容差为≤1%.
1.
在检测电阻两端施加一个数值已知的电流(IOUT).
2.
校准寄存器0xFE15中的CS2增益校准值,直到寄存器0x8C中的READ_IOUT值读出该值.
至此,CS2电路完成校准.
完成电流检测校准后,配置IOUT_OC_FAULT_LIMIT和IOUT_OC_FAULT_RESPONSE.
VOUT校准(VS校准)VS±引脚的电压检测输入针对1V的检测信号而优化,无法检测大于1.
6V的信号.
建议将额定输出电压降至1V,以实现最佳性能.
必须校准电阻分压器引入的误差.
ADP1051具有足够的校准范围来校准容差≤0.
5%的电阻导致的误差.
ADP1051Rev.
0|Page41of108IN_SCALE_MONITOR=PRISECNN1R2RR2*+要校准电阻分压器引起的误差,请执行以下步骤:1.
用额定输出电压值设置VOUT_COMMAND(寄存器0x21).
根据电阻分压器信息,设置VOUT_SCALE_LOOP命令(寄存器0x29)和VOUT_SCALE_MONITOR命令(寄存器0x2A).
2.
在空载条件使能电源.
VS±引脚的电压被VS电阻分压器分压,在VS±引脚上产生1V的目标电压.
3.
校准VOUT_CAL_OFFSET校准寄存器(寄存器0x23),确保输出电压与目标输出电压完全一致.
4.
当寄存器0x8B中的READ_VOUT读数与输出电压读数完全相等时,校准VS增益校准寄存器(寄存器0xFE20).
VIN校准(VF增益校准)电压检测输入针对1V的VF引脚信号而优化,无法检测大于1.
6V的信号.
需要一个电阻分压器将检测到的电压信号分压为1.
6V以下的电压.
建议将VF电压信号降至1V,以实现最佳性能.
必须校准电阻分压器引入的误差.
使用以下步骤:1.
根据电阻分压器信息(见图22)和变压器的匝数比信息,设置VIN_SCALE_MONITOR命令(寄存器0xD8):其中,NPRI和NSEC分别是变压器原边和副边绕组的匝数.
2.
在空载条件下应用额定输入电压,使VF引脚实现大约1V的目标电压.
3.
当寄存器0x88中的READ_VIN读数与额定电压读数完全相等时,校准VF增益校准寄存器(寄存器0xFE28).
4.
校准输入电压补偿乘法器(寄存器0xFE59),使READ_VIN读数与满载条件下的输入电压完全一致.
RTD和OTP校准RTD需要两次校准,一次针对ADC,一次针对电流源.
需要执行额外的校准步骤,才能使用内部线性化处理.
校准电流源寄存器0xFE2D[7:6]可将RTD电流源的值设为10A、20A、30A或40A.
寄存器0xFE2D[5:0]可用于微调电流值.
通过微调内部电流源,可补偿元设备容差,并最大程度降低误差.
位[5:0]的一个LSB是160nA.
十进制值1向寄存器0xFE2D[7:6]设置的电流源增加160nA电流;而十进制值63则向寄存器0xFE2D[7:6]设置的电流源增加63x160nA=10.
08A电流.
若要为电流源编程某个值,可通过寄存器0xFE2D[7:6]选择最接近的可能值(10A、20A、30A或40A),然后使用寄存器0xFE2D[5:0]获得更佳的步长.
例如,若要使用46A作为电流源,可遵循以下步骤:1.
在RTD引脚和AGND之间放置一个数值已知的电阻(Rx).
2.
设置寄存器0xFE2D[7:6]为二进制11(40A).
3.
增加寄存器0xFE2D[5:0]的值,每次一个LSB,直到RTD引脚电压为:VRTD=46AxRx.
至此完成电流源校准,并设为出厂默认值.
校准ADC校准ADC的第一个方法是使用46ARTD电流的内部线性化处理,它提供用摄氏度表示的精确读数(十进制),通过READ_TEMPERATURE命令(寄存器0x8D)读取.
应将R25=100kΩ、1%精度的NTC热敏电阻(β=4250、1%,例如NCP15WF104F03RC)与16.
5kΩ、1%的外部电阻并联,用于ADP1051.
采用这种NTC热敏电阻与电阻的组合,ADP1051默认电流源校准值设为46A,可在85°C至125°C的温度范围内达到可能实现的最佳精度.
若使用外部微控制器,则寄存器0xFEAB中的RTDADC值可输入微控制器,并且可采用不同的线性化处理,以便针对所选NTC特性实现最佳拟合多项式.
ADP1051Rev.
0|Page42of108应用配置EROCVDDADTRSERAGNDOUTAOUTBOUTCOUTDCS1SR1SR2VFOVPSYNI/FLGIVDDLOADVS+DCINPUTCS2–CS2+VS–ADP1051ADuM3223/ADuM4223ADP3624/ADP365411443-004PG/ALTCTRLSDASCLPMBus图43.
全桥变换器ADP1051EROCVDDADTRSERAGNDOUTAOUTBOUTCOUTDCS1SR1SR2VFOVPSYNI/FLGIVDDLOADVS+DCINPUTCS2–CS2+VS–ADP1051ADuM3223/ADuM4223ADP3624/ADP365411443-005PG/ALTCTRLSDASCLPMBus图44.
半桥变换器EROCVDDADTRSERAGNDOUTAOUTBOUTCOUTDCS1SR1SR2VFOVPSYNI/FLGIVDDLOADVS+DCINPUTCS2–CS2+VS–ADP1051ADuM3221ADP3624/ADP365411443-006PG/ALTCTRLSDASCLPMBus图45.
有源箝位正向变换器Rev.
0|Page43of108布局布线指南本部分介绍确保ADP1051性能最优所应遵循的最佳布局和布线方法.
一般而言,应将ADP1051控制电路的所有元设备尽可能靠近ADP1051放置.
OVP和VS+信号参考VS.
所有其他信号参考AGND层.
CS1引脚将来自电流检测变压器的走线布设到ADP1051,彼此平行.
走线应互相靠近,但远离开关节点.
CS2+和CS2引脚将来自检测电阻的走线布设到ADP1051,彼此平行.
检测电阻建议使用开尔文连接.
走线应互相靠近,但远离开关节点.
VS+和VS引脚将来自远程电压检测点的走线布设到ADP1051,彼此平行.
用低阻抗连接将VS连接到AGND.
走线应互相靠近,但远离开关节点.
在VS和AGND之间放置一个100nF电容,以降低共模噪声.
如果VS直接连到AGND,则无需电容.
OUTA至OUTD、SR1和SR2PWM输出在PWM输出和隔离器/驱动器输入之间放置10Ω电阻,尤其是当隔离器和驱动器远离ADP1051时.
走线应远离开关节点.
VDD引脚去耦电容应尽可能靠近ADP1051放置.
建议在VDD和AGND之间连接一个2.
2F电容.
VCORE引脚在VCORE引脚和AGND之间放置一个330nF去耦电容,并尽量靠近ADP1051.
RES引脚在RES引脚和AGND之间放置一个10kΩ、0.
1%电阻,并尽量靠近ADP1051.
SDA和SCL引脚将走线平行布设到SDA和SCL引脚.
走线应互相靠近,但远离开关节点.
裸露焊盘将ADP1051下方的裸露焊盘焊接到PCBAGND层.
RTD引脚在热敏电阻和ADP1051之间布设走线(包括接地回路走线).
将热敏电阻放在电源热点附近,热敏电阻和走线应远离开关节点.
将一个1nF滤波电容放在附近并与热敏电阻并联.
AGND引脚在ADP1051的相邻层上建立一个AGND地层,并建立一个单点(星型)连接至电源的系统地.
ADP1051Rev.
0|Page44of108表9.
PMBus地址设置和电阻值PMBus地址电阻值(kΩ)0x7010(或将ADD引脚直接连接到AGND)0x7131.
60x7251.
10x7371.
50x7490.
90x751100x761300x77150(或将ADD引脚直接连接到VDD)PMBus/I2C通信PMBus从设备允许设备与符合PMBus标准的主设备通信,如"PMBus电源系统管理协议规范"(修订版1.
2,2010年9月6日)中所规定.
PMBus从机是双线式接口,可用于与其他符合PMBus标准的设备通信,并且兼容多主机、多从机总线配置.
PMBus特性PMBus从机负责解码主设备发出的命令,并根据请求做出响应.
使用I2C类双线式接口与时钟线路(SCL)和数据线路(SDA)建立通信.
PMBus从机旨在从外部移动8位数据块(字节),同时维持PMBus协议合规性.
PMBus协议基于"系统管理总线(SMBus)规范"(2.
0版,2000年8月).
SMBus规范则是基于飞利浦公司的I2C总线规范(2.
1版,2000年1月).
PMBus集成了下列特性:多设备系统上的从机工作模式7位寻址100kB/s和400kB/s数据速率广播地址支持支持低时钟扩展(时钟延展)独立多字节接收和发送FIFO丰富的故障监控概述PMBus从机模块是双线式接口,可用于与符合PMBus标准的其他设备通信.
其传输协议基于飞利浦公司的I2C传输机制.
ADP1051在整体系统中始终配置为从设备.
ADP1051利用一个数据引脚(SDA,引脚15)和一个时钟引脚(SCL,引脚14)与主设备通信.
由于ADP1051是从设备,因此它不能产生时钟信号.
不过,它能延展SCL线路,以便在未准备好响应主设备请求时让主设备进入等待状态.
主设备向PMBus从设备发送命令后便开始通信.
命令可以是读取或写入命令,数据以字节宽格式在设备之间传输.
命令也可以是发送命令,这种情况下,从设备在接收停止位后执行命令.
停止位是完整数据传输的最后位,如PMBus/I2C通信协议所定义.
通信期间,主设备和从设备发送应答(A)或不应答(A)位,作为设备间的交互方法.
有关通信协议的详细描述,请参见PMBus规范.
与主设备通信时,PMBus从设备可能接收到非法或毁损数据.
表9中的推荐电阻值可在±2kΩ范围内变化.
因此,建议在ADD引脚上使用容差为1%的电阻.
ADP1051对0x00的标准PMBus广播地址做出响应.
然而,当有多个ADP1051设备连接到主设备时,建议不要使用广播地址,因为多个从设备返回的数据会被损坏.
更多信息参见"广播支持"部分.
数据传输格式概述PMBus从机遵循SMBus规范的传输协议,该规范基于I2C总线规范的基本传输协议格式.
数据传输以字节宽为单位,低位字节优先.
各字节以串行方式发送,最高有效位(MSB)优先.
典型传输见图46.
有关传输协议的深入讨论,请参见SMBus和I2C规范.
这种情况下,PMBus从设备必须对无效命令或数据做出响应,如PMBus规范所定义,并向主设备指示已经发生错误或故障条件.
该交握方法可用作第一级防卫措施,防止对从设备进行意外编程,这种编程可能损坏芯片或系统.
PMBus规范定义了一组通用PMBus命令,建议电源管理系统使用.
不过,每家PMBus设备制造商可以选择实现和支持某些适合系统的命令.
此外,PMBus设备制造商可选择实现用户自定义命令,其功能不包括在通用PMBus命令集内.
标准PMBus和用户自定义命令的列表请参阅"PMBus命令集"和"用户自定义扩展命令列表"部分.
PMBus/I2C地址ADP1051的PMBus地址通过在ADD引脚(引脚22)与AGND之间连接外部电阻来设置.
表9列出了推荐电阻值和相关PMBus地址.
可使用八个不同地址.
ADP1051Rev.
0|Page45of108表10.
数据传输图使用的缩写缩写说明设置1S起始条件不适用P停止条件不适用Sr重复起始条件不适用W写入位0R读取位1A应答位0A不应答位1MASTERTOSLAVESLAVETOMASTERSPAAW7-BITSLAVEADDRESS8-BITDATA11443-043图46.
基本数据传输图47.
发送字节协议ASPAADATABYTEW7-BITSLAVEADDRESSCOMMANDCODEMASTERTOSLAVESLAVETOMASTER11443-045图48.
写入字节协议AACOMMANDCODEASPDATABYTELOWW7-BITSLAVEADDRESSADATABYTEHIGHMASTERTOSLAVESLAVETOMASTER11443-046图49.
写入字协议图50.
读取字节协议图51.
读取字协议图52.
块写入协议图53.
块读取协议表46至表53使用表10所列的缩写.
命令概述使用PMBus从机的数据传输通过PMBus命令来建立.
PMBus规范要求所有PMBus命令以从机地址开头,其中R/W位清0,紧随其后的是命令代码.
ADP1051支持的所有PMBus命令均遵循图47至图53所示的协议类型之一.
ADP1051还支持用户自定义扩展命令.
这些命令遵循与标准PMBus命令一样的协议,不过,命令代码由0xFF00到0xFFAF范围内的两个字节组成.
使用用户自定义扩展命令时,PMBus设备制造商可向其PMBus命令集添加额外256个用户自定义命令.
1N/A表示不适用.
ADP1051Rev.
0|Page46of108SCLSDASTARTSTOP11443-154图54.
起始转换和停止转换时钟产生和延展ADP1051在整体系统中始终是PMBus从设备;因此设备从不需要产生时钟,时钟产生由系统内的主设备完成.
不过,PMBus从设备能够延展时钟,从而让主机进入等待状态.
通过在低电平周期中延展SCL信号,从设备通知主设备它还未准备好进行传输,主设备必须等待.
PMBus从设备延展SCL线路低电平的情况包括:主设备正在以高于从设备的波特率发送.
从设备的接收缓冲器已满,读取后才能继续.
这可以防止数据溢出情况.
从设备未准备好发送主机请求的数据.
请注意,PMBus从设备仅可在低电平周期中延展SCL线路.
另外,虽然I2C规范允许无限延展SCL线路,PMBus规范却将SCL线路可延展或保持低电平的最大时间限制在25ms,此后,从设备必须释放通信线路并将其状态机复位.
起始条件和停止条件起始条件和停止条件包括串行时钟位于逻辑高电平时的几次数据转换.
PMBus从设备监控SDA和SCL线路,检测起始条件和停止条件,并据此转换其内部状态机.
典型起始条件和停止条件如图54所示.
广播支持PMBus从机能够解码广播地址并做出应答.
PMBus从设备对自身地址和广播地址(0x00)做出响应.
广播地址使PMBus上的所有设备可被同时写入.
请注意,所有PMBus命令必须以从机地址开头,其中R/W位清0,紧随其后的是命令代码.
使用广播地址与PMBus从设备通信时情况也一样.
10位寻址ADP1051不支持I2C规范定义的10位寻址.
快速模式快速模式(数据速率为400kb/s)使用与标准工作模式基本上相同的机制;电气规格和时序受影响最多.
PMBus从设备能够与快速模式或标准模式(数据速率为100kb/s)下工作的主设备通信.
故障条件PMBus协议提供了必须监控和报告的全部故障条件.
这些故障条件可分为两大类:通信故障和监控故障.
通信故障是与PMBus协议数据传输机制相关的错误条件.
监控故障是与ADP1051工作状态相关的错误条件,例如输出过压保护.
"电源监控、标志和故障响应"部分描述了这些故障条件.
超时条件SMBus规范包括三个与超时条件相关的时钟延展规范.
任何单一SCL时钟脉冲保持低电平的时间超过25ms的最小tTIMEOUT值,就会发生超时状况.
检测到超时条件后,PMBus从设备有10ms时间中止传输,释放总线线路,并准备接收新的起始条件.
启动超时的设备必须将SCL时钟线路保持在低电平至少35ms(最大tTIMEOUT值),以保证从设备有足够时间将其通信协议复位.
数据传输故障根据PMBus规范的规定,两个通信设备违反PMBus通信协议时就会发生数据传输故障.
有关各故障条件的详情,请参见PMBus规范.
数据损坏、分组差错校验(PEC)ADP1051不支持分组差错校验.
发送位过少发送完整字节(八位)前,传输被起始或停止条件中断.
不支持这种功能;忽略任何发送的数据.
读取位过少读取完整字节(八位)前,传输被起始或停止条件中断.
不支持这种功能;忽略任何接收的数据.
主机发送或读取字节过少如果在发送/接收所需字节前主机通过停止条件结束数据包,则假设主机要停止传输.
因此,PMBus不会将此情况视为错误,也不采取任何操作,只会清除发送FIFO的所有剩余字节.
ADP1051Rev.
0|Page47of108主机发送字节过多如果主机发送字节数高于对应命令的期望数字,PMBus从机将此情况视为数据传输故障,并做出如下响应:对所有接收到的异常字节发送一个无应答清除并忽略已接收的命令和数据在STATUS_BYTE命令寄存器(寄存器0x78[1])中设置CML位主机读取字节过多如果主机读取字节数高于对应命令的期望数字,PMBus从机将此情况视为数据传输故障,并做出如下响应:只要主机继续请求数据,全部发送1(0xFF)在STATUS_BYTE命令寄存器(寄存器0x78[1])中设置CML位设备繁忙PMBus从设备过于繁忙,无法对主设备请求做出响应.
ADP1051不支持此条件.
数据内容故障当数据传输成功,但PMBus从设备无法处理从主设备接收的数据时,可能发生数据内容故障.
地址字节内的读取位设置不当所有PMBus命令以从机地址开头,其中R/W位清0,紧随其后的是命令代码.
如果主机通过地址相位内设置的R/W开始进行PMBus处理(等效于I2C读取),PMBus从机将此情况视为数据内容故障,并做出如下响应:对地址字节作出应答(ACK)对命令和数据字节发送无应答只要主机继续请求数据,全部发送1(0xFF)在STATUS_BYTE命令寄存器(寄存器0x78[1])中设置CML位无效或不支持的命令代码如果将无效或不支持的命令代码发送至PMBus从机,代码视为数据内容故障,PMBus从机做出如下响应:对非法/不支持的命令字节和数据字节发送无应答清除并忽略已接收的命令和数据在STATUS_BYTE命令寄存器(寄存器0x78[1])中设置CML位保留位访问保留位并非故障.
忽略写入保留位,从保留位读取返回未定义数据.
写入只读命令如果主机对只读命令执行写入,PMBus从机将此情况视为数据内容故障,并做出如下响应:对所有接收到的异常数据字节发送一个无应答清除并忽略已接收的命令和数据在STATUS_BYTE命令寄存器(寄存器0x78[1])中设置CML位请注意,此错误与"主机发送字节过多"部分描述的错误相同.
读取只写命令如果主机对只写命令执行读取,PMBus从机将此情况视为数据内容故障,并做出如下响应:只要主机继续请求数据,全部发送1(0xFF)在STATUS_BYTE命令寄存器(寄存器0x78[1])中设置CML位请注意,这与"主机读取字节过多"部分描述的错误响应相同.
ADP1051Rev.
0|Page48of108ASPAADATABYTEW7-BITSLAVEADDRESSCOMMANDCODEMASTERTOSLAVESLAVETOMASTER11443-051图55.
擦除命令示例EEPROMADP1051内置EEPROM控制器,用于与嵌入式8000字节EEPROM通信.
EEPROM也称为Flash/EE,分为两个主要模块:信息模块和主模块.
信息模块包含128个8位字节(仅供内部使用),主模块包含8000个8位字节.
主模块又分为16个页面,每一页面包含512个字节.
EEPROM特性EEPROM控制器的功能是解码ADP1051请求的操作,并向EEPROM接口提供必要的时序.
按照解码命令的请求,数据写入或读出EEPROM.
EEPROM控制器具有如下特性:EEPROM中每个页面的单独页面擦除功能单字节和多字节(块)读取信息模块,一次最多128字节单字节和多字节(块)写入/读取主模块,一次最多256字节启动时自动上传,从用户设置到内部寄存器单独的数据上传和下载命令,从工厂默认值或用户设置到内部寄存器EEPROM概述EEPROM控制器提供ADP1051内核逻辑与内置EEPROM间的接口.
用户可通过此控制器接口控制对EEPROM的数据访问.
EEPROM的读取、写入和擦除操作均具有不同的PMBus命令.
主设备发送命令至PMBus从设备,请求从EEPROM访问数据或向EEPROM发送数据,通信便开始.
支持读取、写入和擦除命令.
数据以字节宽格式在设备间传输.
使用读取命令从EEPROM接收数据并发送至主设备.
使用写入命令从主设备接收数据,并通过EEPROM控制器存储于EEPROM内.
页面擦除操作主模块由16个相等页面组成,每一页面有512字节,编号为页面0至页面15.
主模块的页面0和页面1保留,分别用于存储默认设置和用户设置.
用户无法对页面0或页面1执行页面擦除操作.
页面3保留用于存储GUI的电源板参数.
本例中,命令代码=0xD4,数据字节=0x0A.
请注意,执行下一PMBus命令前,必须等待至少35ms,以便完成页面擦除操作.
EEPROM仅允许擦除整个页面;所以,要更改页面内任何单一字节的数据,必须首先擦除整个页面(设为逻辑高电平),才能写入该字节.
之后允许对该页面内的任何字节执行写入,只要该字节之前未被写入逻辑低电平.
读取操作(字节读取和块读取)从主模块读取,页面0和页面1主模块的页面0和页面1保留,分别用于存储默认设置和用户设置,此举旨在防止第三方访问该数据.
要读取页面0或页面1,用户必须首先解锁EEPROM(参见解锁EEPROM部分).
EEPROM解锁后,页面0和页面1可使用EEPROM_DATA_xx命令读取,如"从主模块读取,页面2至页面15"部分所述.
请注意,EEPROM锁定时,读取页面0和页面1将返回无效数据.
从主模块读取,页面2至页面15主模块中页面2至页面15内的数据始终可读,即使EEPROM被锁定.
EEPROM主模块内的数据每次可读取一个字节,或者可使用EEPROM_DATA_xx命令连续读取多个字节(寄存器0xB0至寄存器0xBF).
执行该命令前,用户必须使用EEPROM_NUM_RD_BYTES命令(寄存器0xD2)对读取字节数进行编程.
另外,用户可使用EEPROM_ADDR_OFFSET命令(寄存器0xD3)对返回首个读取字节的页面边界的偏移进行编程.
仅主模块的页面4至页面15才可用来存储数据.
要擦除页面4至页面15中的任一页面,必须首先解锁EEPROM以允许访问.
有关如何解锁EEPROM的说明,请参见解锁EEPROM部分.
主模块的每个页面(页面4至页面15)均可使用EEPROM_PAGE_ERASE命令(寄存器0xD4)单独擦除.
例如,要对页面10执行页面擦除,请执行图55所示的命令:ADP1051Rev.
0|Page49of108ASPAA0x030xD2W7-BITSLAVEADDRESSMASTERTOSLAVESLAVETOMASTER11443-055图56.
设置返回字节数(=3)ASPAA0x000x050xD3W7-BITSLAVEADDRESSAMASTERTOSLAVESLAVETOMASTER11443-056图57.
设置地址偏移(=5)RSAAASr0xB4W7-BITSLAVEADDRESS7-BITSLAVEADDRESSPA.
.
.
BYTECOUNT=0x03DATABYTE1AADATABYTE3MASTERTOSLAVESLAVETOMASTER11443-057图58.
从页面4读取三个字节ASPAA0x010x000xD3W7-BITSLAVEADDRESSAMASTERTOSLAVESLAVETOMASTER11443-058图59.
设置地址偏移(=256)ASAABYTECOUNT=40xB9W7-BITSLAVEADDRESSMASTERTOSLAVESLAVETOMASTERPAA.
.
.
DATABYTE1DATABYTE411443-059图60.
向页面9写入四个字节以下示例从EEPROM读取页面4的三个字节,从该页面的第六字节开始.
1.
设置返回字节数=3.
2.
设置地址偏移=5.
3.
从页面4读取三个字节.
请注意,任何单一处理中,块读取命令最多只可读取256个字节.
写入操作(字节写入和块写入)用户无法直接写入信息模块;ADP1051使用此模块存储第一个标志信息(参见"第一个标志ID记录"部分).
向主模块写入,页面0和页面1主模块的页面0和页面1保留,分别用于存储默认设置和用户设置.
用户无法使用EEPROM_DATA_xx命令对页面0或页面1执行直接写入操作.
如果用户写入页面0,页面1会返回不应答信号.
要对主模块页面1的寄存器内容进行编程,建议使用STORE_USER_ALL命令(寄存器0x15).
请参见"将寄存器设置保存至用户设置"部分.
向主模块写入,页面2至页面15在对主模块页面2至页面15执行写入前,用户必须首先解锁EEPROM(参见解锁EEPROM部分).
EEPROM主模块内页面2至页面15上的数据每次可编程(写入)一个字节,或者可使用EEPROM_DATA_xx命令连续读取多个字节(寄存器0xB0至寄存器0xBF).
执行此命令前,用户可使用EEPROM_ADDR_OFFSET命令(寄存器0xD3)对写入首个字节的页面边界的偏移进行编程.
请注意,任何单一处理中,块写入命令最多只可写入256个字节.
EEPROM密码ADP1051VDD开机时,EEPROM是锁定的,防止意外写入或擦除.
EEPROM锁定时,只允许读取页面2至页面15.
向EEPROM写入(编程)任何数据前,EEPROM必须解锁以允许写入访问.
解锁后,EEPROM便可进行读取、写入和擦除.
开机时,页面0和页面1也不允许进行读取访问,EEPROM必须首先解锁才能读取这些页面.
解锁EEPROM要解锁EEPROM,请使用EEPROM_PASSWORD命令(寄存器0xD5),利用正确的密码(默认值=0xFF)执行两次连续写入.
EEPROM_UNLOCKED标志(寄存器0xFEA2[3])置1表示EEPROM已解锁,允许写入访问.
锁定EEPROM要锁定EEPROM,请使用EEPROM_PASSWORD命令(寄存器0xD5)写入除正确密码以外的任何字节.
EEPROM_UNLOCKED标志清0表示EEPROM已锁定,禁止写入访问.
更改EEPROM密码要更改EEPROM密码,首先使用EEPROM_PASSWORD命令(寄存器0xD5)写入正确密码.
然后使用相同命令直接写入新密码.
这样就更改为新密码了.
2.
向页面9写入四个字节.
如果目标页面还未擦除,则用户可擦除该页面,如"页面擦除操作"部分所述.
以下示例向页面9写入四个字节,从该页面的第257个字节开始.
1.
设置地址偏移=256.
ADP1051Rev.
0|Page50of108将EEPROM设置下载至内部寄存器将用户设置下载至寄存器用户设置存储于EEPROM主模块的页面1内.
下列条件下,这些设置可从EEPROM下载至寄存器内:开机时.
用户设置自动下载至内部寄存器内,以用户先前保存的状态为设备开机.
执行RESTORE_USER_ALL命令时(寄存器0x16).
此命令允许用户强行将用户设置从EEPROM主模块的页面1下载至内部寄存器内.
将工厂设置下载至寄存器工厂默认设置存储于EEPROM主模块的页面0内.
可使用RESTORE_DEFAULT_ALL命令(寄存器0x12)将出厂设置从EEPROM下载至内部寄存器内.
执行该命令时,EEPROM密码也会复位至工厂默认设置0xFF.
将寄存器设置保存至EEPROM寄存器设置无法保存至位于EEPROM主模块页面0内的工厂暂存板.
这是为了防止意外覆盖工厂校准设置和默认寄存器设置.
将寄存器设置保存至用户设置可使用STORE_USER_ALL命令(寄存器0x15)将寄存器设置保存至位于EEPROM主模块页面1内的用户设置.
执行此命令前,EEPROM必须首先解锁以允许写入(参见"解锁EEPROM"部分).
将寄存器设置保存至用户设置后,任何后续开机周期自动将最新存储的用户信息从EEPROM下载至内部寄存器.
请注意,执行STORE_USER_ALL命令会自动对EEPROM主模块的页面1执行页面擦除,然后将寄存器存储于EEPROM内.
因此,执行下一PMBus命令前,必须等待至少40ms,以便完成操作.
EEPROMCRC校验和要检查从EEPROM和内部寄存器下载的值是否一致,一个简单方法是采用CRC校验和.
将来自内部寄存器的数据保存至EEPROM(主模块的页面1)后,计算来自所有寄存器的1的总数,并作为最后的信息字节写入EEPROM.
该过程称为CRC校验和.
将数据从EEPROM下载至内部寄存器后,保存类似的计数器,将载入寄存器的值中的所有1求和.
该值与先前上传操作的CRC校验和相比较.
如果两个值匹配,则下载操作成功.
如果值不同,EEPROM下载操作失败,CRC_FAULT标志置1(寄存器0xFEA2[2]).
要读取EEPROMCRC校验和值,应执行EEPROM_CRC_CHKSUM命令(寄存器0xD1).
该命令可返回下载操作期间计数器内累加的CRC校验和.
请注意,CRC校验和是8位循环累加器,达到255后便绕回至0.
ADP1051Rev.
0|Page51of10811443-060图61.
GUI软件ADP1051GUI软件可免费使用GUI软件来对ADP1051进行编程和配置.
ADP1051GUI采用直观易用的设计,可显著缩短电源设计和开发时间.
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analog.
com/digitalpower,亦可申请评估板.
Rev.
0|Page52of108PMBus命令集表11.
PMBus/SMBus命令列表概览命令代码命令名称PMBus/SMBus处理类型数据字节数默认值1说明0x01OPERATIONR/W10x00与CTRL引脚的输入一起决定设备的开启和关闭.
0x02ON_OFF_CONFIGR/W10x00通过CTRL引脚和串行总线命令的组合开启和关闭设备.
0x03CLEAR_FAULTS发送字节0不适用同时清除PMBus状态寄存器中的所有位.
0x10WRITE_PROTECTR/W10x00防止意外写入PMBus设备.
允许读取.
0x12RESTORE_DEFAULT_ALL发送字节0不适用从EEPROM(页面0)下载工厂默认设置到寄存器.
0x15STORE_USER_ALL发送字节0不适用将寄存器中的用户设置保存到EEPROM(页面1).
0x16RESTORE_USER_ALL发送字节0不适用将EEPROM(页面1)中的用户设置下载到寄存器.
0x19CAPABILITYR10x20允许主机系统确定PMBus设备的能力.
0x20VOUT_MODER10x16设置/读取VOUT相关命令的格式.
0x21VOUT_COMMANDR/W20x0000设置VOUT为命令值.
0x22VOUT_TRIMR/W20x0000对输出电压命令值应用固定的偏移电压.
0x23VOUT_CAL_OFFSETR/W20x0000对输出电压命令值应用固定的偏移电压.
0x24VOUT_MAXR/W20x0000设置VOUT的上限.
0x25VOUT_MARGIN_HIGHR/W20x0000定义OPERATION命令设为MarginHigh时输出的设定电压.
0x26VOUT_MARGIN_LOWR/W20x0000定义OPERATION命令设为MarginLow时输出的设定电压.
0x27VOUT_TRANSITION_RATER/W20x7BFF设置输出电压的变化率.
0x28VOUT_DROOPR/W20x0000设置输出电压随输出电流的变化率.
0x29VOUT_SCALE_LOOPR/W20x0001设置输出电压的比例因子,它与电阻分压器相关.
0x2AVOUT_SCALE_MONITORR/W20x0001READ_VOUT命令的比例因子,它一般可与VOUT_SCALE_LOOP命令相同.
0x33FREQUENCY_SWITCHR/W20x0031设置输出电压的开关频率.
0x35VIN_ONR/W20x0000设置设备开始电源转换的输入电压阈值.
0x36VIN_OFFR/W20x0000设置设备停止电源转换的输入电压阈值.
0x38IOUT_CAL_GAINR/W20x0000READ_IOUT命令的比例因子.
0x40VOUT_OV_FAULT_LIMITR/W20x0000设置触发OV_FAULT标志的限值.
0x41VOUT_OV_FAULT_RESPONSER/W10x00OV_FAULT标志的故障响应.
0x44VOUT_UV_FAULT_LIMITR/W20x0000设置触发VOUT_UV_FAULT标志的限值.
0x45VOUT_UV_FAULT_RESPONSER/W10x00VOUT_UV_FAULT标志的故障响应.
0x46IOUT_OC_FAULT_LIMITR/W20x0000设置触发OC_FAULT标志的限值.
0x47IOUT_OC_FAULT_RESPONSER/W10x00OC_FAULT标志的故障响应.
0x48IOUT_OC_LV_FAULT_LIMITR/W20x0000设置以下情况的电压阈值:对过流状况的响应是进入恒流工作模式,除非输出电压降至指定的限值以下.
ADP1051Rev.
0|Page53of1080x4FOT_FAULT_LIMITR/W20x0000设置触发OT_FAULT标志的限值.
0x50OT_FAULT_RESPONSER/W10x00OT_FAULT标志的故障响应.
0x5EPOWER_GOOD_ONR/W20x0000设置可选的POWER_GOOD信号置位的输出电压.
0x5FPOWER_GOOD_OFFR/W20x0000设置可选的POWER_GOOD信号被反向的输出电压.
0x60TON_DELAYR/W20x0000从接收到起始条件(依据ON_OFF_CONFIG命令的编程)到输出电压开始上升的时间.
0x61TON_RISER/W20xC00D从输出开始上升到电压进入调节带的时间.
0x64TOFF_DELAYR/W20x0000从接收到停止条件(依据ON_OFF_CONFIG命令的编程)到停止传输能量到输出的时间.
0x78STATUS_BYTER10x00返回STATUS_WORD命令的低字节.
0x79STATUS_WORDR20x0000返回STATUS_WORD命令的低字节和高字节.
0x7ASTATUS_VOUTR10x00返回输出电压的故障标志.
0x7BSTATUS_IOUTR10x00返回输出电流的故障标志.
0x7CSTATUS_INPUTR10x00返回输入电压和电流的故障标志.
0x7DSTATUS_TEMPERATURER10x00返回OT故障和报警的故障标志.
0x7ESTATUS_CMLR10x00返回通信存储器和逻辑的故障标志.
0x88READ_VINR20x0000返回输入电压值.
0x89READ_IINR20x0000返回输入电流值.
0x8BREAD_VOUTR20x0000返回输出电压值.
0x8CREAD_IOUTR20x0000返回输出电流值.
0x8DREAD_TEMPERATURER20x0000返回温度读数(摄氏度).
0x94READ_DUTY_CYCLER20x0000返回电源变换器的占空比.
0x95READ_FREQUENCYR20x0000返回电源变换器的开关频率.
0x98READ_PMBUS_REVISIONR10x22读取设备符合的PMBus版本.
0x99MFR_IDR/W10x00读取/写入制造商的ID.
0x9AMFR_MODELR/W10x00读取/写入制造商的型号.
0x9BMFR_REVISIONR/W10x00读取/写入制造商的版本号.
0xADIC_DEVICE_IDR20x4151读取IC设备ID.
0xAEIC_DEVICE_REVR10x20读取IC设备版本.
0xB0EEPROM_DATA_00Rblock变量不适用块读取页面0.
EEPROM必须首先解锁.
0xB1EEPROM_DATA_01Rblock变量不适用块读取页面1.
EEPROM必须首先解锁.
0xB2EEPROM_DATA_02R/Wblock变量不适用块读取/写入页面2.
写入时EEPROM必须首先解锁.
0xB3EEPROM_DATA_03R/Wblock变量不适用块读取/写入页面3.
写入时EEPROM必须首先解锁.
0xB4EEPROM_DATA_04R/Wblock变量不适用块读取/写入页面4.
写入时EEPROM必须首先解锁.
0xB5EEPROM_DATA_05R/Wblock变量不适用块读取/写入页面5.
写入时EEPROM必须首先解锁.
0xB6EEPROM_DATA_06R/Wblock变量不适用块读取/写入页面6.
写入时EEPROM必须首先解锁.
0xB7EEPROM_DATA_07R/Wblock变量不适用块读取/写入页面7.
写入时EEPROM必须首先解锁.
0xB8EEPROM_DATA_08R/Wblock变量不适用块读取/写入页面8.
写入时EEPROM必须首先解锁.
命令代码命令名称PMBus/SMBus处理类型数据字节数默认值1说明ADP1051Rev.
0|Page54of1080xB9EEPROM_DATA_09R/Wblock变量不适用块读取/写入页面9.
写入时EEPROM必须首先解锁.
0xBAEEPROM_DATA_10R/Wblock变量不适用块读取/写入页面10.
写入时EEPROM必须首先解锁.
0xBBEEPROM_DATA_11R/Wblock变量不适用块读取/写入页面11.
写入时EEPROM必须首先解锁.
0xBCEEPROM_DATA_12R/Wblock变量不适用块读取/写入页面12.
写入时EEPROM必须首先解锁.
0xBDEEPROM_DATA_13R/Wblock变量不适用块读取/写入页面13.
写入时EEPROM必须首先解锁.
0xBEEEPROM_DATA_14R/Wblock变量不适用块读取/写入页面14.
写入时EEPROM必须首先解锁.
0xBFEEPROM_DATA_15R/Wblock变量不适用块读取/写入页面15.
写入时EEPROM必须首先解锁.
0xD1EEPROM_CRC_CHKSUMR1不适用从EEPROM下载操作返回CRC校验和值.
0xD2EEPROM_NUM_RD_BYTESR/W1不适用设置使用EEPROM_DATA_xx命令时返回的读取字节数.
0xD3EEPROM_ADDR_OFFSETR/W2不适用设置当前EEPROM页面的地址偏移.
0xD4EEPROM_PAGE_ERASEW1不适用0xD5EEPROM_PASSWORDW10xFF将密码写入该寄存器以解锁EEPROM和/或更改EEPROM密码.
0xD6TRIM_PASSWORDW10xFF将密码写入该寄存器以解锁校准寄存器,以便允许写入访问.
0xD7CHIP_PASSWORDW20xFFFF0xD8VIN_SCALE_MONITORR/W20x0001输入电压读数(READ_VIN)的比例因子.
0xD9IIN_SCALE_MONITORR/W20x0001输入电流读数(READ_IIN)的比例因子.
0xF1EEPROM_INFOReadblock变量不适用读取第一个故障信息.
0xFAMFR_SPECIFIC_1R/W10x000xFBMFR_SPECIFIC_2R/W10x00命令代码命令名称PMBus/SMBus处理类型数据字节数默认值1说明在选定页面上执行页面擦除(页面3至页面15).
每个页面擦除操作须等待35ms.
EEPROM必须首先解锁.
不允许擦除页面0和页面1.
将密码写入该寄存器以解锁芯片寄存器,以便允许寄存器写入.
存储用户自定义信息.
此寄存器还存储CS2高端模式工厂模拟校准值.
存储用户自定义信息测试.
此寄存器还存储CS2高端模式数字偏置校正值.
1N/A表示不适用.
ADP1051Rev.
0|Page55of108用户自定义扩展命令列表ADP1051表12.
用户自定义扩展命令列表概览地址寄存器功能标志配置寄存器0xFE00IIN_OC_FAST_FAULT_RESPONSE0xFE01CS3_OC_FAULT_RESPONSE,扩展VOUT_OV_FAULT_RESPONSE0xFE02VIN_UV_FAULT_RESPONSE0xFE03FLAGIN_RESPONSE,SR_RC_FAULT_RESPONSE0xFE05标志重新使能延迟,VDD_OV_RESPONSE软启动软件复位设置寄存器0xFE06软件复位GO命令0xFE07软件复位设置0xFE08同步整流器(SR)软启动设置0xFE09开环工作的软启动设置消隐和PGOOD设置寄存器0xFE0B软启动期间的标志消隐0xFE0C软启动期间的伏秒平衡消隐和SR禁用0xFE0DPGOOD屏蔽设置0xFE0EPGOOD标志去抖0xFE0F置位PGOOD的去抖时间开关频率和同步设置寄存器0xFE11同步延迟时间0xFE12同步通用设置0xFE13双端拓扑模式电流检测和限值设置寄存器0xFE14CS1增益校准CS2增益校准CS2数字偏置校正CS2模拟校准CS2轻载阈值IIN_OC_FAST_FAULT_LIMIT和SR_RC_FAULT_LIMITCS2深度轻载模式设置深度轻载模式时的PWM输出禁用匹配逐周期限流设置轻载模式和深度轻载模式设置CS1逐周期限流设置0xFE150xFE160xFE170xFE190xFE1A0xFE1B0xFE1C0xFE1D0xFE1E0xFE1F电压检测和限值设置寄存器0xFE20VS增益校准预偏置启动使能VOUT_OV_FAULT标志去抖VF增益校准VIN_ON和VIN_OFF延迟0xFE250xFE260xFE280xFE29温度检测和保护设置寄存器0xFE2ARTD增益校准RTD偏置校正(MSB)RTD偏置校正(LSB)RTD电流源设置OT磁滞设置0xFE2B0xFE2C0xFE2D0xFE2FRev.
0|Page56of108地址寄存器功能数字补偿器和调制设置寄存器0xFE30正常模式补偿器低频增益设置正常模式补偿器零点设置正常模式补偿器极点设置正常模式补偿器高频增益设置轻载模式补偿器低频增益设置轻载模式补偿器零点设置轻载模式补偿器极点设置轻载模式补偿器高频增益设置伏秒平衡的CS1阈值预偏置启动的额定调制值恒流速度和SR驱动器延迟PWM180°移相设置调制限值前馈和软启动滤波器增益0xFE310xFE320xFE330xFE340xFE350xFE360xFE370xFE380xFE390xFE3A0xFE3B0xFE3C0xFE3DPWM输出时序寄存器0xFE3EOUTA上升沿时序OUTA下降沿时序OUTA上升沿和下降沿时序(LSB)OUTB上升沿时序OUTB下降沿时序OUTB上升沿和下降沿时序(LSB)OUTC上升沿时序OUTC下降沿时序OUTC上升沿和下降沿时序(LSB)OUTD上升沿时序OUTD下降沿时序OUTD上升沿和下降沿时序(LSB)SR1上升沿时序SR1下降沿时序SR1上升沿和下降沿时序(LSB)SR2上升沿时序SR2下降沿时序SR2上升沿和下降沿时序(LSB)OUTA和OUTB调制设置OUTC和OUTD调制设置SR1和SR2调制设置PWM输出禁用0xFE3F0xFE400xFE410xFE420xFE430xFE440xFE450xFE460xFE470xFE480xFE490xFE4A0xFE4B0xFE4C0xFE4D0xFE4E0xFE4F0xFE500xFE510xFE520xFE53伏秒平衡控制寄存器0xFE54伏秒平衡控制通用设置OUTA和OUTB的伏秒平衡控制OUTC和OUTD的伏秒平衡控制SR1和SR2的伏秒平衡控制0xFE550xFE560xFE57占空比设置寄存器0xFE58占空比读数设置0xFE59输入电压补偿乘法器自适应死区补偿寄存器0xFE5A自适应死区补偿阈值OUTA死区时间OUTB死区时间OUTC死区时间OUTD死区时间SR1死区时间SR2死区时间0xFE5B0xFE5C0xFE5D0xFE5E0xFE5F0xFE60ADP1051Rev.
0|Page57of108地址寄存器功能其他设置寄存器0xFE61GO命令自定义寄存器开环输入电压前馈工作的调制参考MSB设置开环输入电压前馈工作的调制参考LSB设置电流值更新速率设置自适应死区补偿配置开环工作设置SR1和SR2的偏移设置跳脉冲模式阈值CS3_OC_FAULT_LIMITOVP选择的调制阈值OVP选择的调制标志同步期间的OUTA和OUTB校准基准同步期间的OUTC和OUTD校准基准同步期间的SR1和SR2校准基准0xFE620xFE630xFE640xFE650xFE660xFE670xFE680xFE690xFE6A0xFE6B0xFE6C0xFE6D0xFE6E0xFE6F用户自定义故障标志寄存器0xFEA0标志寄存器1标志寄存器2标志寄存器3锁存标志寄存器1锁存标志寄存器2锁存标志寄存器3第一个标志ID0xFEA10xFEA20xFEA30xFEA40xFEA50xFEA6用户自定义值读数寄存器ADP10510xFEA7CS1值CS2值CS3值VS值RTD值VF值占空比值输入功率值输出功率值0xFEA80xFEA90xFEAA0xFEAB0xFEAC0xFEAD0xFEAE0xFEAFRev.
0|Page58of108表13.
寄存器0x01—OPERATION位位名称/功能R/W说明位位名称/功能说明[7:6]使能R/W这些位决定设备对OPERATION命令的响应.
位7位6说明00立即关闭(无时序)01软关闭(根据编程设定的TOFF_DELAY命令关断)10设备开启11保留[5:4]调压控制R/W这些位设置电压调压电平.
位5位4说明00关01Margin10Marginhigh11保留[3:0]保留R保留.
表14.
寄存器0x02—ON_OFF_CONFIGR/W[7:5]保留R保留.
4开机控制R/W控制设备对OPERATION命令如何响应.
0=只要有电源,设备就开机.
1=仅当CTRL引脚和OPERATION命令要求时(根据寄存器0x02[3:0]的设置),设备才开机.
3命令使能R/W控制设备对OPERATION命令如何响应.
0=忽略OPERATION命令.
1=OPERATION命令必须设置为开启状态才能使能设备(还要设置位2).
2引脚使能R/W控制设备对CTRL引脚上的值如何响应.
0=忽略CTRL引脚.
1=CTRL引脚必须置位才能使能设备(还要设置位3).
1CTRL引脚极性R/W设置CTRL引脚的极性.
0=低电平有效.
1=高电平有效.
0关断延迟设置R/W关断时采取的操作.
0=使用TOFF_DELAY值(ADP1051不支持TOFF_FALL)停止对输出的能量传输.
1=尽快关闭输出并停止对输出的能量传输.
表15.
寄存器0x03—CLEAR_FAULTS类型不适用CLEAR_FAULTS发送同时清除PMBus状态寄存器(寄存器0x78至寄存器0x7E)中的所有位.
PMBus命令描述基本PMBus命令OPERATIONOPERATION命令与CTRL引脚的输入一起决定设备的开启和关闭.
它还用于将输出电压设置为较高或较低的电压裕量.
设备保持命令指示的工作模式,直到随后的OPERATION命令指示设备变更到其它工作模式.
位位名称/功能说明ON_OFF_CONFIGON_OFF_CONFIG命令配置开关设备所需的CTRL引脚输入与串行总线命令的组合,包括施加电源时设备如何响应.
CLEAR_FAULTSCLEAR_FAULTS命令是一个发送字节,无数据.
该命令将所有PMBus状态寄存器内的所有PMBus故障位同时清零.
ADP1051Rev.
0|Page59of108表16.
寄存器0x10—WRITE_PROTECT位位名称/功能R/W说明7写保护1R/W禁用对除WRITE_PROTECT命令以外的所有命令的写操作.
6写保护2R/W禁用对除WRITE_PROTECT和OPERATION命令以外的所有命令的写操作.
5写保护3R/W禁用对除WRITE_PROTECT、OPERATION、ON_OFF_CONFIG和VOUT_COMMAND命令以外的所有命令的写操作.
[4:0]保留R保留.
表17.
寄存器0x12—RESTORE_DEFAULT_ALL位位名称/功能类型说明不适用RESTORE_DEFAULT_ALL发送将EEPROM中的工厂默认设置恢复到寄存器.
表18.
寄存器0x15—STORE_USER_ALL位位名称/功能类型说明不适用STORE_USER_ALL发送将寄存器中的用户设置保存到EEPROM.
表19.
寄存器0x16—RESTORE_USER_ALL位位名称/功能类型说明不适用RESTORE_USER_ALL发送将EEPROM中的用户设置恢复到寄存器.
表20.
寄存器0x19—CAPABILITY位位名称/功能R/W说明[7]分组差错R检查设备的分组差错能力.
0=不支持.
[6:5]最高总线速度R检查设备的PMBus速度能力.
01=最高总线速度为400kHz.
4SMBALERTR检查是否支持SMBALERT引脚和SMBus报警响应协议.
0=不支持.
[3:0]保留R保留.
WRITE_PROTECTWRITE_PROTECT命令用于控制对PMBus设备的写操作.
该命令的目的是防止意外更改.
该命令不是用于防止对设备配置或操作的有意或恶意更改.
RESTORE_DEFAULT_ALLRESTORE_DEFAULT_ALL命令是一个发送字节,无数据.
该命令将工厂默认设置(包括基本PMBus命令、用户自定义扩展命令(以0xFE开头)以及校验和、EEPROM密码、芯片密码等其它数据)从EEPROM(主模块的页面0)下载到寄存器.
STORE_USER_ALLSTORE_USER_ALL命令是一个发送字节,无数据.
该命令将寄存器的全部内容复制到EEPROM内(主模块的页面1)作为用户设置.
这些设置在VDD开机时自动恢复.
RESTORE_USER_ALLRESTORE_USER_ALL命令是一个发送字节,无数据.
该命令将存储的用户设置(包括基本PMBus命令、用户自定义扩展命令(以0xFE开头)以及校验和、EEPROM密码、芯片密码等其它数据)从EEPROM(主模块的页面1)下载到寄存器.
CAPABILITY该命令总结ADP1051支持的PMBus可选通信协议.
此命令的读出结果应为0x20.
ADP1051Rev.
0|Page60of108表21.
寄存器0x20—VOUT_MODE位位名称/功能R/W说明位位名称/功能说明[7:5]模式R输出电压数据格式.
值为固定的000,意味着仅支持线性格式.
[4:0]指数R线性格式的输出电压相关命令的N值:V=Yx2N.
值为固定的10110(二进制补码,十进制为10).
线性格式值的指数为10.
表22.
寄存器0x21—VOUT_COMMANDR/W位位名称/功能说明[15:0]尾数R/W设置输出电压基准值(单位为V).
线性格式的16位无符号整数Y值:V=Yx2N.
N在VOUT_MODE命令中定义.
表23.
寄存器0x22—VOUT_TRIMR/W位位名称/功能说明[15:0]尾数R/W设置输出电压校准值.
线性格式的16位二进制补码Y值:V=Yx2N.
N在VOUT_MODE命令中定义.
表24.
寄存器0x23—VOUT_CAL_OFFSETR/W位位名称/功能说明[15:0]尾数R/W设置输出电压校准值.
线性格式的16位二进制补码Y值:V=Yx2N.
N在VOUT_MODE命令中定义.
表25.
寄存器0x24—VOUT_MAXR/W[15:0][15:0]尾数R/W设置输出电压上限.
线性格式的16位无符号整数Y值:V=Yx2N.
N在VOUT_MODE命令中定义.
VOUT_MODEVOUT_MODE命令设置输出电压相关数据的格式.
VOUT_MODE命令的数据字节由一个3位模式和5位指数参数组成.
3位模式决定设备的输出电压相关命令使用线性格式还是直接格式.
5位参数设置线性格式的指数值.
VOUT_COMMANDVOUT_COMMAND命令设置输出电压.
在输出活动且处于稳态时,如果该命令被更改,则使用VOUT_TRANSITION_RATE命令.
VOUT_TRIMVOUT_TRIM命令对输出电压命令值应用固定的偏移电压.
它通常由用户设置,在PMBus设备被组装到用户系统中时校准输出电压.
校准范围是32V至+32V,每个LSB分辨率是210=0.
9765625mV.
VOUT_CAL_OFFSETVOUT_CAL_OFFSET命令用于对输出电压命令值应用固定的偏移电压.
它通常由PMBus设备制造商使用,以便在工厂校准设备.
校准范围是32V至+32V,每个LSB大小是210=0.
9765625mV.
VOUT_MAXVOUT_MAX命令设置设备可以达到的输出电压上限,与任何其它命令或命令组合无关.
若尝试设置高于此命令设置的限值的输出电压,设备将做出如下响应:要求的输出电压设置为VOUT_MAX值.
STATUS_BYTE命令中的NONEOFTHEABOVE位(寄存器0x78[0])置1.
STATUS_WORD命令中的VOUT位(寄存器0x79[15])置1.
STATUS_VOUT命令中的VOUT_MAX位(寄存器0x7A[3])置1.
ADP1051Rev.
0|Page61of108表26.
寄存器0x25—VOUT_MARGIN_HIGHADP1051位位名称/功能R/W说明位位名称/功能说明位位名称/功能说明[15:0]尾数R/W设置输出电压的MarginHigh值(单位为V).
线性格式的16位无符号整数Y值:V=Yx2N.
N由VOUT_MODE命令定义.
表27.
寄存器0x26—VOUT_MARGIN_LOWR/W[15:0]尾数R/W设置输出电压的MarginLow值(单位为V).
线性格式的16位无符号整数Y值:V=Yx2N.
N由VOUT_MODE命令定义.
3:1MUXLIMITERVOUT_MAXOPERATIONCOMMANDVOUT_MARGIN_HIGHVOUT_MARGIN_LOWVOUT_TRIMVOUT_CAL_OFFSETVOUT_DROOPIOUTVOUT_COMMANDVOUT_SCALE_LOOPREFERENCEVOLTAGEEQUIVALENT11443-061图62.
输出电压相关命令的概念视图表28.
寄存器0x27—VOUT_TRANSITION_RATE(ADP1051支持的变化率选项)寄存器设置变化率(mV/μs)1001100000001101(0x980D)0.
00156251010000000001101(0xA00D)0.
0031251010100000001101(0xA80D)0.
006251011000000001101(0xB00D)0.
01251011100000001101(0xB80D)0.
0251100000000001101(0xC00D)0.
0501100100000001101(0xC80D)0.
11101000000001101(0xD00D)0.
20111101111111111(0x7BFF)无限大(默认)表28.
寄存器0x27—VOUT_TRANSITION_RATE(ADP1051支持的变化率选项)R/W[15:11]指数R/W线性格式的5位二进制补码N值:X=Yx2N.
[10:0]尾数R/W线性格式的11位二进制补码Y值:X=Yx2N.
VOUT_MARGIN_HIGHVOUT_MARGIN_HIGH命令设置OPERATION命令设为MarginHigh时输出要改变到的目标电压.
在输出活动且处于稳态时,如果该命令被更改,则使用VOUT_TRANSITION_RATE命令.
VOUT_MARGIN_LOWVOUT_MARGIN_LOW命令设置OPERATION命令设为MarginLow时输出要改变到的目标电压.
在输出活动且处于稳态时,如果该命令被更改,则使用VOUT_TRANSITION_RATE命令.
VOUT_TRANSITION_RATE当设备收到导致输出电压改变的VOUT_COMMAND命令或OPERATION命令(MarginHigh、MarginLow)时,此命令设置VS±引脚改变电压的速率,单位为mV/s.
设备开启或关闭时,该命令指示的变化率不适用.
两个数据字节的最大正值(0x7BFF)表示设备应尽可能快地完成转变.
ADP1051仅支持下列有限的选项.
Rev.
0|Page62of108表30.
寄存器0x28—VOUT_DROOP位位名称/功能R/W说明位位名称/功能说明[15:11]指数R线性格式的5位二进制补码N值:X=Yx2N.
N为固定值0.
[10:8]尾数高位R尾数高位Y[10:8],固定值0.
[7:0]尾数低位R/W线性格式的尾数低位Y[7:0]:X=Yx2N.
表31.
寄存器0x29—VOUT_SCALE_LOOPR/W位位名称/功能说明[15:11]指数R/W线性格式的5位二进制补码N值:KR=Yx2N.
N应在12至0(十进制)的范围内.
[10:0]尾数R/W线性格式的11位二进制补码Y值:KR=Yx2N.
VOUTKRRESISTORDIVIDERRATIOERRORPROCESSING/CONTROLLOOPPMBusDEVICEVOUT_SCALE_LOOPVOUT_COMMANDK1611443-062图63.
VOUT_SCALE_LOOP命令的概念视图表32.
寄存器0x2A—VOUT_SCALE_MONITORR/W[15:11]指数R/W线性格式的5位二进制补码N值:KR=Yx2N.
N应在12至0(十进制)的范围内.
[10:0]尾数R/W线性格式的11位二进制补码Y值:KR=Yx2N.
VOUT_DROOPVOUT_DROOP命令设置输出电压随着输出电流提高(或降低)而降低(或提高)的速率,单位为mV/A(mΩ),用于自适应电压定位要求和被动电流共享方案.
ADP1051的VOUT_DROOP范围是0x0000到0x00FF(0mΩ至255mΩ).
不在此范围内的值无效.
任何无效值将产生CML错误.
VOUT_SCALE_LOOPVOUT_SCALE_LOOP命令与反馈电阻比相等.
额定输出电压由电阻分压器和内部1V基准电压设置.
例如,若额定输出电压为12V,则VOUT_SCALE_LOOP值=1V/12V=0.
08333,VOUT_SCALE_LOOP可设置为0xA155.
VOUT_SCALE_MONITOR该命令通常与VOUT_SCALE_LOOP命令相同.
它配合READ_VOUT命令(寄存器0x8B)读取输出电压.
ADP1051Rev.
0|Page63of108表33.
寄存器0x33—FREQUENCY_SWITCH(ADP1051支持的选项)寄存器设置开关频率(kHz)精确开关周期(s)0000000000110001(0x0031)4920.
480000000000111000(0x0038)5617.
920000000000111100(0x003C)6016.
640000000001000001(0x0041)6515.
360000000001000111(0x0047)7114.
080000000001001110(0x004E)7812.
800000000001010111(0x0057)8711.
521111100011000011(0xF8C3)97.
510.
240000000001101000(0x0068)1049.
601111100011011111(0xF8DF)111.
58.
960000000001111000(0x0078)1208.
320000000010000010(0x0082)1307.
680000000010001000(0x0088)1367.
360000000010001110(0x008E)1427.
040000000010010101(0x0095)1496.
721111100100111001(0xF939)156.
56.
401111100101001001(0xF949)164.
56.
081111100101011011(0xF95B)173.
55.
760000000010111000(0x00B8)1845.
441111100110000111(0xF987)195.
55.
121111100110010011(0xF993)201.
54.
961111100110100001(0xF9A1)208.
54.
801111100110101111(0xF9AF)215.
54.
640000000011011111(0xDF)2234.
481111100111001111(0xF9CF)231.
54.
321111100111100001(0xF9E1)240.
54.
160000000011111010(0x00FA)2504.
001111101000001001(0xFA09)260.
53.
841111101000011111(0xFA1F)271.
53.
680000000100011100(0x011C)2843.
521111101001010011(0xFA53)297.
53.
361111101001110001(0xFA71)312.
53.
201111101010000001(0xFA81)320.
53.
120000000101001001(0x0149)3293.
040000000101010010(0x0152)3382.
960000000101011011(0x15B)3472.
880000000101100101(0x0165)3572.
801111101011011111(0xFADF)367.
52.
720000000101111011(0x017B)3792.
641111101100001101(0xFB0D)390.
52.
560000000110001101(0x018D)3972.
520000000110010011(0x0193)4032.
480000000110011010(0x019A)4102.
44FREQUENCY_SWITCHFREQUENCY_SWITCH命令设置开关频率(单位为kHz),使用线性格式.
ADP1051仅支持下列有限的开关频率选项.
在ADP1051中,开关频率根据开关周期计算,所用的开关周期值是一个精确的测量值,而开关频率则可能不是.
例如,对于第一个开关频率选项49kHz(见表33),实际开关频率计算如下:1/(20.
48s)=48.
828125kHz,约等于49kHz.
为避免开关频率设置错误,必须使用寄存器0xFE61[2:1]中的GO命令锁定此设置和PWM设置.
ADP1051Rev.
0|Page64of108寄存器设置开关频率(kHz)精确开关周期(s)1111101101000001(0xFB41)416.
52.
401111101101001111(0xFB4F)423.
52.
360000000110101111(0x1AF)4312.
321111101101101101(0xFB6D)438.
52.
281111101101111101(0xFB7D)446.
52.
241111101110001101(0xFB8D)454.
52.
200000000111001111(0x01CF)4632.
160000000111011000(0x01D8)4722.
120000000111100001(0x01E1)4812.
080000000111101010(0x1EA)4902.
040000000111110100(0x1F4)5002.
000000000111111110(0x01FE)5101.
960000001000001000(0x0208)5201.
920000001000010011(0x0213)5311.
880000001000011111(0x0x21F)5431.
840000001000101100(0x022C)5561.
800000001000111000(0x0238)5681.
760000001001000101(0x0245)5811.
720000001001010011(0x0253)5951.
680000001001100010(0x0262)6101.
640000001001110001(0x0271)6251.
60表34.
寄存器0x33—FREQUENCY_SWITCH位位名称/功能R/W说明位位名称/功能说明[15:11]指数R/W线性格式的5位二进制补码N值:X=Yx2N.
[10:0]尾数R/W线性格式的11位二进制补码Y值:X=Yx2N.
表35.
寄存器0x35—VIN_ONR/W位位名称/功能说明[15:11]指数R/W线性格式的5位二进制补码N值:X=Yx2N.
N应在12至0(十进制)的范围内.
[10:0]尾数R/W线性格式的11位二进制补码Y值:X=Yx2N.
表36.
寄存器0x36—VIN_OFFR/W[15:11]指数R/W线性格式的5位二进制补码N值:X=Yx2N.
N应在12至0(十进制)的范围内.
[10:0]尾数R/W线性格式的11位二进制补码Y值:X=Yx2N.
VIN_ONVIN_ON命令设置设备开始电源转换的输入电压值(单位为V).
VIN_OFFVIN_OFF命令设置操作开始后设备停止电源转换的输入电压值(单位为V).
ADP1051Rev.
0|Page65of108表37.
寄存器0x38—IOUT_CAL_GAIN位位名称/功能R/W说明位位名称/功能说明[15:11]指数R/W线性格式的5位二进制补码N值:X=Yx2N.
N应在12至0(十进制)的范围内.
[10:0]尾数R/W线性格式的11位二进制补码Y值:X=Yx2N.
RSENSEVMEASURED(IOUT)READ_IOUTIOUT_CAL_GAINIOUT+–ADC11443-063图64.
输出电流相关命令的概念视图表38.
寄存器0x40—VOUT_OV_FAULT_LIMITR/W位位名称/功能说明[15:0]尾数R/W线性模式格式的16位无符号整数Y值:X=Yx2N.
N由VOUT_MODE命令定义.
注意,可用OV保护限值必须在额定输出电压的75%到150%范围内.
VOUT_OV_FAULT_RESPONSE表39.
寄存器0x41—VOUT_OV_FAULT_RESPONSER/W[7:6]响应R/W[5:3]重试设置R/W[2:0]延迟时间R/W这些位设置各次重启尝试之间的延迟时间.
位2位1位0延迟时间2(ms)00025200158801092401112601001596101193211022681112604IOUT_CAL_GAINIOUT_CAL_GAIN命令设置电流检测元件的电压与检测电流之比.
对于使用固定电流检测电阻的设备,其值通常与该电阻的电阻值相同.
单位为毫欧(mΩ).
该命令通常与READ_IOUT命令一起使用.
VOUT_OV_FAULT_LIMITVOUT_OV_FAULT_LIMIT命令设置输出电压过压保护的阈值.
00=不中断地继续工作.
01=在寄存器0xFE26[7:6]指定的去抖时间(延迟时间1)内继续工作.
如果故障仍然存在,按此命令的重试设置(位[5:3])指定的次数重试.
10=关断并根据位[5:3]中的重试设置响应.
11=故障存在时,输出禁用.
故障条件不再存在时,操作恢复且输出使能.
000=不尝试重启.
输出保持禁用,直到故障被清除.
001至110=尝试按照这些位指定的次数重启.
如果在允许的重试次数后ADP1051仍然无法重启,输出将禁用并保持关闭,直至故障清除.
各次重启尝试的开始时间间隔由位[2:0]中的延迟时间2值设置,还要加上针对该特定故障指定的延迟时间.
111=尝试无限制次数地连续重启,直到被命令停止(由CTRL引脚和/或OPERATION命令)、VDD被移除或其它故障导致设备关断.
ADP1051Rev.
0|Page66of108表40.
寄存器0x44—VOUT_UV_FAULT_LIMIT位位名称/功能R/W位名称/功能位位名称/功能位名称/功能[15:0]尾数R/W线性格式的16位无符号整数Y值:X=Yx2N.
N由VOUT_MODE命令定义.
VOUT_UV_FAULT_RESPONSE表41.
寄存器0x45—VOUT_UV_FAULT_RESPONSER/W[7:6]响应R/W[5:3]重试设置R/W[2:0]延迟时间R/W位2位1位0延迟时间1(ms)延迟时间2(ms)0000252001205880104092401180126010016015961013201932110640226811112802604VOUT_UV_FAULT_LIMITVOUT_UV_FAULT_LIMIT命令设置输出电压欠压保护的阈值.
00=不中断地继续工作.
01=在延迟时间1(位[2:0])内继续操作.
如果故障仍然存在,按重试设置(位[5:3])指定的次数重试.
10=关断(禁用输出)并根据位[5:3]中的重试设置响应.
11=故障存在时,输出禁用.
故障条件不再存在时,操作恢复且输出使能.
000=不尝试重启.
输出保持禁用,直到故障被清除.
001至110=尝试按照这些位指定的次数重启.
如果在允许的重试次数后设备仍然无法重启,输出将禁用并保持关闭,直至故障清除.
各次重启尝试的开始时间间隔由位[2:0]中的延迟时间2值设置,还要加上针对该特定故障指定的延迟时间.
111=尝试无限制地连续重启,直到被命令停止(由CTRL引脚和/或OPERATION命令)、VDD被移除或其它故障导致设备关断.
这些位设置位[7:6]和位[5:3]所述的VOUT_UV_FAULT_RESPONSE延迟时间1和延迟时间2的延迟时间.
ADP1051Rev.
0|Page67of108表42.
寄存器0x46—IOUT_OC_FAULT_LIMIT位位名称/功能R/W说明位位名称/功能说明[15:11]指数R/W线性格式的5位二进制补码N值:X=Yx2N.
N应在12至0(十进制)的范围内.
[10:0]尾数R/W线性格式的11位二进制补码Y值:X=Yx2N.
IOUT_OC_FAULT_RESPONSE表43.
寄存器0x47—IOUT_OC_FAULT_RESPONSER/W位位名称/功能说明[7:6]响应R/W[5:3]重试设置R/W[2:0]延迟时间R/W这些位设置延迟时间.
位2位1位0延迟时间1(ms)延迟时间2(ms)0000252001205880104092401180126010016015961013201932110640226811112802604表44.
寄存器0x48—IOUT_OC_LV_FAULT_LIMITR/W[15:0]尾数R/W线性格式的16位无符号整数Y值:X=Yx2N.
N在VOUT_MODE命令中定义.
IOUT_OC_FAULT_LIMITIOUT_OC_FAULT_LIMIT命令设置输出电压过流保护的阈值.
00=在限流模式下工作,输出电流维持在IOUT_OC_FAULT_LIMIT,无论输出电压为何值(称为恒流模式).
01=在限流模式下工作,只要输出电压高于IOUT_OC_LV_FAULT_LIMIT,输出电流便维持在IOUT_OC_FAULT_LIMIT.
如果输出电压降低至该值以下,ADP1051将关断并根据位[5:3]中的重试设置响应.
10=在限流模式下机组工作位[2:0]设置的延迟时间1,无论输出电压为何值.
延迟时间结束时,如果ADP1051仍然工作在限流模式,它将按照位[5:3]的重试设置响应.
11=关断并根据位[5:3]中的重试设置响应.
000=不尝试重启.
输出保持禁用,直到故障被清除.
001至110=尝试按照这些位指定的次数重启.
经过允许的重试次数后,如果ADP1051未能重启(故障条件不再存在,ADP1051向输出输送能量并按照编程设置工作),它将禁用输出并保持关闭,直至故障清除.
各次重启尝试的开始时间间隔由位[2:0]中的延迟时间2值设置,还要加上针对该特定故障指定的延迟时间.
111=尝试无限制地连续重启,直到被命令停止(由CTRL引脚和/或OPERATION命令)、偏置电源被移除或其它故障导致设备关断.
IOUT_OC_LV_FAULT_LIMITIOUT_OC_LV_FAULT_LIMIT命令设置以下情况的电压阈值:对过流状况的响应是进入恒流工作模式,除非输出电压降至指定的限值以下.
ADP1051Rev.
0|Page68of108表45.
寄存器0x4F—OT_FAULT_LIMIT位位名称/功能R/W说明位位名称/功能说明[15:11]指数R线性格式的5位二进制补码N值:X=Yx2N.
N为固定值0.
[10:8]尾数高位R尾数高位Y[10:8],固定值0.
[7:0]尾数低位R/W线性格式的尾数低位Y[7:0]:X=Yx2N.
OT_FAULT_RESPONSE表46.
寄存器0x50—OT_FAULT_RESPONSER/W[7:6]响应R/W[5:3]重试设置R/W[2:0]延迟时间R/W这些位设置延迟时间.
位2位1位0延迟时间1(s)延迟时间2(ms)0001252001158801019240111126010011596101119321101226811112604OT_FAULT_LIMITOT_FAULT_LIMIT命令设置过温保护的阈值(单位为°C).
范围为0°C至156°C.
如果设置值超出范围,限值将是156,返回值为156.
00=不中断地继续工作.
01=继续工作位[2:0]指定的延迟时间1和该特定故障指定的延迟时间.
延迟时间结束时,如果故障仍然存在,设备将按照位[5:3]的重试设置响应.
10=关断(禁用输出)并根据位[5:3]中的重试设置响应.
11=故障存在时,输出禁用.
故障条件不再存在时,操作恢复且输出使能.
000=不尝试重启.
输出保持禁用,直到故障被清除.
001至110=尝试按照这些位指定的次数重启.
如果在允许的重试次数后设备仍然无法重启,输出将禁用并保持关闭,直至故障清除.
各次重启尝试的开始时间间隔由位[2:0]中的延迟时间2值设置,还要加上针对该特定故障指定的延迟时间.
111=尝试无限制地连续重启,直到被命令停止(由CTRL引脚和/或OPERATION命令)、VDD被移除或其它故障导致设备关断.
ADP1051Rev.
0|Page69of108表47.
寄存器0x5E—POWER_GOOD_ON位位名称/功能R/W说明[15:0]尾数R/W设置POWER_GOOD_ON命令的输出电压.
线性格式的16位无符号整数Y值:X=Yx2N.
N由VOUT_MODE命令定义.
表48.
寄存器0x5F—POWER_GOOD_OFF位位名称/功能R/W说明[15:0]尾数R/W设置POWER_GOOD_OFF命令的输出电压.
线性格式的16位无符号整数Y值:X=Yx2N.
N由VOUT_MODE命令定义.
表49.
寄存器0x60—TON_DELAY(ADP1051支持的开启延迟选项)寄存器设置开启延迟时间(ms)0000000000000000(0x0000)00000000000001010(0x000A)100000000000011001(0x0019)250000000000110010(0x0032)500000000001001011(0x004B)750000000001100100(0x0064)1000000000011111010(0x00FA)2500000001111101000(0x03E8)1000表50.
寄存器0x60—TON_DELAY位位名称/功能R/W说明ADP1051[15:11]指数R/W线性格式的5位二进制补码N值:X=Yx2N.
[10:0]尾数R/W线性格式的11位二进制补码Y值:X=Yx2N.
表51.
寄存器0x61—TON_RISE(ADP1051支持的开启上升时间选项)寄存器设置开启上升时间(ms)1100000000001101(0xC00D)0.
051101000000001101(0xD00D)0.
21111000000000111(0xF007)1.
751111100000010101(0xF815)10.
50000000000010101(0x0015)211111000010100001(0xF0A1)40.
250000000000111100(0x003C)600000000001100100(0x0064)100表52.
寄存器0x61—TON_RISE位位名称/功能R/W说明[15:11]指数R/W线性格式的5位二进制补码N值:X=Yx2N.
[10:0]尾数R/W线性格式的11位二进制补码Y值:X=Yx2N.
POWER_GOOD_ONPOWER_GOOD_ON命令设置POWER_GOOD信号置位的输出电压(单位为V).
STATUS_WORD命令中的POWER_GOOD状态位(POWER_GOOD)始终反映VOUT相对于POWER_GOOD_ON和POWER_GOOD_OFF限值的关系.
POWER_GOOD_OFFPOWER_GOOD_OFF命令设置POWER_GOOD信号被反向的输出电压(单位为V).
STATUS_WORD命令中的POWER_GOOD状态位(POWER_GOOD)始终反映VOUT相对于POWER_GOOD_ON和POWER_GOOD_OFF限值的关系.
TON_DELAYTON_DELAY命令设置开启延迟时间(单位为ms).
ADP1051仅支持下列选项.
TON_RISETON_RISE命令设置开启上升时间(单位为ms).
ADP1051仅支持下列值.
Rev.
0|Page70of108表53.
寄存器0x64—TOFF_DELAY(ADP1051支持的关闭延迟选项)寄存器设置关闭延迟时间(ms)0000000000000000(0x0000)00000000000110010(0x0032)500000000011111010(0x00FA)2500000001111101000(0x03E8)1000表54.
寄存器0x64—TOFF_DELAY位位名称/功能R/W说明位位名称/功能说明[15:11]指数R/W线性格式的5位二进制补码N值:X=Yx2N.
[10:0]尾数R/W线性格式的11位二进制补码Y值:X=Yx2N.
STATUS_BYTE表55.
寄存器0x78—STATUS_BYTER/W位位名称/功能说明7保留R保留.
6POWER_OFFR无论何种原因,包括未使能,使得设备未向输出输送能量,此位都会置位.
5VOUT_OV_FAULTR发生输出过压故障.
4IOUT_OC_FAULTR发生输出过流故障.
3VIN_UV_FAULTR发生输入欠压故障.
2TEMPERATURER发生温度故障或报警.
1CMLR发生通信、存储器或逻辑故障.
0NONEOFTHEABOVER发生位[7:1]未列出的故障或报警.
STATUS_WORD表56.
寄存器0x79—STATUS_WORDsR/W15VOUTRSTATUS_VOUT中的任何位置位都会置位该位.
14IOUTRSTATUS_IOUT中的任何位置位都会置位该位.
13INPUTRSTATUS_INPUT中的任何位置位都会置位该位.
12保留R保留.
11POWER_GOODR[10:7]保留R保留.
6POWER_OFFR无论何种原因,包括未使能,使得设备未向输出输送能量,此位都会置位.
5VOUT_OV_FAULTR发生输出过压故障.
4IOUT_OC_FAULTR发生输出过流故障.
3VIN_UV_FAULTR发生输入欠压故障.
2TEMPERATURER发生过温故障或报警.
1CMLR发生通信、存储器或逻辑故障.
0NONEOFTHEABOVER发生位[7:1]未列出的故障或报警.
TOFF_DELAYTOFF_DELAY命令设置关闭延迟时间(单位为ms).
ADP1051仅支持表53列出的值.
POWER_GOOD是POWER_GOOD的反向,意味着输出电源不正常.
当检测到的VOUT低于POWER_GOOD_OFF命令设置的限值时,该位置1.
当检测到的VOUT高于POWER_GOOD_ON命令设置的限值时,该位清0.
该标志也会触发寄存器0xFEA0[6]中的PGOOD标志.
ADP1051Rev.
0|Page71of108STATUS_VOUT表57.
寄存器0x7A—STATUS_VOUT位位名称/功能R/W说明7VOUT_OV_FAULTR发生输出过压故障.
[6:5]保留R保留.
4VOUT_UV_FAULTR发生输出欠压故障.
3VOUT_MAX警告尝试将输出电压设置为高于VOUT_MAX命令允许的值.
[2:0]保留R保留.
STATUS_IOUT表58.
寄存器0x7B—STATUS_IOUT位位名称/功能R/W说明7IOUT_OC_FAULTR发生输出过流故障.
[6:0]保留R保留.
STATUS_INPUT表59.
寄存器0x7C—STATUS_INPUT位位名称/功能R/W说明[7:5]保留R保留.
4VIN_UV_FAULTR发生输入欠压故障.
3VIN_LOWR设备因为输入电压不足而关闭.
2IIN_OC_FAST_FAULTR发生输入过流快速故障.
[1:0]保留R保留.
STATUS_TEMPERATURE表60.
寄存器0x7D—STATUS_TEMPERATURE位位名称/功能R/W说明7OT_FAULTR发生过温故障.
6OT_WARNINGR发生过温报警.
[5:0]保留R保留.
STATUS_CML表61.
寄存器0x7E—STATUS_CML位位名称/功能R/W说明7CMD_ERRR收到无效或不支持的命令.
6DATA_ERRR收到无效或不支持的数据.
[5:2]保留R保留.
1COMM_ERRR检测到其它通信故障.
0保留R保留.
表62.
寄存器0x88—READ_VIN位位名称/功能R/W说明[15:11]指数R线性格式的5位二进制补码N值:X=Yx2N.
[10:0]尾数R线性格式的11位二进制补码Y值:X=Yx2N.
表63.
寄存器0x89—READ_IIN位位名称/功能R/W说明[15:11]指数R线性格式的5位二进制补码N值:X=Yx2N.
[10:0]尾数R线性格式的11位二进制补码Y值:X=Yx2N.
READ_VINREAD_VIN命令返回线性格式的输入电压值(V).
READ_IINREAD_IIN命令返回线性格式的输入电流值(A).
ADP1051Rev.
0|Page72of108表64.
寄存器0x8B—READ_VOUT位位名称/功能R/W说明[15:0]尾数R线性格式的16位无符号整数Y值:X=Yx2N.
N在VOUT_MODE命令中定义.
表65.
寄存器0x8C—READ_IOUT位位名称/功能R/W说明[15:11]指数R线性格式的5位二进制补码N值:X=Yx2N.
[10:0]尾数R线性格式的11位二进制补码Y值:X=Yx2N.
表66.
寄存器0x8D—READ_TEMPERATURE位位名称/功能R/W说明[15:11]指数R线性格式的5位N值:X=Yx2N.
5位二进制补码固定值00000.
[10:0]尾数R线性格式的11位二进制补码Y值:X=Yx2N.
表67.
寄存器0x94—READ_DUTY_CYCLE位位名称/功能R/W说明[15:11]指数R线性格式的5位N值:X=Yx2N.
5位二进制补码固定值10110(十进制为10).
[10:0]尾数R线性格式的11位二进制补码Y值:X=Yx2N.
表68.
寄存器0x95—READ_FREQUENCY位位名称/功能R/W说明[15:11]指数R线性格式的5位二进制补码N值:X=Yx2N.
[10:0]尾数R线性格式的11位二进制补码Y值:X=Yx2N.
表69.
寄存器0x98—READ_PMBUS_REVISION位位名称/功能R/W说明[7:4]第一部分修订R符合PMBus规范第一部分:0010=1.
2版.
[3:0]第二部分修订R符合PMBus规范第二部分:0010=1.
2版.
READ_VOUTREAD_VOUT命令返回线性格式的输出电压值(V).
READ_IOUTREAD_IOUT命令返回线性格式的输出电流值(A).
READ_TEMPERATUREREAD_TEMPERATURE命令返回线性格式的温度值(°C).
READ_DUTY_CYCLEREAD_DUTY_CYCLE命令返回线性格式的PWM输出值占空比.
READ_FREQUENCYREAD_FREQUENCY命令返回线性格式的开关频率值.
READ_PMBUS_REVISIONREAD_PMBUS_REVISION命令返回PMBus版本信息.
ADP1051支持PMBus1.
2版.
此命令的读出结果为值0x22.
ADP1051Rev.
0|Page73of108MFR_ID表70.
寄存器0x99—MFR_ID位位名称/功能R/W说明[7:0]MFR_IDR/W读取/写入制造商的ID信息,可保存在EEPROM中.
MFR_MODEL表71.
寄存器0x9A—MFR_MODEL位位名称/功能R/W说明[7:0]MFR_MODELR/W读取/写入制造商的型号信息,可保存在EEPROM中.
MFR_REVISION表72.
寄存器0x9B—MFR_REVISION位位名称/功能R/W说明[7:0]MFR_REVISIONR/W读取/写入制造商的版本信息,可保存在EEPROM中.
IC_DEVICE_ID表73.
寄存器0xAD—IC_DEVICE_ID位位名称/功能R/W说明[15:0]IC_DEVICE_IDR读取IC设备ID(默认值=0x4151).
IC_DEVICE_REV表74.
寄存器0xAE—IC_DEVICE_REV位位名称/功能R/W说明[7:0]IC_DEVICE_REVR读取IC版本信息.
当前芯片的值为0x20.
EEPROM_DATA_00表75.
寄存器0xB0—EEPROM_DATA_00位位名称/功能R/W说明[7:0]EEPROM_DATA_00块读取块读取EEPROM主模块的页面0中的数据.
EEPROM必须首先解锁.
EEPROM_DATA_01表76.
寄存器0xB1—EEPROM_DATA_01位位名称/功能R/W说明[7:0]EEPROM_DATA_01块读取块读取EEPROM主模块的页面1中的数据.
EEPROM必须首先解锁.
EEPROM_DATA_02表77.
寄存器0xB2—EEPROM_DATA_02位位名称/功能R/W说明[7:0]EEPROM_DATA_02块读取/写入块读取/写入EEPROM主模块的页面2的数据.
EEPROM必须首先解锁.
此页面不宜用于其它目的.
EEPROM_DATA_03表78.
寄存器0xB3—EEPROM_DATA_03位位名称/功能R/W说明[7:0]EEPROM_DATA_03块读取/写入块读取/写入EEPROM主模块的页面3的数据.
EEPROM必须首先解锁.
此页面保留用于存储电源板参数数据供GUI使用.
EEPROM_DATA_04表79.
寄存器0xB4—EEPROM_DATA_04位位名称/功能R/W说明[7:0]EEPROM_DATA_04块读取/写入块读取/写入EEPROM主模块的页面4的数据.
EEPROM必须首先解锁.
ADP1051Rev.
0|Page74of108EEPROM_DATA_05表80.
寄存器0xB5—EEPROM_DATA_05位位名称/功能R/W说明[7:0]EEPROM_DATA_05块读取/写入块读取/写入EEPROM主模块的页面5的数据.
EEPROM必须首先解锁.
EEPROM_DATA_06表81.
寄存器0xB6—EEPROM_DATA_06位位名称/功能R/W说明[7:0]EEPROM_DATA_06块读取/写入块读取/写入EEPROM主模块的页面6的数据.
EEPROM必须首先解锁.
EEPROM_DATA_07表82.
寄存器0xB7—EEPROM_DATA_07位位名称/功能R/W说明[7:0]EEPROM_DATA_07块读取/写入块读取/写入EEPROM主模块的页面7的数据.
EEPROM必须首先解锁.
EEPROM_DATA_08表83.
寄存器0xB8—EEPROM_DATA_08位位名称/功能R/W说明[7:0]EEPROM_DATA_08块读取/写入块读取/写入EEPROM主模块的页面8的数据.
EEPROM必须首先解锁.
EEPROM_DATA_09表84.
寄存器0xB9—EEPROM_DATA_09位位名称/功能R/W说明[7:0]EEPROM_DATA_09块读取/写入块读取/写入EEPROM主模块的页面9的数据.
EEPROM必须首先解锁.
EEPROM_DATA_10表85.
寄存器0xBA—EEPROM_DATA_10位位名称/功能R/W说明[7:0]EEPROM_DATA_10块读取/写入块读取/写入EEPROM主模块的页面10的数据.
EEPROM必须首先解锁.
EEPROM_DATA_11表86.
寄存器0xBB—EEPROM_DATA_11位位名称/功能R/W说明[7:0]EEPROM_DATA_11块读取/写入块读取/写入EEPROM主模块的页面11的数据.
EEPROM必须首先解锁.
EEPROM_DATA_12表87.
寄存器0xBC—EEPROM_DATA_12位位名称/功能R/W说明[7:0]EEPROM_DATA_12块读取/写入块读取/写入EEPROM主模块的页面12的数据.
EEPROM必须首先解锁.
EEPROM_DATA_13表88.
寄存器0xBD—EEPROM_DATA_13位位名称/功能R/W说明[7:0]EEPROM_DATA_13块读取/写入块读取/写入EEPROM主模块的页面13的数据.
EEPROM必须首先解锁.
EEPROM_DATA_14表89.
寄存器0xBE—EEPROM_DATA_14位位名称/功能R/W说明[7:0]EEPROM_DATA_14块读取/写入块读取/写入EEPROM主模块的页面14的数据.
EEPROM必须首先解锁.
EEPROM_DATA_15表90.
寄存器0xBF—EEPROM_DATA_15位位名称/功能R/W说明[7:0]EEPROM_DATA_15块读取/写入块读取/写入EEPROM主模块的页面15的数据.
EEPROM必须首先解锁.
ADP1051Rev.
0|Page75of108EEPROM_CRC_CHADP1051KSUM表91.
寄存器0xD1—EEPROM_CRC_CHKSUM位位名称/功能R/W说明[7:0]CRC校验和R从EEPROM下载操作返回CRC校验和值EEPROM_NUM_RD_BYTES表92.
寄存器0xD2—EEPROM_NUM_RD_BYTES位位名称/功能R/W说明[7:0]返回的读取字节数R/W这些位设置使用EEPROM_DATA_xx命令时返回的读取字节数.
EEPROM_ADDR_OFFSET表93.
寄存器0xD3—EEPROM_ADDR_OFFSET位位名称/功能R/W说明[15:0]地址偏移R/W这些位设置当前EEPROM页面的地址偏移.
EEPROM_PAGE_ERASE表94.
寄存器0xD4—EEPROM_PAGE_ERASE位位名称/功能R/W说明[7:0]EEPROM页面擦除WEEPROM_PASSWORD表95.
寄存器0xD5—EEPROM_PASSWORD位位名称/功能R/W说明[7:0]EEPROM密码WTRIM_PASSWORD表96.
寄存器0xD6—TRIM_PASSWORD位位名称/功能R/W说明[7:0]校准密码W在选定EEPROM页面上执行页面擦除(页面3至页面15).
每个页面擦除操作后等待35ms.
EEPROM必须首先解锁.
页面0和页面1保留,分别用于存储默认设置和用户设置.
用户无法对页面0或页面1执行页面擦除.
页面2保留供内部使用,请勿擦除页面2的内容.
页面3保留用于存储电源板参数供GUI使用,存储板参数之前请勿擦除页面3.
下面是用于访问各页面的寄存器设置.
0x03=页面3.
0x04=页面4.
0x05=页面5.
0x06=页面6.
0x07=页面7.
0x08=页面8.
0x09=页面9.
0x0A=页面10.
0x0B=页面11.
0x0C=页面12.
0x0D=页面13.
0x0E=页面14.
0x0F=页面15.
使用此命令写入密码以解锁EEPROM,以便进行读写访问.
连续两次写入EEPROM密码可解锁EEPROM.
写入任何其它值可退出.
出厂默认密码为0xFF.
使用此命令写入密码以解锁校准寄存器,以便允许写入访问.
连续两次写入校准密码可解锁寄存器.
写入任何其它值可退出.
校准密码与EEPROM密码相同.
出厂默认密码为0xFF.
Rev.
0|Page76of108CHIP_PASSWORDADP1051表97.
寄存器0xD7—CHIP_PASSWORD位位名称/功能R/W说明[15:0]芯片密码W表98.
寄存器0xD8—VIN_SCALE_MONITOR位位名称/功能R/W说明[15:11]指数R/W[10:0]尾数R/W线性格式的11位二进制补码Y值:X=Yx2N.
表99.
寄存器0xD9—IIN_SCALE_MONITOR位位名称/功能R/W说明[15:11]指数R/W[10:0]尾数R/W线性模式格式的11位二进制补码Y值:X=Yx2N.
表100.
寄存器0xF1—EEPROM_INFO位位名称/功能R/W说明[7:0]EEPROM_INFORblock块读取EEPROM信息模块的数据.
MFR_SPECIFIC_1表101.
寄存器0xFA—MFR_SPECIFIC_1位位名称/功能R/W说明[7:0]自定义寄存器R/WMFR_SPECIFIC_2表102.
寄存器0xFB—MFR_SPECIFIC_2位位名称/功能R/W说明[7:0]自定义寄存器R/W连续两次写入正确的芯片密码可解锁芯片寄存器以供读写访问.
写入任何其它值可退出.
出厂默认密码为0xFFFF.
无法读取此寄存器.
对此寄存器的任何读取操作都会返回0.
VIN_SCALE_MONITORVIN_SCALE_MONITOR命令是VINADC值与实际输入电压之间的比例因子.
它通常用于READ_VIN命令.
值必须在0到1(十进制)范围内.
IIN_SCALE_MONITORIIN_SCALE_MONITOR命令是IINADC值与实际输入电流之间的比例因子.
它通常用于READ_IIN命令.
值必须在0到1(十进制)范围内.
线性模式格式的5位二进制补码N值:X=Yx2N.
N应在12至0(十进制)的范围内.
EEPROM_INFO寄存器0xF1是以供读/写块.
EEPROM_INFO命令从EEPROM读取第一个标志数据.
这些位可供用户存储自定义信息.
此寄存器还存储CS2高端模式工厂模拟校准值.
将此值复制到寄存器0xFE17可恢复CS2高端模式工厂校准值.
这些位可供用户存储自定义信息.
此寄存器还存储CS2高端模式工厂数字偏置校正值.
将此值复制到寄存器0xFE16可恢复CS2高端模式工厂校准值.
线性格式的5位二进制补码N值:X=Yx2N.
N应在12至0(十进制)的范围内.
Rev.
0|Page77of108表103.
寄存器0xFE00至寄存器0xFE05—标志响应寄存器寄存器位标志其他设置0xFE00[7:4]保留保留0xFE00[3:0]IIN_OC_FAST_FAULT_RESPONSE0xFE01[7:4]扩展VOUT_OV_FAULT_RESPONSE0xFE01[3:0]寄存器0xFE6A、寄存器0xFEA0、寄存器0xFEA30xFE02[7:4]VIN_UV_FAULT_RESPONSE0xFE02[3:0]保留保留0xFE03[7:4]SR_RC_FAULT_RESPONSE寄存器0xFE1A、寄存器0xFEA1、寄存器0xFEA40xFE03[3:0]FLAGIN_RESPONSE寄存器0xFE12、寄存器0xFEA1、寄存器0xFEA40xFE05[5:4]VDD_OV_RESPONSE寄存器0xFE05、寄存器0xFEA0、寄存器0xFEA30xFE05[3:0]保留保留表104.
寄存器0xFE00至寄存器0xFE02—标志响应寄存器位功能描述位位名称/功能R/W说明[7:6]故障响应R/W这些位指定标志置1时的操作.
位7位6标志操作00不中断地继续工作.
01禁用SR1和SR2.
10禁用所有PWM输出.
11保留.
[5:4]标志清0后的操作R/W这些位指定标志清0时的操作.
位5位4标志清0后的操作00经过重新使能延迟时间后,用软启动程序重新使能PWM输出.
01PWM输出立即重新使能,不使用软启动.
1011保留.
[3:2]故障响应R/W这些位指定标志置1时的操作.
位3位2标志操作00不中断地继续工作.
01禁用SR1和SR2.
10禁用所有PWM输出.
11保留.
[1:0]标志清0后的操作R/W这些位指定标志清0时的操作.
位1位0标志清0后的操作00经过重新使能延迟时间后,用软启动程序重新使能PWM输出.
01PWM输出立即重新使能,不使用软启动.
1011保留.
用户自定义扩展命令描述标志配置寄存器寄存器0xFE00至寄存器0xFE03用于设置故障标志响应和标志清零后的分辨率.
寄存器0xFE05[5:4]设置VDD_OV标志响应.
寄存器0xFE05[7:6]设置全局标志重新使能延迟时间.
寄存器0xFE08、寄存器0xFE0E、寄存器0xFE1A、寄存器0xFE1F、寄存器0xFEA0、积存0xFEA3寄存器0x40、寄存器0x41、寄存器0xFE26、寄存器0xFE6B、寄存器0xFE6C寄存器0x35、寄存器0x36、寄存器0xFE29、寄存器0xFEA1、寄存器0xFEA4重新使能PWM输出需要PSON信号(通过寄存器0x01、寄存器0x02和/或CTRL引脚提供).
重新使能PWM输出需要PSON信号(通过寄存器0x01、寄存器0x02和/或CTRL引脚提供).
ADP1051Rev.
0|Page78of108表105.
寄存器0xFE03—标志响应寄存器位功能描述位位名称/功能R/W说明[7:6]故障响应R/W这些位指定标志置1时的操作.
位7位6故障响应00不中断地继续工作.
01禁用SR1和SR2.
10禁用所有PWM输出.
11SR1和SR2的上升沿移动到tRx+tMODU_LIMITtOFFSET.
更多信息参见"SR反向电流保护"部分.
[5:4]故障标志清0后的操作R/W这些位指定标志清0时的操作.
位5位4位[7:6]=01或10位[7:6]=1100经过标志重新使能延迟时间后,用软启动程序重新使能PWM输出.
SR1和SR2遵循软恢复程序.
01PWM输出立即重新使能,不使用软启动.
SR1和SR2立即恢复到正常工作状态.
10重新使能PWM输出需要PSON信号.
保留.
11保留.
保留.
[3:2]故障响应R/W这些位指定标志置1时的操作.
位3位2故障响应00不中断地继续工作.
01禁用SR1和SR2.
10禁用所有PWM输出.
11保留.
[1:0]故障标志清0后的操作R/W这些位指定标志清0时的操作.
位1位0故障标志清0后的操作00经过标志重新使能延迟时间后,用软启动程序重新使能PWM输出.
01PWM输出立即重新使能,不使用软启动.
10重新使能PWM输出需要PSON信号(通过寄存器0x01、寄存器0x02和/或CTRL引脚编程).
11保留.
表105.
寄存器0xFE03—标志响应寄存器位功能描述位位名称/功能R/W说明[7:6]标志重新使能延迟R/W这些位指定从用户自定义标志清零到软启动的全局延迟时间.
位7位6典型延迟时间(s)00250m01500m1011125VDD_OV标志忽略R/W4VDD_OV标志去抖R/W[3:0]保留R/W保留.
此位使能或禁用VDD_OV标志.
0=发生VDD过压状况时,VDD_OV标志置1.
当发生VDD过压状况时,标志置1,设备关断.
当VDD过压状况结束时,标志清0,设备下载EEPROM内容,然后用软启动程序重启.
1=VDD_OV标志始终清0.
当发生VDD过压状况时,标志始终清0,设备不中断地继续工作.
此位设置VDD_OV标志的去抖时间.
0=500μs去抖时间.
1=2μs去抖时间.
ADP1051Rev.
0|Page79of108软启动和软件复位寄存器表107.
寄存器0xFE06—软件复位GO命令位位R/W说明[7:1]保留R/W保留.
0软件复位GOW表108.
寄存器0xFE07—软件复位设置位位R/W说明[7:3]保留R/W保留.
2附加标志重新使能延迟R/W[1:0]重启延迟R/W位1位0重启延迟(s)000m01500m101112表109.
寄存器0xFE08—同步整流器(SR)软启动设置位位R/W说明7保留R/W保留.
6CS1逐周期限流以禁用SR2R/W此位置1时,若发生CS1逐周期限流,开关周期的剩余时间将禁用SR2输出.
5CS1逐周期限流以禁用SR1R/W此位置1时,若发生CS1逐周期限流,开关周期的剩余时间将禁用SR1输出.
4SR软启动设置R/W0=同步整流器仅在第一次使能时执行软启动.
1=同步整流器每次使能时都执行软启动.
[3:2]SR软启动速度R/WSRPWM输出配置为以软启动开启时(使用位[1:0]),输出的上升沿以40ns的步进左移.
这些位指定以40ns的步进移动SRPWM输出所需的开关周期数.
位3位2SR软启动时序00SRPWM输出在1个开关周期中改变40ns.
01SRPWM输出在4个开关周期中改变40ns.
10SRPWM输出在16个开关周期中改变40ns.
11SRPWM输出在64个开关周期中改变40ns.
1SR2软启动R/W此位置1将使能SR2的软启动.
0SR1软启动R/W此位置1将使能SR1的软启动.
此位允许用户对ADP1051执行软件复位.
此位置1将复位设备,从ADP1051关闭到重启有一个重启延迟时间.
重启延迟时间在寄存器0xFE07[1:0]中设置.
此位指定用户自定义标志清0之后、ADP1051开始软启动之前,重新使能延迟时间是否增加TON_DELAY值.
0=重新使能延迟不增加额外延迟.
1=重新使能延迟增加额外延迟.
该延迟时间在TON_DELAY命令(寄存器0x60)中指定.
这些位指定从PS_ON信号置1到软启动开始的延迟时间.
ADP1051Rev.
0|Page80of108表110.
寄存器0xFE09—开环工作的软启动设置位位名称/功能R/W说明7开环工作软启动使能R/W此位置1将使能开环工作的软启动.
6OUTA、OUTB、OUTC和OUTD边沿R/W5SR1和SR2边沿R/W[4:3]开环工作和开环前馈工作模式下的软启动速度R/W位4位3开环软启动时序00PWM输出在1个开关周期中改变40ns.
01PWM输出在4个开关周期中改变40ns.
10PWM输出在16个开关周期中改变40ns.
11PWM输出在64个开关周期中改变40ns.
2开环工作的软启动时间变量R/W此位置1将使能开环工作软启动期间的全局时间变量.
1=所有输出使用OUTB(tF2tR2)计算得到的时间变量.
[1:0]保留R/W保留.
消隐和PGOOD设置寄存器表111.
寄存器0xFE0B—软启动期间的标志消隐位位名称/功能R/W说明7消隐SR_RC_FAULT标志R/W0=软启动期间消隐此标志.
1=软启动期间不消隐此标志.
6消隐FLAGIN标志R/W0=软启动期间消隐此标志.
1=软启动期间不消隐此标志.
5消隐LIGHT_LOAD标志和DEEP_LIGHT_LOAD标志R/W0=软启动期间消隐此标志.
1=软启动期间不消隐此标志.
4消隐VIN_UV_FAULT标志R/W0=软启动期间消隐此标志.
1=软启动期间不消隐此标志.
3消隐IIN_OC_FAST_FAULT标志R/W0=软启动期间消隐此标志.
1=软启动期间不消隐此标志.
2消隐IOUT_OC_FAULT标志R/W0=软启动期间消隐此标志.
1=软启动期间不消隐此标志.
1消隐CS3_OC_FAULT标志R/W0=软启动期间消隐此标志.
1=软启动期间不消隐此标志.
0消隐VOUT_OV_FAULT标志R/W0=软启动期间消隐此标志.
1=软启动期间不消隐此标志.
此位置1时,在开环工作的软启动期间的一个周期中,OUTA、OUTB、OUTC和OUTD的下降沿始终在上升沿之后.
此位仅在该寄存器的位7置1时有效.
0=在软启动期间的一个周期内,SR1和SR2的上升沿始终出现在下降沿之后.
1=在软启动期间的一个周期内,SR1和SR2的下降沿始终出现在上升沿之后.
当ADP1051配置为开环工作时,PWM输出的下降沿以40ns的步进右移.
当ADP1051配置为开环前馈工作模式下时,PWM输出的调制边沿以40ns的步进从原始位置移走.
这些位指定以40ns的步进移动PWM输出需要多少开关周期.
ADP1051Rev.
0|Page81of108表112.
寄存器0xFE0C—软启动期间的伏秒平衡消隐和SR禁用位位名称/功能R/W说明[7:5]保留R/W保留.
4VIN_UV_FAULT重新使能消隐R/W0=标志重新使能延迟期间VIN_UV_FAULT标志不消隐.
如果ADP1051能在PSU开始工作之前检测到输入电压信号,建议使用此设置.
1=标志重新使能延迟期间VIN_UV_FAULT标志消隐.
3第一个标志ID更新R/W此位指定是否将第一个标志ID保存到EEPROM.
若置1,第一个标志ID将被保存到EEPROM.
在VDD开机复位期间,第一个标志ID从EEPROM下载到寄存器0xFEA6.
0=第一个标志ID不保存到EEPROM.
1=第一个标志ID保存到EEPROM.
2标志关断时序R/W指定用户自定义标志触发后,PWM输出何时关断.
0=PWM输出在开关周期结束时关断.
1=PWM输出立即关断.
1伏秒平衡消隐R/W0=软启动期间伏秒平衡控制不消隐.
1=软启动期间伏秒平衡控制消隐.
0SR禁用R/W0=软启动期间SR1和SR2不禁用.
1=软启动期间SR1和SR2禁用.
表113.
寄存器0xFE0D—PGOOD屏蔽设置位位名称/功能R/W说明7VIN_UV_FAULT标志R/W1=PGOOD忽略VIN_UV_FAULT标志.
6IIN_OC_FAST_FAULT标志R/W1=PGOOD忽略IIN_OC_FAST_FAULT标志.
5IOUT_OC_FAULT标志R/W1=PGOOD忽略IOUT_OC_FAULT标志.
4VOUT_OV_FAULT标志R/W1=PGOOD忽略VOUT_OV_FAULT标志.
3VOUT_UV_FAULT标志R/W1=PGOOD忽略VOUT_UV_FAULT标志.
2OT_FAULT标志R/W1=PGOOD忽略OT_FAULT标志.
1OT_WARNING标志R/W1=PGOOD忽略OT_WARNING标志.
0SR_RC_FAULT标志R/W1=PGOOD忽略SR_RC_FAULT标志.
表114.
寄存器0xFE0E—PGOOD标志去抖位位名称/功能R/W说明7CS1逐周期限流以禁用OUTDR/W此位置1时,若发生CS1逐周期限流,开关周期的剩余时间将禁用OUTD输出.
6CS1逐周期限流以禁用OUTCR/W此位置1时,若发生CS1逐周期限流,开关周期的剩余时间将禁用OUTC输出.
5CS1逐周期限流以禁用OUTBR/W此位置1时,若发生CS1逐周期限流,开关周期的剩余时间将禁用OUTB输出.
4CS1逐周期限流以禁用OUTAR/W此位置1时,若发生CS1逐周期限流,开关周期的剩余时间将禁用OUTA输出.
[3:2]PGOOD标志清零去抖R/W这些位指定PGOOD标志清零去抖,即从满足PGOOD清零条件到PGOOD标志清零的时间.
位3位2PGOOD标志置位去抖(ms)000012001032011600[1:0]PGOOD标志置位去抖R/W这些位指定PGOOD标志置位去抖,即从满足PGOOD置位条件到PGOOD标志置位的时间.
位1位0PGOOD000012001032011600ADP1051Rev.
0|Page82of108表115.
寄存器0xFE0F—置位PGOOD的去抖时间位位名称/功能R/WDebounceTime(ms)7VIN_UV_FAULT置位PGOODR/W0=01=1.
36IIN_OC_FAST_FAULT置位PGOODR/W0=01=1.
35IOUT_OC_FAULT置位PGOODR/W0=01=1.
34VOUT_OV_FAULT置位PGOODR/W0=01=1.
33VOUT_UV_FAULT置位PGOODR/W0=01=1.
32OT_FAULT置位PGOODR/W0=01=1.
31OT_WARNING置位PGOODR/W0=01=1.
30SR_RC_FAULT置位PGOODR/W0=01=1.
3760ns+tSYNC_DELAYt0tSCLOCKSYNCSYNI11443-064图65.
同步时序表116.
寄存器0xFE11—同步延迟时间位位名称/功能R/W位[7:0]tSYNC_DELAYR/W表117.
寄存器0xFE12—同步一般设置位位名称/功能R/W位7保留R/W保留.
6同步的相位捕捉范围R/W5OUTD用作SYNOR/W0=OUTD用作PWM输出.
1=OUTD用作SYNO输出.
4OUTC用作SYNOR/W0=OUTC用作PWM输出.
1=OUTC用作SYNO输出.
3使能同步R/W此位置1将使能作为从设备的频率同步.
ADP1051通过SYNI/FLGI引脚与外部时钟同步.
若使能同步,位0=0.
2FLGI极性R/W设置SYNI/FLGI引脚编程为FLGI时的极性.
0=FLGI引脚的逻辑高电平设置FLAGIN标志;逻辑低电平使FLAGIN标志清零.
1=FLGI引脚的逻辑低电平设置FLAGIN标志;逻辑高电平使FLAGIN标志清零.
开关频率和同步寄存器同步使能时,ADP1051获取SYNI信号并增加tSYNC_DELAY和760ns的传输延时,以产生内部同步参考时钟,如图65所ADP1051利用该参考时钟产生自己的时钟.
设置同步参考时钟相对于SYNI引脚信号上升沿的额外延迟时间.
每个LSB大小为40ns.
注意,该延迟时间不能超过一个开关周期.
如果使能了PWM180°移相,则延迟时间不能超过一个开关周期的一半.
设置相位捕捉范围.
同步功能使能时,ADP1051检测外部与内部时钟之间的移相.
当移相落在该范围内时,同步开始.
0=相位捕捉范围是±3.
125%(±11.
25°).
1=相位捕捉范围是±6.
25%(±22.
5°).
这是推荐设置.
ADP1051Rev.
0|Page83of108位位名称/功能R/W说明1FLAGIN标志去抖时间R/W0SYNI/FLGI引脚功能选择R/W0=FLAGIN引脚具有0μs去抖时间.
1=FLAGIN引脚具有100μs去抖时间.
将SYNI/FLGI引脚配置为标志输入或同步输入.
SYNI未使能时,此位必须置1.
0=SYNI/FLGI引脚用作同步输入(SYNI).
1=SYNI/FLGI引脚用作标志输入(FLGI).
表118.
寄存器0xFE13—双端拓扑模式位位名称/功能R/W说明ADP10517保留R/W保留.
6双端拓扑使能R/W[5:0]保留R/W保留.
电流检测和限值设置寄存器表119.
寄存器0xFE14—CS1增益校准位位名称/功能R/W说明7增益极性R/W该位置1表示引入负增益.
0=引入正增益.
1=引入负增益.
[6:0]CS1增益校准R/W该值校准CS1电流检测增益.
对CS1引脚施加1V直流电压.
此寄存器校准到CS1值读出十进制2560(0xA00)为止.
表120.
寄存器0xFE15—CS2增益校准位位名称/功能R/W说明7增益极性R/W该位置1表示引入负增益.
0=引入正增益.
1=引入负增益[6:0]CS2增益校准R/W该值校准CS2电流检测增益.
表121.
寄存器0xFE16—CS2数字偏置校正位位名称/功能R/W说明[7:0]CS2数字偏置校正R/W该寄存器包含CS2数字偏置校正值.
该值用于校准CS2值.
默认值是CS2低端电流模式的工厂校准值.
将寄存器0xFB值复制到该寄存器可恢复CS2高端电流检测模式的工厂校准值.
表122.
寄存器0xFE17—CS2模拟校准位位名称/功能R/W说明7保留R/W保留.
6模拟校准极性R/W该位置1表示引入负校准.
该位置0表示引入正校准.
默认值是CS2低端电流检测模式的工厂校准值.
将寄存器0xFA[6]值复制到该寄存器可恢复CS2高端电流检测模式的工厂校准值.
[5:0]CS2模拟校准R/W该值校准CS2模拟校准.
默认值是CS2低端电流模式的工厂校准值.
将寄存器0xFA[5:0]值复制到这些位可恢复CS2高端电流模式的工厂校准值.
该位置1表示使用双端拓扑.
它影响调制高限值.
各半周期中的调制限值是寄存器0xFE3C编程的调制限值的一半.
0=在单端拓扑中工作,如降压、正向、反激等.
1=在双端拓扑中工作,如全桥、半桥、推挽等.
Rev.
0|Page84of108表123.
寄存器0xFE19—CS2轻载阈值位位名称/功能R/W说明7CS2电流检测模式R/W0=CS2电流检测配置为低端电流检测模式.
1=CS2电流检测配置为高端电流检测模式.
[6:5]CS3_OC_FAULT标志去抖R/W这两位设置CS3_OC_FAULT标志去抖时间.
位6位5去抖时间(ms)00001101020112004CS2轻载模式使能R/W[3:0]CS2轻载阈值R/W位3位2位1位0轻载阈值(mV)328164820000000000010.
93751.
87503.
75007.
500000101.
87503.
75007.
500015.
00000112.
81255.
625011.
25022.
50001003.
75007.
500015.
00030.
00001014.
68759.
375018.
75037.
50001105.
625011.
25022.
50045.
00001116.
562513.
12526.
25052.
50010007.
500015.
00030.
00060.
00010018.
437516.
87533.
75067.
50010109.
375018.
75037.
50075.
000101110.
31320.
62541.
25082.
500110011.
25022.
50045.
00090.
000110112.
18824.
37548.
75097.
500111013.
12526.
25052.
500105.
00111114.
06328.
12556.
250112.
50表124.
寄存器0xFE1A—IIN_OC_FAST_FAULT_LIMIT和SR_RC_FAULT_LIMIT位位名称/功能R/W说明7保留R/W保留.
[6:4]IIN_OC_FAST_FAULT_LIMITR/W位6位5位4限值0002001801016011641001281012561105121111024此位置1将使能轻载模式功能.
当CS2电流降至CS2轻载模式阈值以下时,ADP1051以轻载模式工作.
这些位设置CS2ADC进入轻载模式的电流限值.
该值决定LIGHT_LOAD标志置1的点.
磁滞和平均速度可在寄存器0xFE1E[5:2]中编程.
若设置了CS1逐周期限流比较器且CS1_OCP标志被触发,则此时所有开启的PWM输出都可编程为在余下的开关周期内立即禁用.
PWM输出在下个开关周期开始时恢复正常工作.
有一个内部计数器N,其初始值为0.
N计数连续开关周期中CS1_OCP标志的触发次数.
如果CS1_OCP标志在一个周期中被触发,则NCURRENT=NPREVIOUS+2.
如果CS1_OCP标志在一个周期中未被触发且之前的N>0,则NCURRENT=NPREVIOUS1.
如果CS1_OCP标志未被触发且之前的N=0,则NCURRENT=0.
当N达到IIN_OC_FAST_FAULT_LIMIT值时,IIN_OC_FAST_FAULT标志置1.
注意,单端拓扑中为一个周期,如Buck变换器和正激变换器等.
双端拓扑中为两个周期,如全桥变换器、半桥变换器和推挽变换器等.
ADP1051Rev.
0|Page85of108位位名称/功能R/W说明3SR_RC_FAULT标志去抖时间R/W此位设置SR_RC_FAULT标志的去抖时间.
0=40ns.
1=200ns.
[2:0]SR_RC_FAULT_LIMITR/W位2位1位0值(mV)0003001601090111210015101181102111124表125.
寄存器0xFE1B—CS2深度轻载模式设置位位名称/功能R/W说明7保留R/W保留.
6CS1逐周期限流基准R/W0=CS1逐周期限流基准为1.
2V.
1=CS1逐周期限流基准为0.
25V.
5保留R/W保留.
4触发IOUT_OC_FAULT标志的CS2均值速度R/W[3:0]CS2深度轻载模式阈值R/W位3位2位1位0深度轻载阈值(mV)328164820000000000010.
93751.
87503.
75007.
500000101.
87503.
75007.
500015.
00000112.
81255.
625011.
25022.
50001003.
75007.
500015.
00030.
00001014.
68759.
375018.
75037.
50001105.
625011.
25022.
50045.
00001116.
562513.
12526.
25052.
50010007.
500015.
00030.
00060.
00010018.
437516.
87533.
75067.
50010109.
375018.
75037.
50075.
000101110.
31320.
62541.
25082.
500110011.
25022.
50045.
00090.
000110112.
18824.
37548.
75097.
500111013.
12526.
25052.
500105.
00111114.
06328.
12556.
250112.
50这些位设置用于产生SR_RC_FAULT标志的CS2反向电流比较器的基准电压.
CS2+与CS2引脚的电压差与此限值相比较.
该比较器是模拟比较器.
0=9位CS2(输出电流)均值速度用于触发IOUT_OC_FAULT标志.
恒流控制的基本VS电压变化率为1.
18mV/ms.
1=7位CS2(输出电流)均值速度用于触发IOUT_OC_FAULT标志.
恒流控制的基本VS电压变化率为4.
72mV/ms.
这些位设置CS2ADC进入深度轻载模式的电流限值.
该值决定DEEP_LIGHT_LOAD标志置1和某些PWM输出禁用的点.
均值速度和磁滞在寄存器0xFE1E中编程.
ADP1051Rev.
0|Page86of108表126.
寄存器0xFE1C—深度轻载模式下的PWM输出禁用设置位位名称/功能R/W说明[7:6]保留R/W保留.
5SR2禁用R/W在深度轻载模式下工作时,该位置1将禁用SR2输出.
4SR1禁用R/W在深度轻载模式下工作时,该位置1将禁用SR1输出.
3OUTD禁用R/W在深度轻载模式下工作时,该位置1将禁用OUTD输出.
2OUTC禁用R/W在深度轻载模式下工作时,该位置1将禁用OUTC输出.
1OUTB禁用R/W在深度轻载模式下工作时,该位置1将禁用OUTB输出.
0OUTA禁用R/W在深度轻载模式下工作时,该位置1将禁用OUTA输出.
表127.
寄存器0xFE1D—匹配逐周期限流设置位位名称/功能R/W说明7保留R/W保留.
6使能匹配逐周期限流R/W该位置1将使能匹配逐周期限流功能.
[5:4]选择匹配逐周期限流的PWM输出对R/W这些位选择匹配逐周期限流的PWM对.
位5位4PWM对00OUTB和OUTD01OUTA和OUTC10OUTC和OUTD11OUTA和OUTB3OUTD上升沿消隐R/W该位指定CS1逐周期限流比较器的消隐时间是否以OUTD的上升沿为基准.
0=OUTD上升沿时不消隐.
1=消隐时间以OUTD上升沿为基准.
2OUTC上升沿消隐R/W该位指定CS1逐周期限流比较器的消隐时间是否以OUTC的上升沿为基准.
0=OUTC上升沿时不消隐.
1=消隐时间以OUTC上升沿为基准.
1OUTB上升沿消隐R/W该位指定CS1逐周期限流比较器的消隐时间是否以OUTB的上升沿为基准.
0=OUTB上升沿时不消隐.
1=消隐时间以OUTB上升沿为基准.
0OUTA上升沿消隐R/W该位指定CS1逐周期限流比较器的消隐时间是否以OUTA的上升沿为基准.
0=OUTA上升沿时不消隐.
1=消隐时间以OUTA上升沿为基准.
表128.
寄存器0xFE1E—轻载模式和深度轻载模式设置位位名称/功能R/W说明[7:6]用于下垂控制的CS2均值速度R/W位7位6速度(μs)分辨率(位)008270116481032891165610[5:4]轻载模式和深度轻载模式均值速度R/W位5位4速度(μs)分辨率(位)0041601827101648113289这些位设置用于下垂控制的CS2(输出电流)均值速度和分辨率.
速度越快,分辨率越低,因此下降线精度也越低.
这些位设置用于轻载模式阈值和深度轻载模式阈值的均值速度和分辨率.
更快的速度表示更低的分辨率,因此阈值精度也更低.
ADP1051Rev.
0|Page87of108位位名称/功能R/W说明[3:2]轻载模式和深度轻载模式磁滞R/W位3位2磁滞(LSB)003018101211161SR2对逐周期限流的响应R/W0SR1对逐周期限流的响应R/W表129.
寄存器0xFE1F—CS1逐周期限流设置位位名称/功能R/W说明7忽略CS1逐周期限流比较器R/W该位置1将导致忽略CS1OCP比较器输出.
CS1_OCP内部标志始终清0.
[6:4]前沿消隐R/W这些位决定前沿消隐时间.
在此期间忽略CS1OCP比较器输出.
此时间从OUTA、OUTB、OUTC和OUTD的上升沿算起(可在寄存器0xFE1D[3:0]中编程).
位6位5位4前沿消隐时间(ns)00000014001080011120100200101400110600111800[3:2]保留R/W保留.
[1:0]CS1逐周期限流去抖时间R/W位1位0去抖时间(ns)0000140108011120这些位设置施加于轻载模式阈值和深度轻载模式阈值的磁滞量.
LSB大小受位[5:4]中选定的速度和分辨率影响.
若使用120mVADC范围和8位分辨率,则LSB大小为120mV/28=469V.
该位仅在SR2输出编程为与OUTA输出互补时适用.
该位置1且存在逐周期限流时,如果逐周期限流禁用OUTA,则SR2上升沿开启.
其下降沿仍然遵循编程值.
该位仅在SR1输出编程为与OUTB输出互补时适用.
该位置1且存在逐周期限流时,如果逐周期限流禁用OUTB,则SR1上升沿开启.
其下降沿仍然遵循编程值.
这些位设置CS1逐周期限流的去抖时间.
这是CS1信号在PWM输出关断之前必须始终保持高于CS1逐周期限流基准的最小时间.
发生这种情况时,选定PWM输出在开关周期的剩余时间内可以禁用.
ADP1051Rev.
0|Page88of108电压检测和限值设置寄存器表130.
寄存器0xFE20—VS增益校准位位名称/功能R/W说明7校准极性R/W0=引入正增益.
1=引入负增益.
[6:0]VS增益校准R/W表131.
寄存器0xFE25—预偏置启动使能位位名称/功能R/W说明7预偏置启动使能R/W[6:0]保留R/W保留.
表132.
寄存器0xFE26—VOUT_OV_FAULT标志去抖位位名称/功能R/W说明[7:6]VOUT_OV_FAULT标志去抖R/W这些位设置VOUT_OV_FAULT标志去抖时间.
位7位6典型去抖时间(μs)000011102118[5:0]保留R/W保留表133.
寄存器0xFE28—VF增益校准位位名称/功能R/W说明7校准极性R/W0=引入正增益.
1=引入负增益.
[6:0]VF校准R/W表134.
寄存器0xFE29—VIN_ON和VIN_OFF延迟位位名称/功能R/W说明[7:6]保留R/W保留5VIN_UV_FAULT使能R/W该位置1将使能用于产生VIN_UV_FAULT标志的VIN_ON值和VIN_OFF值.
4电源转换停止延迟R/W设置从VIN_LOW标志置1到电源转换停止的延迟时间.
0=0ms.
1=1ms.
[3:2]电源转换开始延迟R/W设置从VIN_LOW标志清0到电源转换开始的延迟时间.
位3位2延迟时间(ms)000011010401180[1:0]VIN_UV_FAULT标志去抖R/W位5置1时,设置VIN_UV_FAULT标志的去抖时间.
位1位0典型去抖时间(ms)000012.
5101011100这些位设置应用于VSADC读数的增益校准量.
VOUT_CAL_OFFSET校准完成后,该寄存器校准READ_VOUT命令中的电压读数.
该寄存器校准到寄存器中的READ_VOUT读数与输出电压测量结果完全一致为止.
此位置1将使能预偏置启动功能.
若使能该功能,软启动斜坡将从当前输出电压开始.
初始PWM调制值基于以下值产生:寄存器0xFE39设置、检测到的VOUT值和检测到的VIN值.
为引入VIN值进行初始调制计算,寄存器0xFE6C[1]=1,除非正在使用闭环输入电压前馈工作模式.
这些位设置应用于VFADC读数的增益校准量.
该寄存器校准VF引脚电压,使之处于外部电阻容差范围内.
当VF引脚电压为1V时,校准该寄存器,直到VF值寄存器读数为十进制1280(0x500).
ADP1051Rev.
0|Page89of108温度检测和保护设置寄存器表135.
寄存器0xFE2A—RTD增益校准位位名称/功能R/W说明位位名称/功能说明7增益极性R/W该位置1表示引入负增益.
该位置0表示引入正增益.
[6:0]RTD增益校准R/W该值校准RTD检测增益.
表136.
寄存器0xFE2B—RTD偏置校正(MSB)R/W[7:3]保留R/W保留.
2RTD电流源禁用R/W此位置1并且将值0x00写入寄存器0xFE2D,则禁用RTD电流源.
1校准极性R/W设置该位为1表示引入负失调.
设置该位为0表示引入正失调.
0RTD偏置校正(MSB)R/W此位与寄存器0xFE2C(即LSB)一同设置施加于RTDADC读数的偏置校正量.
表137.
寄存器0xFE2C—RTD偏置校正(LSB)R/W[7:0]RTD偏置校正(LSB)R/W这8位与寄存器0xFE2B[0](即MSB)一同设置施加于RTDADC读数的偏置校正量.
表138.
寄存器0xFE2D—RTD电流源设置R/W[7:6]RTD电流设置R/W这些位设置RTD引脚上的电流源大小.
位7位6电流源(A)0010012010301140[5:0]RTD电流校准R/W这6位用于校准RTD引脚上的电流源.
每个LSB对应160nA,与位[7:6]中选择的RTD电流设置无关.
表139.
寄存器0xFE2F—OT磁滞设置R/W[7:3]保留R/W保留.
2OT_WARNING标志去抖R/W该位设置OT_WARNING标志去抖时间.
0=标志操作去抖时间设为100ms.
1=标志操作去抖时间设为0ms.
[1:0]OT磁滞R/W这些位设置OT磁滞.
由于NTC热敏电阻或模拟温度传感器的温度系数为负值,因此OT_FAULT标志清0电压阈值大于OT_FAULT标志置1电压阈值.
位1位0OT磁滞00OT磁滞=12.
5mV(4LSB)01OT磁滞=25mV(8LSB)10OT磁滞=37.
5mV(12LSB)11OT磁滞=50mV(16LSB)位位名称/功能说明位位名称/功能说明位位名称/功能说明ADP1051Rev.
0|Page90of108数字补偿器和调制设置寄存器POLELOCATIONRANGEZEROZERORANGELFGAINRANGE48.
13dB48.
13dB100Hz500Hz1kHz5kHz10kHz11443-065HFGAINRANGEPOLE48.
13dBLFFILTERHFFILTER图66.
数字补偿器可编程性ADP1051表140.
寄存器0xFE30—正常模式补偿器低频增益设置位位名称/功能R/W说明位位名称/功能说明[7:0]正常模式低频增益R/W该寄存器决定正常模式下数字补偿器的低频增益.
它可在48.
13dB范围内编程.
参见图66.
表141.
寄存器0xFE31—正常模式补偿器零点设置R/W位位名称/功能说明[7:0]正常模式零点设置R/W该寄存器决定正常模式下数字补偿器的零点位置.
参见图66.
表142.
寄存器0xFE32—正常模式补偿器极点设置R/W位位名称/功能说明[7:0]正常模式极点设置R/W该寄存器决定正常模式下数字补偿器的极点位置.
参见图66.
表143.
寄存器0xFE33—正常模式补偿器高频增益设置R/W位位名称/功能说明[7:0]正常模式高频增益R/W该寄存器决定正常模式下数字补偿器的高频增益.
它可在48.
13dB范围内编程.
参见图66.
表144.
寄存器0xFE34—轻载模式补偿器低频增益设置R/W位位名称/功能说明[7:0]轻载模式低频增益R/W该寄存器决定轻载模式和深度轻载模式下数字补偿器的低频增益.
它可在48.
13dB范围内编程.
参见图66.
表145.
寄存器0xFE35—轻载模式补偿器零点设置R/W位位名称/功能说明[7:0]轻载模式零点设置R/W该寄存器决定轻载模式和深度轻载模式下数字补偿器的零点位置.
参见图66.
表146.
寄存器0xFE36—轻载模式补偿器极点设置R/W位位名称/功能说明[7:0]轻载模式极点设置R/W该寄存器决定轻载模式和深度轻载模式下数字补偿器的极点位置.
参见图66.
表147.
寄存器0xFE37—轻载模式补偿器高频增益设置R/W[7:0]轻载模式高频增益R/W该寄存器决定轻载模式和深度轻载模式下数字补偿器的高频增益.
它可在48.
13dB范围内编程.
参见图66.
Rev.
0|Page91of108表148.
寄存器0xFE38—伏秒平衡的CS1阈值位位名称/功能R/W说明[7:0]伏秒平衡的CS1阈值R/W该寄存器设置使能伏秒平衡控制的CS1阈值.
伏秒平衡控制功能仅在CS1值大于此阈值时激活.
每个LSB为6.
25mV.
表149.
寄存器0xFE39—预偏置启动的额定调制值位位名称/功能R/W说明[7:0]预偏置启动功能的额定调制值R/W开关频率范围(kHz)与LSB对应的分辨率(ns)49至878097.
5至18440195.
5至37920390.
5至62510表150.
寄存器0xFE3A—恒流速度和SR驱动器延迟位位名称/功能R/W说明[7:6]恒流模式期间的VS电压变化率R/W4.
72mV/ms*8*12=453mV/ms位7位6变化率(mV/ms)001012104118[5:0]SR栅极驱动延迟R/W这些位以5ns的步进设置SR栅极驱动延迟.
最大延迟为315ns.
表151.
寄存器0xFE3B—PWM180°移相设置位位名称/功能R/W说明7伏秒平衡前沿消隐R/W6每个相位进行伏秒平衡50%消隐R/W此位置1可将CS1上的电流采样周期限制为低于50%的半周期.
5SR2180°移相R/W此位置1时,SR2边沿的时序增加180°移相.
4SR1180°移相R/W此位置1时,SR1边沿的时序增加180°移相.
3OUTD180°移相R/W此位置1时,OUTD边沿的时序增加180°移相.
2OUTC180°移相R/W此位置1时,OUTC边沿的时序增加180°移相.
1OUTB180°移相R/W此位置1时,OUTB边沿的时序增加180°移相.
0OUTA180°移相R/W此位置1时,OUTA边沿的时序增加180°移相.
这些位设置输入电压和输出电压处于额定条件时的额定调制值.
它用于根据检测到的VOUT值和VIN值,计算预偏置启动的初始调制值.
如果寄存器0xFE6C[1]清0,则输入电压始终被视为额定输入条件,除非正在使用闭环前馈工作模式.
这些位设置恒流工作模式下的VS电压变化率.
9位CS2均值速度的基本变化率为1.
18mV/ms.
7位CS2均值速度的基本变化率为4.
72mV/ms.
这两位设置恒流工作模式下的输出电压变化率.
例如,在一个12V输出系统中,如果寄存器0xFE1B[4]=1且寄存器0xFE3A[7:6]=11,则输出电压变化率为:此位置1表示伏秒平衡计算时,CS1在选定用于伏秒平衡的那些PWM输出的上升沿消隐.
消隐时间与CS1逐周期限流设置相同.
ADP1051Rev.
0|Page92of108图67和寄存器0xFE3C说明调制限值设置.
tRXtFXtRYtFYt0,STARTOFSWITCHINGCYCLEtS/2tS,ENDOFSWITCHINGCYCLE3tS/2OUTxOUTYtMODU_LIMITtMODU_LIMIT11443-066图67.
设置调制限值表152.
寄存器0xFE3C—调制限值位位名称/功能R/W说明[7:0]调制限值R/W开关频率范围(kHz)LSB步长(ns)49至878097.
5至18440195.
5至37920390.
5至62510表153.
寄存器0xFE3D—前馈和软启动滤波器增益位位名称/功能R/W说明7开环输入电压前馈工作的软启动使能R/W此位置1将使能开环输入电压前馈工作的软启动程序.
使用该功能时,位6应置1.
6开环输入电压前馈工作使能R/W0=开环输入电压前馈工作禁用.
1=开环输入电压前馈工作使能.
5高频ADC去抖时间R/W此位设置用于检测VS高频ADC设置的去抖时间.
必须将位4置1才能使能该功能.
0=5ms去抖时间.
1=10ms去抖时间.
4高频ADC去抖使能R/W此位置1将使能软启动结束时用于检测VS高频ADC设置的去抖时间.
去抖时间使用位5设置.
3前馈ADC选择R/W此位始终置1以选择11位VFADC(工厂默认设置).
2前馈使能R/W此位使能或禁用闭环工作期间的前馈控制.
0=闭环输入电压前馈控制禁用.
1=闭环输入电压前馈控制使能.
[1:0]软启动滤波器增益R/W这些位设置软启动滤波器的软启动增益.
位1位0软启动滤波器增益001012104118该寄存器设置调制限值tMODU_LIMIT(最大占空比).
调制限值是调制边沿相对于默认时序的最大时间变化量(参见图67).
一个LSB的步长取决于开关频率.
ADP1051Rev.
0|Page93of108OUTAOUTBOUTCOUTDSR1SR2tF1tR1tF2tR2tF3tR3tF4tR4tF5tR5tF6tR6tPERIODtPERIOD11443-067图68.
PWM时序图表154.
寄存器0xFE3E/41/44/47/4A/4D—OUTA/OUTB/OUTC/OUTD/SR1/SR2上升沿时序位位名称/功能R/W说明[7:0]上升沿时序tRx(MSB)R/W表155.
寄存器0xFE3F/42/45/48/4B/4E—OUTA/OUTB/OUTC/OUTD/SR1/SR2下降沿时序位位名称/功能R/W说明[7:0]下降沿时序tFx(MSB)R/W表156.
寄存器0xFE40/43/46/49/4C/4F—OUTA/OUTB/OUTC/OUTD/SR1/SR2上升沿和下降沿时序(LSB)位位名称/功能R/W说明[7:4]上升沿时序tRx(LSB)R/W[3:0]下降沿时序tFx(LSB)R/WPWM输出时序寄存器图68以及寄存器0xFE3E至寄存器0xFE53描述了ADP1051产生的6个PWM信号的实现与编程.
这些位包含12位tFx时间的四个LSB.
该值始终与寄存器0xFE3F、寄存器0xFE42、寄存器0xFE45、寄存器0xFE48、寄存器0xFE4B和寄存器0xFE4E的八位一起使用,这些寄存器包含位tFx时间的八个MSB.
tFx代表tF1、tF2、tF3、tF4、tF5和tF6.
每个LSB对应于5ns分辨率.
这些位包含12位tRx时间的四个LSB.
该值始终与寄存器0xFE3E、寄存器0xFE41、寄存器0xFE44、寄存器0xFE47、寄存器0xFE4A和寄存器0xFE4D的八位一起使用,这些寄存器包含位tRx时间的八个MSB.
tRx代表tR1、tR2、tR3、tR4、tR5和tR6.
每个LSB对应于5ns分辨率.
该寄存器包含12位tFx时间的八个MSB.
该值始终与寄存器0xFE40、寄存器0xFE43、寄存器0xFE46、寄存器0xFE49、寄存器0xFE4C和寄存器0xFE4F的后四位一起使用,这些寄存器包含位tFx时间的四个LSB.
tFx代表tF1、tF2、tF3、tF4、tF5和tF6.
每个LSB对应于5ns分辨率.
该寄存器包含12位tRx时间的八个MSB.
该值始终与寄存器0xFE40、寄存器0xFE43、寄存器0xFE46、寄存器0xFE49、寄存器0xFE4C和寄存器0xFE4F的前四位一起使用,这些寄存器包含位tRx时间的四个LSB.
tRx代表tR1、tR2、tR3、tR4、tR5和tR6.
每个LSB对应于5ns分辨率.
ADP1051Rev.
0|Page94of108表157.
寄存器0xFE50—OUTA和OUTB调制设置位位名称/功能R/W说明7OUTBtR2调制使能R/W0=tR2边沿无PWM调制.
1=PWM调制作用于tR2边沿.
6OUTBtR2调制符号R/W0=正号.
增加PWM调制使tR2右移.
1=负号.
增加PWM调制使tR2左移.
5OUTBtF2调制使能R/W0=tF2边沿无PWM调制.
1=PWM调制作用于tF2边沿.
4OUTBtF2调制符号R/W0=正号.
增加PWM调制使tF2右移.
1=负号.
增加PWM调制使tF2左移.
3OUTAtR1调制使能R/W0=tR1边沿无PWM调制.
1=PWM调制作用于tR1边沿.
2OUTAtR1调制符号R/W0=正号.
增加PWM调制使tR1右移.
1=负号.
增加PWM调制使tR1左移.
1OUTAtF1调制使能R/W0=tF1边沿无PWM调制.
1=PWM调制作用于tF1边沿.
0OUTAtF1调制符号R/W0=正号.
增加PWM调制使tF1右移.
1=负号.
增加PWM调制使tF1左移.
表158.
寄存器0xFE51—OUTC和OUTD调制设置位位名称/功能R/W说明7OUTDtR4调制使能R/W0=tR4边沿无PWM调制.
1=PWM调制作用于tR4边沿.
6OUTDtR4调制符号R/W0=正号.
增加PWM调制使tR4右移.
1=负号.
增加PWM调制使tR4左移.
5OUTDtF4调制使能R/W0=tF4边沿无PWM调制.
1=PWM调制作用于tF4边沿.
4OUTDtF4调制符号R/W0=正号.
增加PWM调制使tF4右移.
1=负号.
增加PWM调制使tF4左移.
3OUTCtR3调制使能R/W0=tR3边沿无PWM调制.
1=PWM调制作用于tR3边沿.
2OUTCtR3调制符号R/W0=正号.
增加PWM调制使tR3右移.
1=负号.
增加PWM调制使tR3左移.
1OUTCtF3调制使能R/W0=tF3边沿无PWM调制.
1=PWM调制作用于tF3边沿.
0OUTCtF3调制符号R/W0=正号.
增加PWM调制使tF3右移.
1=负号.
增加PWM调制使tF3左移.
表159.
寄存器0xFE52—SR1和SR2调制设置位位名称/功能R/W说明7SR2tR6调制使能R/W0=tR6边沿无PWM调制.
1=PWM调制作用于tR6边沿.
6SR2tR6调制符号R/W0=正号.
增加PWM调制使tR6右移.
1=负号.
增加PWM调制使tR6左移.
5SR2tF6调制使能R/W0=tF6边沿无PWM调制.
1=PWM调制作用于tF6边沿.
4SR2tF6调制符号R/W0=正号.
增加PWM调制使tF6右移.
1=负号.
增加PWM调制使tF6左移.
3SR1tR5调制使能R/W0=tR5边沿无PWM调制.
1=PWM调制作用于tR5边沿.
2SR1tR5调制符号R/W0=正号.
增加PWM调制使tR5右移.
1=负号.
增加PWM调制使tR5左移.
1SR1tF5调制使能R/W0=tF5边沿无PWM调制.
1=PWM调制作用于tF5边沿.
0SR1tF5调制符号R/W0=正号.
增加PWM调制使tF5右移.
1=负号.
增加PWM调制使tF5左移.
ADP1051Rev.
0|Page95of108表160.
寄存器0xFE53—PWM输出禁用位位名称/功能R/W说明[7:6]保留R/W保留.
5SR2禁用R/W设置该位将禁用SR2输出.
4SR1禁用R/W设置该位将禁用SR1输出.
3OUTD禁用R/W设置该位将禁用OUTD输出.
2OUTC禁用R/W设置该位将禁用OUTC输出.
1OUTB禁用R/W设置该位将禁用OUTB输出.
0OUTA禁用R/W设置该位将禁用OUTA输出.
伏秒平衡控制寄存器表161.
寄存器0xFE54—伏秒平衡控制一般设置位位名称/功能R/W说明7伏秒平衡使能控制R/W此位置1将使能伏秒平衡控制.
6伏秒平衡控制源选择,OUTDR/W若该位置1,则OUTD上升沿选中作为伏秒平衡控制的积分周期起点.
5伏秒平衡控制源选择,OUTCR/W若该位置1,则OUTC上升沿选中作为伏秒平衡控制的积分周期起点.
4伏秒平衡控制源选择,OUTBR/W若该位置1,则OUTB上升沿选中作为伏秒平衡控制的积分周期起点.
3伏秒平衡控制源选择,OUTAR/W若该位置1,则OUTA上升沿选中作为伏秒平衡控制的积分周期起点.
2伏秒平衡控制限值R/W该位设置伏秒控制电路的最大调制量.
0=±160ns.
1=±80ns.
[1:0]伏秒平衡控制增益R/W位1位0伏秒平衡环路增益00101410161164表162.
寄存器0xFE55—OUTA和OUTB上的伏秒平衡控制位位名称/功能R/W说明7tR2平衡设置R/W该位置1将使能OUTB上升沿(tR2)上的平衡控制调制.
6tR2平衡方向R/W0=正号.
增加平衡控制调制使tR2右移.
1=负号.
增加平衡控制调制使tR2左移.
5tF2平衡设置R/W该位置1将使能OUTB下降沿(tF2)上的平衡控制调制.
4tF2平衡方向R/W0=正号.
增加平衡控制调制使tF2右移.
1=负号.
增加平衡控制调制使tF2左移.
3tR1平衡设置R/W该位置1将使能OUTA上升沿(tR1)上的平衡控制调制.
2tR1平衡方向R/W0=正号.
增加平衡控制调制使tR1右移.
1=负号.
增加平衡控制调制使tR1左移.
1tF1平衡设置R/W该位置1将使能OUTA下降沿(tF1)上的平衡控制调制.
0tF1平衡方向R/W0=正号.
增加平衡控制调制使tF1右移.
1=负号.
增加平衡控制调制使tF1左移.
这些位设置伏秒平衡控制的增益.
增益能够以系数64发生变化.
当这些位设为00时,大约需要700ms达到伏秒平衡.
当这些位设为11时,大约需要10ms达到伏秒平衡.
ADP1051Rev.
0|Page96of108表163.
寄存器0xFE56—OUTC和OUTD上的伏秒平衡控制位位名称/功能R/W说明ADP10517tR4平衡设置R/W该位置1将使能OUTD上升沿(tR4)上的平衡控制调制.
6tR4平衡方向R/W0=正号.
增加平衡控制调制使tR4右移.
1=负号.
增加平衡控制调制使tR4左移.
5tF4平衡设置R/W该位置1将使能OUTD下降沿(tF4)上的平衡控制调制.
4tF4平衡方向R/W0=正号.
增加平衡控制调制使tF4右移.
1=负号.
增加平衡控制调制使tF4左移.
3tR3平衡设置R/W该位置1将使能OUTC上升沿(tR3)上的平衡控制调制.
2tR3平衡方向R/W0=正号.
增加平衡控制调制使tR3右移.
1=负号.
增加平衡控制调制使tR3左移.
1tF3平衡设置R/W该位置1将使能OUTC下降沿(tF3)上的平衡控制调制.
0tF3平衡方向R/W0=正号.
增加平衡控制调制使tF3右移.
1=负号.
增加平衡控制调制使tF3左移.
表164.
寄存器0xFE57—SR1和SR2上的伏秒平衡控制位位名称/功能R/W说明7tR6平衡设置R/W该位置1将使能SR2上升沿(tR6)上的平衡控制调制.
6tR6平衡方向R/W0=正号.
增加平衡控制调制使tR6右移.
1=负号.
增加平衡控制调制使tR6左移.
5tF6平衡设置R/W该位置1将使能SR2下降沿(tF6)上的平衡控制调制.
4tF6平衡方向R/W0=正号.
增加平衡控制调制使tF6右移.
1=负号.
增加平衡控制调制使tF6左移.
3tR5平衡设置R/W该位置1将使能SR1上升沿(tR5)上的平衡控制调制.
2tR5平衡方向R/W0=正号.
增加平衡控制调制使tR5右移.
1=负号.
增加平衡控制调制使tR5左移.
1tF5平衡设置R/W该位置1将使能SR1下降沿(tF5)上的平衡控制调制.
0tF5平衡方向R/W0=正号.
增加平衡控制调制使tF5右移.
1=负号.
增加平衡控制调制使tF5左移.
占空比读数设置寄存器表165.
寄存器0xFE58—占空比读数设置位位名称/功能R/W说明[7:6]保留R/W保留.
5OUTD占空比报告R/W1=READ_DUTY_CYCLE报告OUTD占空比值.
4OUTC占空比报告R/W1=READ_DUTY_CYCLE报告OUTC占空比值.
3OUTB占空比报告R/W1=READ_DUTY_CYCLE报告OUTB占空比值.
2OUTA占空比报告R/W1=READ_DUTY_CYCLE报告OUTA占空比值.
1移相拓扑的占空比报告R/W0输入电压补偿的极性设置R/W表166.
寄存器0xFE59—输入电压补偿乘法器位位名称/功能R/W说明[7:0]输入电压补偿乘法器R/W此位置1将使能移相全桥拓扑的占空比报告.
占空比值代表移相全桥拓扑中OUTA和OUTD的重叠部分.
此位置1将根据输入电流读数READ_IIN对输入电压读数READ_VIN应用一个偏移.
补偿乘法器在寄存器0xFE59中设置.
它用于补偿电流导通引起的压降.
0=正极性补偿.
1=负极性补偿.
这些位指定输入电压补偿系数的乘法器N.
补偿公式为N*(寄存器0xFEA7[15:4]值)÷211,结果增加到寄存器0xFEAC[15:5].
补偿极性由寄存器0xFE58[0]设置.
Rev.
0|Page97of108自适应死区补偿寄存器表167.
寄存器0xFE5A—自适应死区补偿阈值位位名称/功能R/W说明[7:0]自适应死区补偿阈值R/W表168.
寄存器0xFE5B—OUTA死区时间位位名称/功能R/W说明7tR1极性R/W0=正极性;1=负极性.
[6:4]tR1偏移乘法器R/W此值与寄存器0xFE66[2:0]指定的步长相乘以确定tR1相对于0A输入电流时的额定时序的偏移.
位6位5位4乘法器000000110102011310041015110611173tF1极性R/W0=正极性;1=负极性.
[2:0]tF1偏移乘法器R/W此值与寄存器0xFE66[2:0]指定的步长相乘以确定tF1相对于0A输入电流时的额定时序的偏移.
位2位1位0乘法器00000011010201131004101511061117表169.
寄存器0xFE5C—OUTB死区时间位位名称/功能R/W说明7tR2极性R/W0=正极性;1=负极性.
[6:4]tR2偏移乘法器此值与寄存器0xFE66[2:0]指定的步长相乘以确定tR2相对于0A输入电流时的额定时序的偏移.
位6位5位4乘法器000000110102011310041015110611173tF2极性R/W0=正极性;1=负极性.
该寄存器设置自适应死区补偿阈值.
此8位数与CS1值寄存器(寄存器0xFEA7)的8个MSB进行比较.
当CS1电流低于此阈值时,与CS1电流成线性函数关系的PWM信号的边沿受影响,具体影响取决于寄存器0xFE5B到寄存器0xFE60的设置.
该寄存器编程为0x00时,自适应死区补偿功能禁用.
ADP1051Rev.
0|Page98of108位位名称/功能R/W说明[2:0]tF2偏移乘法器R/W此值与寄存器0xFE66[2:0]指定的步长相乘以确定tF2相对于0A输入电流时的额定时序的偏移.
位2位1位0乘法器00000011010201131004101511061117表170.
寄存器0xFE5D—OUTC死区时间位位名称/功能R/W说明7tR3极性R/W0=正极性;1=负极性.
[6:4]tR3偏移乘法器此值与寄存器0xFE66[2:0]指定的步长相乘以确定tR3相对于0A输入电流时的额定时序的偏移.
位6位5位4乘法器000000110102011310041015110611173tF3极性R/W0=正极性;1=负极性.
[2:0]tF3偏移乘法器R/W此值与寄存器0xFE66[2:0]指定的步长相乘以确定tF3相对于0A输入电流时的额定时序的偏移.
位2位1位0乘法器00000011010201131004101511061117表171.
寄存器0xFE5E—OUTD死区时间位位名称/功能R/W说明7tR4极性R/W0=正极性;1=负极性.
[6:4]tR4偏移乘法器此值与寄存器0xFE66[2:0]指定的步长相乘以确定tR4相对于0A输入电流时的额定时序的偏移.
位6位5位4乘法器000000110102011310041015110611173tF4极性R/W0=正极性;1=负极性.
ADP1051Rev.
0|Page99of108位位名称/功能R/W说明[2:0]tF4偏移乘法器R/W此值与寄存器0xFE66[2:0]指定的步长相乘以确定tF4相对于0A输入电流时的额定时序的偏移.
位2位1位0乘法器00000011010201131004101511061117表172.
寄存器0xFE5F—SR1死区时间位位名称/功能R/W说明7tR5极性R/W0=正极性;1=负极性.
[6:4]tR5偏移乘法器此值与寄存器0xFE66[2:0]指定的步长相乘以确定tR5相对于0A输入电流时的额定时序的偏移.
位6位5位4乘法器000000110102011310041015110611173tF5极性R/W0=正极性;1=负极性.
[2:0]tF5偏移乘法器R/W此值与寄存器0xFE66[2:0]指定的步长相乘以确定tF5相对于0A输入电流时的额定时序的偏移.
位2位1位0乘法器00000011010201131004101511061117表173.
寄存器0xFE60—SR2死区时间位位名称/功能R/W说明7tR6极性R/W0=正极性;1=负极性.
[6:4]tR6偏移乘法器此值与寄存器0xFE66[2:0]指定的步长相乘以确定tR6相对于0A输入电流时的额定时序的偏移.
位6位5位4乘法器000000110102011310041015110611173tF6极性R/W0=正极性;1=负极性.
ADP1051Rev.
0|Page100of108位位名称/功能R/W说明[2:0]tF6偏移乘法器R/W此值与寄存器0xFE66[2:0]指定的步长相乘以确定tF6相对于0A输入电流时的额定时序的偏移.
位2位1位0乘法器00000011010201131004101511061117其他寄存器设置表174.
寄存器0xFE61—GO命令位位名称/功能R/W说明[7:3]保留R/W保留.
2频率GOR/W此位将寄存器0x33的内容同步锁存到用于计算开关频率的阴影寄存器.
读取此位始终返回1.
1PWM设置GOR/W此位将寄存器0xFE3E至寄存器0xFE53的内容同步锁存到用于计算PWM边沿时序的阴影寄存器.
读取此位始终返回1.
0保留R/W保留.
表175.
寄存器0xFE62—自定义寄存器位位名称/功能R/W说明[7:0]自定义寄存器R/W这些位可供用户存储自定义信息.
表176.
寄存器0xFE63—开环输入电压前馈工作的调制基准MSB位位名称/功能R/W说明[7:0]调制基准设置MSBR/W该寄存器设置开环前馈工作模式下模式下调制基准的8个MSB.
一个LSB的步长取决于开关频率.
开关频率范围(kHz)LSB步长(ns)49至878097.
5至18440195.
5至37920390.
5至62510表177.
寄存器0xFE64—开环输入电压前馈工作的调制基准LSB位位名称/功能R/W说明[7:0]调制基准设置LSBR/W该寄存器设置开环前馈工作模式下模式下调制基准的8个LSB.
一个LSB的步长取决于开关频率.
开关频率范围(kHz)LSB步长(ps)49至87312.
597.
5至184156.
25195.
5至37978.
125390.
5至62539.
0625ADP1051Rev.
0|Page101of108表178.
寄存器0xFE65—电流值更新速率设置位位名称/功能R/W说明[7:2]保留R/W保留.
[1:0]电流值更新速率R/W位1位0CS1、CS2值更新速率(ms)0010(默认值)01521010511210表179.
寄存器0xFE66—自适应死区补偿配置位位名称/功能R/W说明[7:6]均值周期R/W位7位6均值周期(ms)002.
5011.
2100.
6110.
3[5:3]更新速率R/W[2:0]偏移步长R/W这些位指定寄存器0xFE5B至寄存器0xFE60、位[6:4]和位[2:0]的编程步长.
位2位1位0LSB步长(ns)000500110010150112010025101301103511140表180.
寄存器0xFE67—开环工作设置位位名称/功能R/W说明7保留R保留.
6跳脉冲模式使能R/W1=使能跳脉冲模式.
如果ADP1051要求的调制值小于寄存器0xFE69设置的阈值,则正在使用跳脉冲.
5SR2开环工作使能R/W开环工作模式下使用SR2时,此位置1.
4SR1开环工作使能R/W开环工作模式下使用SR1时,此位置1.
3OUTD开环工作使能R/W开环工作模式下使用OUTD时,此位置1.
2OUTC开环工作使能R/W开环工作模式下使用OUTC时,此位置1.
1OUTB开环工作使能R/W开环工作模式下使用OUTB时,此位置1.
0OUTA开环工作使能R/W开环工作模式下使用OUTA时,此位置1.
表181.
寄存器0xFE68—SR1和SR2的偏移设置位位名称/功能R/W说明[7:0]SR1/SR2的偏移设置R/W这些位指定CS1(READ_IIN命令、寄存器0x89)和CS2(READ_IOUT命令、寄存器0x8C)的电流值更新速率.
默认情况下,电流值每10ms更新一次.
这些位指定用于设置自适应死区时间的CS1电流均值周期.
建议将均值时间设置为远大于任何瞬变状况的值.
自适应死区补偿算法以5ns的步长校准死区时间.
这些位用于设置各步之间的PWM开关周期数.
数值计算公式为2N+1,其中N是这些位指定的3位值.
例如,若N=6(二进制110),则每26+1=65个开关周期,各PWM边沿校准5ns.
如果SR_RC_FAULT标志被触发且寄存器0xFE03[7:6]=11,则这些位设置SR1和SR2上升沿的偏移值(tOFFSET).
上升沿从tRx+tMODU_LIMIT左移tOFFSET.
每步对应于5ns.
ADP1051Rev.
0|Page102of108表182.
寄存器0xFE69—跳脉冲模式阈值位位名称/功能R/W说明[7:0]跳脉冲模式阈值R/W这些位设置跳脉冲的调制脉冲宽度阈值.
每个LSB为5ns.
表183.
寄存器0xFE6A—CS3_OC_FAULT_LIMIT位位名称/功能R/W说明[7:0]CS3_OC_FAULT_LIMITR/WCS3值寄存器0xFEA9中的8个MSB与该8位数进行比较.
如果8个MSB值较大,则CS3_OC_FAULT标志置1.
表184.
寄存器0xFE6B—OVP选择的调制阈值位位名称/功能R/W说明[7:0]条件式OVP响应的调制阈值R/W开关频率范围(kHz)与LSB对应的分辨率(ns)49至878097.
5至18440195.
5至37920390.
5至62510表185.
寄存器0xFE6C—OVP选择的调制标志位位名称/功能R/W说明[7:3]保留R/W保留.
2LARGE_MODULATIONR当调制值高于寄存器0xFE6B中设置的阈值时,此位置1.
1VIN前馈预偏置启动R/W0条件式OVP使能R/W表186.
寄存器0xFE6D—同步期间的OUTA和OUTB校准基准位位名称/功能R/W说明7tR2校准基准R/W该位置1将使能OUTB上升沿(tR2)上的边沿校准.
6tR2以tS或tS/2为基准R/W0=校准以tS/2为基准.
1=校准以tS为基准.
5tF2校准基准R/W该位置1将使能OUTB下降沿(tF2)上的边沿校准.
4tF2以tS或tS/2为基准R/W0=校准以tS/2为基准.
1=校准以tS为基准.
3tR1校准基准R/W该位置1将使能OUTA上升沿(tR1)上的边沿校准.
2tR1以tS或tS/2为基准R/W0=校准以tS/2为基准.
1=校准以tS为基准.
1tF1校准基准R/W该位置1将使能OUTA下降沿(tF1)上的边沿校准.
0tF1以tS或tS/2为基准R/W0=校准以tS/2为基准.
1=校准以tS为基准.
此值设置条件式OVP响应的调制阈值.
实时调制值高于此阈值时,寄存器0xFE6C[2]中的LARGE_MODULATION标志置1.
此位仅在闭环前馈工作模式禁用(寄存器0xFE3D[2]=0)时适用.
如果闭环前馈工作模式使能,则初始PWM调制值的计算始终包括VIN.
1=初始PWM调制值根据额定调制值(寄存器0xFE39)、检测到的VIN电压和检测到的VOUT电压计算.
0=初始PWM调制值根据额定调制值(寄存器0xFE39)和检测到的VOUT电压计算.
忽略VIN电压.
此位设置VOUT_OV_FAULT标志触发时的OVP操作.
0=条件式OVP禁用.
OVP操作遵循PMBusVOUT_OV_FAULT_RESPONSE命令(寄存器0x41).
1=条件式OVP使能.
如果位2=1,则OVP操作遵循PMBusVOUT_OV_FAULT_RESPONSE(寄存器0x41).
如果位2=0,则OVP操作遵循扩展VOUT_OV_FAULT_RESPONSE操作(寄存器0xFE01[7:4]).
ADP1051Rev.
0|Page103of108表187.
寄存器0xFE6E—同步期间的OUTC和OUTD校准基准位位名称/功能R/W说明7tR4校准基准R/W该位置1将使能OUTD上升沿(tR4)上的边沿校准.
6tR4以tS或tS/2为基准R/W0=校准以tS/2为基准.
1=校准以tS为基准.
5tF4校准基准R/W该位置1将使能OUTD下降沿(tF4)上的边沿校准.
4tF4以tS或tS/2为基准R/W0=校准以tS/2为基准.
1=校准以tS为基准.
3tR3校准基准R/W该位置1将使能OUTC上升沿(tR3)上的边沿校准.
2tR3以tS或tS/2为基准R/W0=校准以tS/2为基准.
1=校准以tS为基准.
1tF3校准基准R/W该位置1将使能OUTC下降沿(tF3)上的边沿校准.
0tF3以tS或tS/2为基准R/W0=校准以tS/2为基准.
1=校准以tS为基准.
表188.
寄存器0xFE6F—同步期间的SR1和SR2校准基准位位名称/功能R/W说明7tR6校准基准R/W该位置1将使能SR2上升沿(tR6)上的边沿校准.
6tR6以tS或tS/2为基准R/W0=校准以tS/2为基准.
1=校准以tS为基准.
5tF6校准基准R/W该位置1将使能SR2下降沿(tF6)上的边沿校准.
4tF6以tS或tS/2为基准R/W0=校准以tS/2为基准.
1=校准以tS为基准.
3tR5校准基准R/W该位置1将使能SR1上升沿(tR5)上的边沿校准.
2tR5以tS或tS/2为基准R/W0=校准以tS/2为基准.
1=校准以tS为基准.
1tF5校准基准R/W该位置1将使能SR1下降沿(tF5)上的边沿校准.
0tF5以tS或tS/2为基准R/W0=校准以tS/2为基准.
1=校准以tS为基准.
寄存器0xFE70至寄存器0xFE9F—保留ADP1051Rev.
0|Page104of108用户自定义故障标志寄存器表189.
寄存器0xFEA0—标志寄存器1和寄存器0xFEA3—锁存标志寄存器1(1=故障,0=正常工作)位位名称/功能R/W说明寄存器操作7CHIP_PASSWORD_UNLOCKEDR芯片密码解锁.
无6PGOODR0xFE0D和0xFE0EPG/ALT引脚设为低电平5IIN_OC_FAST_FAULTR发生输入过流快速故障.
0xFE1F可编程4保留R保留.
3CS3_OC_FAULTR发生CS3过流故障.
0xFE6A可编程2保留R保留.
1保留R保留.
0VDD_OVRVDD超出OVLO限值.
I2C/PMBus接口仍然工作,但电源转换停止.
0xFE05可编程表190.
寄存器0xFEA1—标志寄存器2和寄存器0xFEA4—锁存标志寄存器2(1=故障,0=正常工作)位位名称/功能R/W说明寄存器1操作17保留R保留.
不适用不适用6保留R保留.
不适用不适用5SR_RC_FAULTRCS2反向电流降至SR_RC_FAULT_LIMIT以下.
0xFE1A可编程4CONSTANT_CURRENTR恒流模式正在使用.
0xFE1A,0xFE1B可编程3LIGHT_LOADR轻载模式(CS2电流低于轻载阈值)0xFE19可编程2VIN_UV_FAULTRVIN读数低于VIN_OFF限值.
0xFE29可编程1SYNC_LOCKEDR逐周期同步开始.
N/A可编程0FLAGINRFLAGIN标志(SYNI/FLGI引脚)置1.
0xFE12可编程表191.
寄存器0xFEA2—标志寄存器3和寄存器0xFEA5—锁存标志寄存器3(1=故障,0=正常工作)位位名称/功能R/W说明寄存器1操作17CHIP_IDRADP1051中此位为1.
不适用不适用6PULSE_SKIPPIINGR跳脉冲模式正在使用.
0xFE69可编程5ADAPTIVE_DEAD_TIMER自适应死区补偿正在使用.
0xFE66可编程4DEEP_LIGHT_LOADR深度轻载模式(CS2电流低于深度轻载阈值).
0xFE1B可编程3EEPROM_UNLOCKEDREEPROM未锁定.
不适用无2CRC_FAULTR下载的EEPROM内容不正确.
不适用立即关断1ModulationR数字补偿器输出处于其最大或最小限值.
不适用无0SOFT_START_FILTERR软启动滤波器正在使用.
不适用无1N/A表示不适用.
1N/A表示不适用.
至少设置下列标志之一:VOUT_OV_FAULT、VOUT_UV_FAULT、IOUT_OC_FAULT、OT_FAULT、OT_WARNING、VIN_UV_FAULT、IIN_OC_FAST_FAULT、SR_RC_FAULT、POWER_OFF、CRC_FAULT、SOFT_START_FILTER或POWER_GOOD.
根据寄存器0xFE0D,某些标志可屏蔽.
ADP1051Rev.
0|Page105of108表192.
寄存器0xFEA6—第一个标志ID位位名称/功能R/W说明[7:4]之前第一个标志IDR位3位2位1位0第一个标志0000无标志0001IIN_OC_FAST_FAULT0010IOUT_OC_FAULT0011CS3_OC_FAULT0100VOUT_OV_FAULT0101VOUT_UV_FAULT0110VIN_UV_FAULT0111FLAGIN1000SR_RC_FAULT1001OT_FAULT1010保留1011保留1100保留1101保留1110保留1111保留[3:0]当前第一个标志IDR这些位返回造成电源关断的故障的标志故障ID.
位3位2位1位0第一个标志ADP10510000无标志0001IIN_OC_FAST_FAULT0010IOUT_OC_FAULT0011CS3_OC_FAULT0100VOUT_OV_FAULT0101VOUT_UV_FAULT0110VIN_UV_FAULT0111FLAGIN1000SR_RC_FAULT1001OT_FAULT1010保留1011保留1100保留1101保留1110保留1111保留这些位返回造成电源上一次关断的标志的标志故障ID.
之前的关断发生在位[3:0]确定的故障所引起的关断之前.
Rev.
0|Page106of108用户自定义值读数寄存器表193.
寄存器0xFEA7—CS1值位位名称/功能R/W说明[15:4]CS1电流值R[3:0]保留R保留.
表194.
寄存器0xFEA8—CS2值位位名称/功能R/W说明[15:4]CS2电压值R[3:0]保留R保留.
表195.
寄存器0xFEA9—CS3值位位名称/功能类型说明[15:4]CS3电压值R[3:0]保留R保留.
表196.
寄存器0xFEAA—VS值位位名称/功能R/W说明[15:4]VS电压值R[3:0]保留R保留.
表197.
寄存器0xFEAB—RTD值位位名称/功能R/W说明[15:4]RTD温度值R[3:0]保留R保留.
表198.
寄存器0xFEAC—VF值位位名称/功能R/W说明[15:5]VF电压值R[4:0]保留R保留.
表199.
寄存器0xFEAD—占空比值位位名称/功能R/W说明[15:12]保留R保留.
[11:0]占空比值R此寄存器包含12位CS1电流信息.
CS1输入引脚的范围是0V到1.
6V.
每个LSB对应390.
625μV.
0V输入时,此寄存器的值为0(十进制).
此引脚的额定电压为1V.
1V输入时,这些位的值为0xA00(十进制2560).
该读数与READ_IIN命令相同.
此寄存器包含12位CS2输出电流信息.
CS2±输入引脚的范围是0mV到120mV.
每个LSB对应29.
297μV.
0V输入时,此寄存器的值为0.
该读数与READ_IOUT命令相同.
此寄存器包含利用CS1读数和占空比信息计算的12位CS3电流信息.
每个LSB对应于4x寄存器0xFEA7中的CS1LSB,再乘以主变压器的匝数比n(n=NPRI/NSEC).
此寄存器包含12位VS±输出电压信息.
VS±输入引脚的范围是0V到1.
6V.
每个LSB对应390.
625μV.
0V输入时,此寄存器的值为0.
VS+和VS引脚的额定电压为1V.
1V输入时,此寄存器的这些位的值为0xA00(十进制2560).
该读数与READ_VOUT命令相同.
这些位包含12位RTD温度信息,数值由RTD引脚决定.
RTD输入引脚的范围是0V到1.
6V.
每个LSB对应390.
625μV.
0V输入时,此寄存器的值为0.
RTD引脚的额定电压为1V.
1V输入时,这些位的值为0xA00(十进制2560).
此寄存器包含11位VF电压信息.
VF输入引脚的范围是0V到1.
6V.
每个LSB对应781.
25μV.
0V输入时,此寄存器的值为0.
VF引脚的额定电压为1V.
1V输入时,这些位的值为0x500(十进制1280).
该读数与READ_VIN命令相同.
此寄存器包含12位占空比信息.
每个LSB对应0.
0244%占空比.
100%占空比时,这些位的值为0xFFF(十进制4095).
ADP1051Rev.
0|Page107of108表200.
寄存器0xFEAE—输入功率值位位名称/功能R/W说明位位名称/功能R/W说明[15:0]输入功率值RADP1051表201.
寄存器0xFEAF—输出功率值[15:0]输出功率值R此寄存器包含16位输入功率信息.
该值是输入电压值(VF)与输入电流读数(CS1)的乘积.
两个12位值的乘积是一个24位值,舍弃8个LSB.
此寄存器包含16位输出功率信息.
该值是输出电压值(VS)与输出电流读数(CS2)的乘积.
两个12位值的乘积是一个24位值,舍弃8个LSB.
Rev.
0|Page108of108外形尺寸0.
50BSC0.
500.
400.
300.
300.
250.
18COMPLIANTTOJEDECSTANDARDSMO-220-WGGD.
04-12-2012-ABOTTOMVIEWTOPVIEWEXPOSEDPADPIN1INDICATOR4.
104.
00SQ3.
90SEATINGPLANE0.
800.
750.
700.
20REF0.
25MINCOPLANARITY0.
08PIN1INDICATOR2.
652.
50SQ2.
451247121318196FORPROPERCONNECTIONOFTHEEXPOSEDPAD,REFERTOTHEPINCONFIGURATIONANDFUNCTIONDESCRIPTIONSSECTIONOFTHISDATASHEET.
0.
05MAX0.
02NOM图69.
24引脚引线框芯片级封装[LFCSP_WQ]4mmx4mm,超薄体(CP-24-7)图示尺寸单位:mm订购指南型号1温度范围封装描述封装选项ADP1051ACPZ-RL40°C至+125°C24引脚引线框芯片级封装[LFCSP_WQ]CP-24-7ADP1051ACPZ-R740°C至+125°C24引脚引线框芯片级封装[LFCSP_WQ]CP-24-7ADP1051-240-EVALZADP1051240W评估板ADP1051DC1-EVALZADP1051子板ADP-I2C-USB-ZUSB至I2C适配器I2C指最初由PhilipsSemiconductors(现为NXPSemiconductors)开发的一种通信协议.
2013AnalogDevices,Inc.
Allrightsreserved.
Trademarksandregisteredtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.
D11443sc-0-7/13(0)1Z=符合RoHS标准的设备.
ADP1051