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JT850-ESOP8新一代微波雷达传感器专用芯片产品概述JT850是专为微波感应模块应用而设计的新一代数字和模拟混合处理芯片.
JT850内部集成了特别设计的低失调运算放大器、高输入电压低功耗稳压电路、数字逻辑控制器、参考电压源、延时和封锁时间振荡器等模块.
JT850采用ESOP8封装形式,外围应用线路仅需数个贴片阻容器件,无需外部稳压电路,极大的简化外围线路,节省PCB板空间,降低整体BOM成本,也适合所有热释电红外传感器产品的应用.
主要特点输入电压:5.
1~24V内置稳压模块,输出电压5V低待机功耗特别优化设计的低失调和高益运放大器,灵敏度高并能有效抑制误触发输出延时振荡器频率外部可调内置封锁时间振荡器可重复触发具有光敏控制功能封装形式:ESOP8典型应用家庭、楼道、车库灯智能感应照明系统智能感应监控、报警、门铃系统人体感应数码相机,红外打猎相机等数码系统红外感应玩具引脚排列ESOP8(底部有焊盘)PCB钢网的厚度推荐0.
2mm12345678OP2NGVCCOP1OVCCOP1NTDVCOUTGNDJT850-ESOP8引脚功能序号符号功能描述1OP2N运放2输入2OP1O运放1输出3OP1N运放1输入4VC禁止触发端,VC>0.
2GVCC时允许触发,VC0.
2GVCC时禁止触发5OUT控制信号输出端6TD延时时间调节端7VCC电源端8GVCC稳压输出端9GND接地端(底部焊盘)电路功能框图图1.
电路功能框图23478956OPOOPIVCVCCGVCCGNDOUTTDLDO比较器延时振荡器数字控制器0.
2GVCC1OP2OP1最大额定值参数说明符号数值范围单位输入电源电压VCC–0.
3~26V其他引脚电压VIO–0.
3~6.
0V工作温度TOPR-20~70贮存温度TSTG-50~125注意:如果器件运行条件超过上述各项最大额定值,可能对器件造成永久性损坏.
上述参数仅是运行条件的极大值,我们不建议器件在该规范范围外运行.
如果器件长时间工作在绝对最大极限条件下,其稳定性可能会受到影响.
℃℃JT850-ESOP8电特性(除特别说明外,VCC=12V,TA=+25°C)参数说明符号测试条件最小值典型值最大值单位电源电压VCC5.
124V静态电流ICC30μAGVCC输出电压GVCC5.
0VGVCC输出电流IGVCCGVCC=4.
5V30mA输入失调电压VOS50mV输入失调电流IOS50nA开环电压增益AVO1RL=1.
5M60dB共模抑制比CMRRRL=1.
5M60dB内部固定增益GA40dB运放输出高电平VYHRL=500K4.
0V运放输出低电平VYL0.
5VOUT端输出高电平电流IOHVOH=0.
8GVCC10mAOUT端输出低电平电流IOLVOL=0.
2GVCC10mA封锁时间TLOCK1.
522.
5S典型应用线路图C2C11μFR11OP2NGVCC8100kΩR22OP1OVCC7VCCC5R41MΩ36OP1NTD10kΩ10μFR545GVCCVCOUTGND1MΩC3C694.
7nFC72.
2μFOUTPUTCDS图2.
JT850-微波典型应用线路图DSG10μF1μFC410nFRF-SensorJT-1015JT850JT850-ESOP8功能描述JT850内置稳压电路,输入电压最高可达24V,输出电压5.
0V,输出电流能为30mA,可以为PIR供电.
内部具有两级PIR信号运算放大器,运放电压增益及滤波特性外部可调,内部固定40dB增益,特别优化设计的高灵敏度运算放大器,能有效的抑制误触发.
当运放输出的信号超过芯片设定的阈值电压,延时振荡器立刻启动,OUT口输出高电平,延时周期结束后OUT口输出低电平.
禁止触发端外接光敏三极管或者光敏电阻,用来判断白天还是黑夜.
当VC>0.
2GVCC时,芯片判断为夜晚,允许触发.
当VC0.
2GVCC时,芯片判断为白天,禁止触发,OUT口一直输出低电平.
JT850具有外部干扰脉冲抑制功能,对于高频干扰信号能起到一定的抑制作用.
芯片内置封锁时间振荡器,封锁时间2秒.
芯片具有可重复触发模式.
延时周期Ta可以通过改变TD端外接的R和C的参数值进行调节.
推荐参数(元件参数精度,R:1%,C:5%)延时时间RC10s110kΩ2.
2nF20s100kΩ4.
7nF30s150kΩ4.
7nF45s115kΩ10nF60s155kΩ10nF90s240kΩ10nF120s312kΩ10nF180s470kΩ10nF300s800kΩ10nF600s1.
6MΩ10nFC2C11μFR11OP2NGVCC8100kΩPIRR22OP1OVCC7VCCC5R42MΩ36OP1NTD10kΩ10μFR545GVCCVCOUTGND1MΩC3C69C7R74.
7nF10nF47kΩC72.
2μFOUTPUTCDS图3.
JT850-PIR典型应用线路图DSG22μF10μFC410nFJT850JT850-ESOP8封装外形及尺寸图ESOP8SymbolDimensionsInMillimetersDimensionsInInchesMinMaxMinMaxA1.
3001.
7000.
0510.
067A10.
0500.
1500.
0020.
006A21.
3501.
5500.
0530.
061b0.
3300.
5100.
0130.
020c0.
1700.
2500.
0070.
010D4.
7005.
1000.
1850.
201D13.
2023.
4020.
1260.
134E3.
8004.
0000.
1500.
157E15.
8006.
2000.
2280.
244E22.
3132.
5130.
0910.
099e1.
270(BSC)0.
050(BSC)L0.
4001.
2700.
0160.
050θ0°8°0°8°