FEATURES金士顿4g内存条价格
金士顿4g内存条价格 时间:2021-01-19 阅读:()
KVR16LE11S8/4HD4GB1Rx8512Mx72-BitPC3L-12800CL11240-PinECCDIMMDESCRIPTIONThisdocumentdescribesValueRAM's512Mx72-bit(4GB)DDR3L-1600CL11SDRAM(SynchronousDRAM),1Rx8,ECC,lowvoltage,memorymodule,basedonnine512Mx8-bitFBGAcomponents.
TheSPDisprogrammedtoJEDECstandardlatencyDDR3-1600timingof11-11-11at1.
35Vor1.
5V.
This240-pinDIMMusesgoldcontactfingers.
Theelectricalandmechanicalspecificationsareasfollows:FEATURESJEDECstandard1.
35V(1.
28V~1.
45V)and1.
5V(1.
425V~1.
575V)PowerSupplyVDDQ=1.
35V(1.
28V~1.
45V)and1.
5V(1.
425V~1.
575V)800MHzfCKfor1600Mb/sec/pin8independentinternalbankProgrammableCASLatency:11,10,9,8,7,6ProgrammableAdditiveLatency:0,CL-2,orCL-1clock8-bitpre-fetchBurstLength:8(Interleavewithoutanylimit,sequentialwithstartingaddress"000"only),4withtCCD=4whichdoesnotallowseamlessreadorwrite[eitherontheflyusingA12orMRS]Bi-directionalDifferentialDataStrobeThermalSensorGradeBInternal(self)calibration:InternalselfcalibrationthroughZQpin(RZQ:240ohm±1%)OnDieTerminationusingODTpinAverageRefreshPeriod7.
8usatlowerthanTCASE85°C,3.
9usat85°C>SPECIFICATIONSselcyc11)DDI(LCRowCycleTime(tRCmin)48.
125ns(min.
)RefreshtoActive/Refresh260ns(min.
)CommandTime(tRFCmin)RowActiveTime(tRASmin)35ns(min.
)MaximumOperatingPowerTBDW0-V49gnitaRLUOperatingTemperature0oCto85oCStorageTemperature-55oCto+100oCSDRAMSUPPORTEDHynixD-DieDocumentNo.
VALUERAM1585-001.
A00Page2MODULEDIMENSIONS:
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35Vor1.
5V.
This240-pinDIMMusesgoldcontactfingers.
Theelectricalandmechanicalspecificationsareasfollows:FEATURESJEDECstandard1.
35V(1.
28V~1.
45V)and1.
5V(1.
425V~1.
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425V~1.
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8usatlowerthanTCASE85°C,3.
9usat85°C>SPECIFICATIONSselcyc11)DDI(LCRowCycleTime(tRCmin)48.
125ns(min.
)RefreshtoActive/Refresh260ns(min.
)CommandTime(tRFCmin)RowActiveTime(tRASmin)35ns(min.
)MaximumOperatingPowerTBDW0-V49gnitaRLUOperatingTemperature0oCto85oCStorageTemperature-55oCto+100oCSDRAMSUPPORTEDHynixD-DieDocumentNo.
VALUERAM1585-001.
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