存储器镁光内存

-1-敬请参阅最后一页特别声明樊志远宋敬祎范彬泰分析师SAC执业编号:S1130518070003(8621)61038318fanzhiyuan@gjzq.
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cn存储器芯片下行趋势已定,这次有多糟呢事件点评因为英特尔14纳米x86CPU短缺可能持续到明年第一季度,而造成某些特定客户开始清除因之前担心涨价而多建的库存,加上美国提高关税的不利影响,美光预期第四季度销售环比衰退2-6%而低于市场预期.
而我们认为比特币价格下跌造成的中低阶挖矿机需求不振,及新兴市场货币贬值造成的中低阶手机销售不佳,加上3DNAND转到96层及DRAM转到19纳米以下制程工艺的产能增加,我们预估明年内存DRAM和闪存NAND将会有3-5%的供过于求,价格下行趋势确立,而将造成2019年整体存储器芯片产业同比衰退5-9%及全球半导体产业同比衰退1-4%.
我们的预估比DRAMeXchange对明年存储器芯片产业5%的同比成长预估来的悲观许多,但DRAMeXchange上周五也下修今年第四季度的DRAM合约价格预期,从1-3%价格环比下跌下修到5%的价格下跌.
虽然存储器价格下行趋势确立,但我们预估此次下行趋势应不超过18个月,英特尔14纳米x86CPU短缺状况应会于明年中之前改善,10纳米x86CPU应于明年下半年量产,AMD7纳米x86CPU,7纳米挖矿机及智能手机,5G手机都将于明年出笼而对存储器半导体产生正面影响.
因此我们预估大多数的内闪存存储器半导体公司会面对营业利润率从近50%的高档下滑,但却不至于步入亏损,因此我们不预期主流存储器会将大量产能转入利基型NOR和SLCNAND闪存市场而造成其价格崩跌,NOR和SLCNAND闪存领导厂商旺宏,华邦,兆易创新,武汉新芯将持续将产品转为价格及获利较好的高密度NOR和SLCNAND,而让相关厂商同比获利衰退幅度相对较小.
但此下行趋势对明年即将量产的中国主流存储器芯片大厂长江存储,合肥长鑫,福建晋华当然是雪上加霜.
投资建议中国大陆/台湾重点关注公司:兆易创新,长江存储,南亚科技全球重点关注公司:SK海力士,美光风险提示虽然我们预估此次存储器芯片产业下行趋势应不超过18个月,相关厂商不至于步入亏损,但我们不能排除下行趋势中所引发的全面清库存的动作,所可能引发远高于市场预期的价格崩跌,及半导体制程工艺演进因价格崩跌而加速产出,造成远高于市场预期的存储器芯片供给.
证券研究报告2018年09月23日创新技术与企业服务研究中心半导体行业研究增持(维持评级)行业点评行业点评-2-敬请参阅最后一页特别声明【点评】美光预估第四季度前景低于市场预期:美光预期第四季度销售环比衰退2-6%,同比成长降速为16-22%(低于第三季度的38%同比成长),并且低于市场预期近4%.
虽然美光预期57-60%毛利,49%营业利益,44%的净利率都与市场预期相同,但远低于前两季度的61%毛利,51-52%营业利益,49-51%的净利率.
美光认为第四季度销售低于预期是因为英特尔14纳米x86CPU短缺可能持续到明年第一季度(我们认为英特尔应该是短暂将产能转去帮苹果三款新手机做XMM7560基频芯片)而造成某些特定客户开始清除因之前担心涨价而多建的库存,可能将持续数季度,加上美国提高关税的不利影响.
而在产业下行趋势拐点出现后,美光竟然提高2019年资本支出同比成长16%到105亿美金,预计透过96层3DNAND闪存的技术演进将闪存产能位元成长率(bitgrowth)拉高到超过40%(高于产业平均的35-40%同比成长).
供给过剩,价格下行趋势确立:因为英特尔14纳米x86CPU产能短缺,比特币价格下跌造成的中低阶挖矿机需求不振,及新兴市场货币贬值造成的中低阶手机销售不佳,但加上3DNAND闪存转到96层及DRAM内存转到19纳米以下制程工艺的产能增加,我们预估明年内存DRAM(23-25%供给vs.
20%需求)和闪存NAND(43-45%供给vs.
40%需求)将会有3-5%的供过于求,价格下行趋势确立,我们预期在未来12个月内,DRAM内存每位元现货价格(bitprice)同比将衰退超过20%,NAND闪存现货价格同比将衰退超过40%,而将造成2019年整体存储器芯片产业同比衰退5-9%及全球半导体产业同比衰退1-4%(但逻辑芯片将持续成长).
我们的预估是比存储器产业研究机构DRAMeXchange对明年存储器芯片产业5%的同比成长预估(DRAM7%同比成长,NAND同比零成长)来的悲观许多,但DRAMeXchange上周五最新出炉的报告也因近期供过于求,而下修今年第四季度的DRAM合约价格预期,从1-3%价格环比下跌下修到5%的价格下跌.
图表1:季度存储器价格表来源:DRAMeXchange,国金证券研究所这次下行趋势有多糟虽然存储器价格下行趋势确立,但我们预估此次下行趋势应不超过18个月,英特尔14纳米x86CPU短缺状况应会于明年中之前改善,10纳米x86CPU应于明年下半年量产,AMD7纳米x86CPU,7纳米挖矿机及智慧手机,5G手机都将于明年出笼取代中低阶机种及对存储器半导体产生正面影响.
因此我们预估大多数的内闪存存储器半导体公司会面对营业利润率从近50%的高档下滑,但却不至于步入亏损.
行业点评-3-敬请参阅最后一页特别声明图表2:季度营业利润率和自由现金流量销售比来源:各公司公告,国金证券研究所对中国产业的影响虽然主流DRAM和3DNAND的下跌对NOR,SLC(Single-LevelCell,单层单元闪存)NAND都会造成不良的影响,但只要这次下行趋势不超过18个月,主流存储器芯片大厂不步入亏损,我们不预期主流存储器会将大量产能转入利基型NOR和SLCNAND闪存市场而造成其价格崩跌.
目前我们维持之前的预估,NOR和SLCNAND闪存领导厂商旺宏,华邦,兆易创新,武汉新芯将持续将产品从价格及获利下行的中、低密度NOR转为价格及获利较好的高密度NOR和SLCNAND,而让相关厂商同比获利衰退幅度相对较小.
但此下行趋势对明年即将量产的中国主流存储器芯片大厂长江存储(3DNAND),合肥长鑫(MobileDRAM),福建晋华(NicheDRAM)当然是雪上加霜.
图表3:中国存储器芯片2019年量产计划来源:DRAMeXchange,国金证券研究所投资建议中国大陆/台湾重点关注公司:兆易创新,长江存储,南亚科技全球重点关注公司:SK海力士,美光行业点评-4-敬请参阅最后一页特别声明风险提示虽然我们预估此次存储器芯片产业下行趋势应不超过18个月,相关厂商不至于步入亏损,但我们不能排除下行趋势中所引发的全面清库存的动作,所可能引发远高于市场预期的价格崩跌,及半导体制程工艺演进因价格崩跌而加速产出,造成远高于市场预期的存储器芯片供给.
行业点评-5-敬请参阅最后一页特别声明公司投资评级的说明:买入:预期未来6-12个月内上涨幅度在15%以上;增持:预期未来6-12个月内上涨幅度在5%-15%;中性:预期未来6-12个月内变动幅度在-5%-5%;减持:预期未来6-12个月内下跌幅度在5%以上.
行业投资评级的说明:买入:预期未来3-6个月内该行业上涨幅度超过大盘在15%以上;增持:预期未来3-6个月内该行业上涨幅度超过大盘在5%-15%;中性:预期未来3-6个月内该行业变动幅度相对大盘在-5%-5%;减持:预期未来3-6个月内该行业下跌幅度超过大盘在5%以上.
行业点评-6-敬请参阅最后一页特别声明上海北京深圳电话:021-60753903传真:021-61038200邮箱:researchsh@gjzq.
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