寄存器花生壳无法登陆

杭州领芯电子有限公司第1页共7页目录1.
无法进入STOP模式/WT中断无法进入.
2问题描述:2问题分析:2解决方案:22.
写E2与T1联动.
3问题描述:3问题分析:3解决方案:33.
读信息区.
4问题描述:4问题分析:4解决方案:4②配置寄存器.
44.
F04/F16AD采样时钟控制位--ADCFG.
5问题描述:5问题分析:5解决方案:55.
设置LVR.
确保频率稳定.
5问题描述:5问题分析:6解决方案:6持续更新中杭州领芯电子有限公司第2页共7页1.
无法进入STOP模式/WT中断无法进入问题描述:关键字:STOP模式F16客户需要使用stop模式,但是在设置相关寄存器后,无法进入STOP模式.
即在设置WPKEY=0x37;PCON|=0x02;这两个寄存器后,还是无法进入STOP模式.
问题分析:在公司自己的demo板上无法重现问题,在拿到客户demo板后重现了该现象.
在确定没有开启任何唤醒源开启后.
我们逐一排查各种唤醒源的寄存器值.
发现WTCON在进行唤醒操作.
WTCON等相关WT的寄存器,由于可能作为RTC使用,寄存器的值只能通过POC(上电复位)而且WT的中断标志要先读再写0才能清0在程序中有用到过WT,WTIF被置起来,然后用其他程序就无法进入STOP了,因为WTIF没有清零上电复位与外部供电的上电时序有关系,不一定能可靠复位,所以断电不一定能清除此寄存器需要注意的是WT的中断标志要先读再写0才能清0!
杭州领芯电子有限公司第3页共7页解决方案:在在初始化寄存器时,对WTF位清0即:WTCON&=0x80;最终测试,STOP模式使用正常.
2.
写E2与T1联动问题描述:关键字:写E2T1联动F04/F16电源地良好,下载功能完好,单一通信状态完好,但无法实现客户程序中的串口通信.
问题分析:1)对单一通信模块分析,工作正常,所以排除RX,TX损毁.
2)在对客户程序仿真时发现程序总是死在写(读)e2prom.
3)逐个对程序进行分析,发现客户在测试程序时,使用while循环每50ms来写EEprom.
而,本司产品写EEprom次数至少为一万次.
所以推测写eeprom次数超过芯片承受次数,造成eeprom存储区损毁.
4)改变写入eeprom存储地址,程序恢复正常工作.
杭州领芯电子有限公司第4页共7页解决方案:1),E2PROM在编程过程中,为了防止由于存储器使用寿命/干扰导致无法正常完成写操作,用户可以与T1联动,采用T1中断终止写操作.
①将T1设置为模式0定时器模式,设置计数时间约为3ms(推荐时间,预留冗余时间);②使能T1中断;③进行MTP/信息区/E2PROM写操作;3.
读信息区问题描述:客户在进行时钟操作时,配置正确,却无法得到正确的值.
问题分析:如果配置正确,但是无法得到正确的数值,应为芯片内部信息区的值被改写.
解决方案:①在keil软件内的setting请勿勾选EraseFlash.
杭州领芯电子有限公司第5页共7页②配置寄存器WPKEY=0x37;xTESTCON=0x10;//RCHoutputtoP0.
7从P0.
7脚输出RCH.
在示波器观看.
理论值为8Mhz.
如若有偏差,请换颗芯片.
4.
F04/F16AD采样时钟控制位--ADCFG.
问题描述:客户在进行AD采样时,配置正常,但是无法进行AD采样.
问题分析:如果配置都为正常.
那么或许是因为信息区地址18H位ADCFG没有开启.
解决方案:按照F04/F16选择不同的开启位.
F04,1为关,F16,1为开.
实例代码FlashAddrH=0x00;FlashAddrL=0x18;FlashCLKDiv=25;FlashKey=0xA5;FlashKey=0xF1;//openprotectFlashCtrl=0x05;//杭州领芯电子有限公司第6页共7页5.
设置LVR.
确保频率稳定问题描述:在上电瞬间,客户马上切换频率会导致程序跑飞,需要客户开启LVR,设置为2.
5V,保证频率稳定.
问题分析:无解决方案:设置LVRCON寄存器杭州领芯电子有限公司第7页共7页设置LVR为2.
5V代码如下:LVRCON=0x85