存储器芯片组

IDT|INTEGRATEDDEVICETECHNOLOGYDDR4产品:寄存器同时用于RDIMM与LRDIMM与4DB0226配对,支持LRDIMM32位1:2指令/地址寄存器1.
2VVdd工作电压支持多达4组封装队列和可提供原生3DS支持的8组逻辑队列高级I/O启用控制可为数据缓冲控制提供全速BCOM总线自动阻抗校准全新DDR4低功耗协议命令/地址奇偶校验检测控制寄存器RCW回读1MHzI2C总线数据缓冲器与4RCD0124配对,支持LRDIMM两个支持差分数据选通的4位双向数据寄存器1.
2VVdd工作电压自动阻抗校准BCOM奇偶校验检测控制寄存器BCW回读温度传感器+EEPROM用于UDIMM、RDIMM和LRDIMM仅为±0.
5℃的温度精度误差512字节EEPROM用于厂商信息1MHzI2C总线优势所有器件均符合JEDEC标准,同时满足针对高可靠性与应用合规性的严格要求与DDR3相比,DDR4可将功耗降低多达35%支持太字节DIMM存储器奇偶校验和CRC可提高数据错误恢复率更高的调试与系统裕量存储器接口概览IDT拥有业界最广泛的产品系列,是唯一能够为企业级服务器存储器模块提供完整DDR4及DDR3芯片组解决方案的公司.
IDT的DDR4寄存时钟驱动器、数据缓冲器及温度传感器组成了业界首款适用于DDR4寄存双列直插存储器模块(RDIMM)和低负载双列直插存储器模块(LRDIMM)的完整芯片组.
随着DDR4的数据传输速率攀升至3.
2Gb/s乃至更高,RDIMM和LRDIMM卓越的速度可扩展存储器技术具备毋庸置疑的优势,这有望在广泛的存储器密集型计算与存储应用领域进一步提高普及率.
IDTDDR4寄存时钟驱动器(4RCD0124)和数据缓冲器(4DB0226)可通过高度灵活的I/O控制、定时与电压校准及控制寄存器的可编程性在JEDEC定义的所有DDR4LRDIMM和RDIMM拓扑中以更高的密度实现更快的数据速率.
可将DIMM拓扑配置和DRAM信息存储在IDT的温度传感器EEPROM(TSE2004)中.
随各代DDR产品的成功推出,IDT器件在存储器接口芯片组技术上积累了深厚的知识,能为您的应用提供可靠的性能.
应用需要在更高数据速率及最低功耗下提供更深存储器的应用包括企业级服务器、数据中心、工作站、存储设备以及通信等.
IntegratedDeviceTechnology、IDT与IDT徽标均是IDT的注册商标.
本文使用的其它商标和服务标志,如受保护的名称、徽标和设计等,均是IDT或其各自第三方所有者的财产.
2015年版权所有.
保留一切权利.
OV_MIP_Generic_RevB_0815服务器存储器接口芯片组的领导者时钟与定时|接口与连接|存储器与逻辑|电源管理|RF产品Visitusformoreinformation:www.
idt.
com/go/DDR4www.
idt.
com/go/DDR3www.
idt.
com/go/TempSensor