固态硬盘担心寿命别开玩笑啦这两天有个大新闻对固态硬盘不断涨价的现状来说是个很好的安慰剂——超大容量的QLC闪存就快来了肯定有小伙伴问 QLC又是啥今天就说说这个事情重点也谈谈大家担心的写入寿命这个问题。
固态硬盘怎么存储
同机械硬盘原理区别很大 固态硬盘是用NAND Flash来存储数据。NAND F lash在物理结构上是由一个一个的“块”组成。每个块都有一定的擦除寿命P/E 当擦除寿命达到时这个块就会损坏了。不知道大家注意没有现在的固态硬盘和机械硬盘不同容量都是120GB、240GB、480GB、960GB而不是我们通常理解的128GB、256GB、512GB、960GB。近似规格的容量其实都是用来校验数据和备份冗余这些“块”的。
理论上 TLC闪存是为了能够支持100TB级别的固态硬盘而设计出来的闪存结构密度大 当然这仅仅是理论支持而已成本上依然不能让普通用户接受。所以存储密度更大的QLC出现就是进一步加强固态硬盘容量的技术变革。预测QLC闪存的固态硬盘推出时将是真正TB 960GB级别固态硬盘走向普及的第一步当然不要幻想和机械硬盘同量同价哦 。而且在超大容量面前写入次数少的问题也可以依靠更多的冗余来弥补更何况擦除寿命这个事儿本身就没什么可担心的。
固态硬盘能写多少
根据NAND Flash的类型不同擦除寿命P/E也不相同 目前存在的NAND Flash分为SLC、MLC、 TLC三种类型加上即将出现的QLC一共是四种。三种类型的闪存P/E分别为SLC 500010000次MLC
10003000次 TLC 5001000次。QLC有多少呢根据现在的说法QLC结构的闪存P/E只有150次。神马 150次那不是完全不能用吗别担心技术在进步这只是初期的技术验证产物后续肯定会改良。别忘了T LC刚刚上市的时候 P/E不过500次而已。
在这里还要给大家解除一个误区很多人说写入次数太少了肯定寿命短但是这个长短的概念可真不是单纯字面理解的1000次、 3000次神马的。举个实际点的例子吧的120 GB固态硬盘是T LC的按照1000次的P/E写入次数计算这块硬盘的写入总量应该是
120×1000=120000GB如果是每天写满120GB那么他的寿命理论是
2.7年。是不是感觉很少呢
这就是问题所在啦说说结果吧从今年1月3日开始使用这块固态硬盘 目前为止接近半年时间180天总计写入量为2413 GB相当于平均每天只写入了13.4GB距离理论每天写满120GB差了将近10倍
2.7年的所谓理论寿命是不是毫无意义了
固态硬盘寿命杀手究竟是谁
与其担心写入量的问题会影响固态硬盘寿命不如担心一下固态硬盘寿命的真正杀手——过热和突然断电。因为固态硬盘是用电信号擦除写入数据所以突然断电对固态硬盘来说非常严重的事情频繁的突然断电可能会导致数据丢失包括已写入保存的数据这和机械硬盘是有本质区别的。所谓突然断电 比如说停电、硬关机这类都属于断电范畴。另一个寿命杀手就是过热了固态硬盘其实耐热能力不如机械硬盘过热会极大缩短固态硬盘中闪存颗粒的寿命这是因为电子芯片会因为过
热产生一种叫做电子迁移的现象说白一点就是加速老化从物理结构上造成不可逆的寿命损伤如果长时间高强度使用固态硬盘再加上散热工作不到位就很容易造成固态硬盘过热就的看法这远比关心闪存颗粒的擦写次数更值得关注。
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