固态固态硬盘担心寿命？别开玩笑啦！

固态硬盘担心寿命别开玩笑啦这两天有个大新闻对固态硬盘不断涨价的现状来说是个很好的安慰剂——超大容量的QLC闪存就快来了肯定有小伙伴问 QLC又是啥今天就说说这个事情重点也谈谈大家担心的写入寿命这个问题。

固态硬盘怎么存储

同机械硬盘原理区别很大 固态硬盘是用NAND Flash来存储数据。NAND F lash在物理结构上是由一个一个的“块”组成。每个块都有一定的擦除寿命P/E  当擦除寿命达到时这个块就会损坏了。不知道大家注意没有现在的固态硬盘和机械硬盘不同容量都是120GB、240GB、480GB、960GB而不是我们通常理解的128GB、256GB、512GB、960GB。近似规格的容量其实都是用来校验数据和备份冗余这些“块”的。

理论上 TLC闪存是为了能够支持100TB级别的固态硬盘而设计出来的闪存结构密度大 当然这仅仅是理论支持而已成本上依然不能让普通用户接受。所以存储密度更大的QLC出现就是进一步加强固态硬盘容量的技术变革。预测QLC闪存的固态硬盘推出时将是真正TB 960GB级别固态硬盘走向普及的第一步当然不要幻想和机械硬盘同量同价哦 。而且在超大容量面前写入次数少的问题也可以依靠更多的冗余来弥补更何况擦除寿命这个事儿本身就没什么可担心的。

固态硬盘能写多少

根据NAND Flash的类型不同擦除寿命P/E也不相同 目前存在的NAND Flash分为SLC、MLC、 TLC三种类型加上即将出现的QLC一共是四种。三种类型的闪存P/E分别为SLC 500010000次MLC

10003000次 TLC 5001000次。QLC有多少呢根据现在的说法QLC结构的闪存P/E只有150次。神马 150次那不是完全不能用吗别担心技术在进步这只是初期的技术验证产物后续肯定会改良。别忘了T LC刚刚上市的时候 P/E不过500次而已。

在这里还要给大家解除一个误区很多人说写入次数太少了肯定寿命短但是这个长短的概念可真不是单纯字面理解的1000次、 3000次神马的。举个实际点的例子吧的120 GB固态硬盘是T LC的按照1000次的P/E写入次数计算这块硬盘的写入总量应该是

120×1000=120000GB如果是每天写满120GB那么他的寿命理论是

2.7年。是不是感觉很少呢

这就是问题所在啦说说结果吧从今年1月3日开始使用这块固态硬盘 目前为止接近半年时间180天总计写入量为2413 GB相当于平均每天只写入了13.4GB距离理论每天写满120GB差了将近10倍

2.7年的所谓理论寿命是不是毫无意义了

固态硬盘寿命杀手究竟是谁

与其担心写入量的问题会影响固态硬盘寿命不如担心一下固态硬盘寿命的真正杀手——过热和突然断电。因为固态硬盘是用电信号擦除写入数据所以突然断电对固态硬盘来说非常严重的事情频繁的突然断电可能会导致数据丢失包括已写入保存的数据这和机械硬盘是有本质区别的。所谓突然断电 比如说停电、硬关机这类都属于断电范畴。另一个寿命杀手就是过热了固态硬盘其实耐热能力不如机械硬盘过热会极大缩短固态硬盘中闪存颗粒的寿命这是因为电子芯片会因为过

热产生一种叫做电子迁移的现象说白一点就是加速老化从物理结构上造成不可逆的寿命损伤如果长时间高强度使用固态硬盘再加上散热工作不到位就很容易造成固态硬盘过热就的看法这远比关心闪存颗粒的擦写次数更值得关注。