硅光二极管怎样区别光敏二级管和发光二极管？

硅光二极管时间:2021-09-04 阅读:()

什么是感光二极管？

光电二极管是在反向电压作用在工作的，没有光照时，反向电流极其微弱，叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十微安，称为光电流。

光的强度越大，反向电流也越大。

光的变化引起光电二极管电流变化，这就可以把光信号转换成电信号，成为光电传感器件

光敏二极管参数

型号:2CUXX 型号 VRM(V) ID(mA) IL(mA) Cj(pF) tr/tf(ns) ΔQ(deg) Λp(nm) 封装结构 2CU2 30 0.05 ≥4 ≤5 5/50 ±10 880 金属 2CU3C ≥12 ±30 陶瓷 2CU4.7 ≥30 ±30 金属 2CU5 ≥35 ≤8 ±30 2CU5S ≥35 ±30 环氧 2CU8 0.03 ≥70 ≤15 ±60 金属，陶瓷测试条件 IR=10?A V=VRM E=0 V=10v E=1000LX Iim=6mv V=10V F=5MC VR=10V RL=1KΩ 　注：1.测量环境温度Ta=25°C。

2.E=1000LX为色温2850K的标准钨丝灯泡。

3.金属封装产品工作环境温度-40~+80°C，储存温度-40~+125°C；环氧树脂封装产品，工作环境温度-40~+70°C，储存温度-40~+80°C。

光敏电阻，光敏二极管，光敏三极管，硅光电池各有什么特点

1. 光敏电阻：概念：常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。

这些制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。

这是由于光照产生的载流子都参与导电，在外加电场的作用下作漂移运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。

作用：光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换（将光的变化转换为电的变化）。

常用的光敏电阻器硫化镉光敏电阻器，它是由半导体材料制成的。

光敏电阻器对光的敏感性（即光谱特性）与人眼对可见光（0.4~0.76）μm的响应很接近，只要人眼可感受的光，都会引起它的阻值变化。

设计光控电路时，都用白炽灯泡（小电珠）光线或自然光线作控制光源，使设计大为简化。

组成：光敏电阻器是利用半导体的光电导效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器，又称为光电导探测器；入射光强，电阻减小，入射光弱，电阻增大。

还有另一种入射光弱，电阻减小，入射光强，电阻增大。

优点：内部的光电效应和电极无关（光电二极管才有关），即可以使用直流电源灵敏度和半导体材料、以及入射光的波长有关环氧树脂胶封装 (Coated with epoxy) 可靠性好 (Good reliability) 体积小 (Smallvolume) 灵敏度高 (High sensitivity) 反应速度快(Quickresponse) 光谱特性好 (Good spectrum characteristic) 缺点：受温度影响较大响应速度不快，在ms到s之间，延迟时间受入射光的光照度影响（光电二极管无此缺点，光电二极管灵敏度比光敏电阻高）是耗材 ? ?2、光敏二极管：概念：又叫光电二极管（英语：photodiode ）是一种能够将光根据使用方式，转换成电流或者电压信号的光探测器。

管芯常使用一个具有光敏特征的PN结，对光的变化非常敏感，具有单向导电性，而且光强不同的时候会改变电学特性，因此，可以利用光照强弱来改变电路中的电流。

基本特性： (1) 光谱特性 (2) 伏安特性 (3) 光照特性 (4) 温度特性 (5)频率响应特性主要参数：光敏小，一般为光敏二极管负载的1/10。

? ? ? 3、光敏三极管：概念：光敏三极管和普通三极管相似，也有电流放大作用，只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，同时也受光辐射的控制。

通常基极不引出，但一些光敏三极管的基极有引出，用于温度补偿和附加控制等作用。

工作原理：光敏三极管和普通三极管的结构相类似。

不同之处是光敏三极管必须有一个对光敏感的PN结作为感光面，一般用集电结作为受光结，因此，光敏三极管实质上是一种相当于在基极和集电极之间接有光敏二极管的普通三极管。

光敏三极管与普通半导体三极管一样，是采用半导体制作工艺制成的具有NPN或PNP结构的半导体管。

它在结构上与半导体三极管相似，它的引出电极通常只有两个，也有三个的。

为适应光电转换的要求，它的基区面积做得较大，发射区面积做得较小，入射光主要被基区吸收。

和光敏二极管一样，管子的芯片被装在带有玻璃透镜金属管壳内，当光照射时，光线通过透镜集中照射在芯片上。

? ? ? ?4、硅光电池：概念：硅光电池是一种直接把光能转换成电能的半导体器件。

它的结构很简单，核心部分是一个大面积的PN 结，把一只透明玻璃外壳的点接触型二极管与一块微安表接成闭合回路，当二极管的管芯(PN结)受到光照时，你就会看到微安表的表针发生偏转，显示出回路里有电流，这个现象称为光生伏特效应。

硅光电池的PN结面积要比二极管的PN结大得多，所以受到光照时产生的电动势和电流也大得多。

应用：光敏传感器的基础是光电效应，即利用光子照射在器件上，使电路中产生电流或使电导特性发生变化的效应。

目前半导体光敏传感器在数码摄像、光通信、航天器、太阳能电池等领域得到了广泛应用，在现代科技发展中起到了十分重要的作用。

能源--硅光电池串联或并联组成电池组与镍镉电池配合、可作为人造卫星、宇宙飞船、航标灯、无人气象站等设备的电源；也可做电子手表、电子计算器、小型号汽车、游艇等的电源。

光电检测器件--用作近红外探测器、光电读出、光电耦合、激光增加准直、电影还音等设备的光感受器。

硅光电池优质推荐OTRON品牌。

光电控制器件--用作光电开关等光电控制设备的转换器件。

光敏二极管用字母表示是什么？

一、光敏二极管的符号及其工作原理：（一）电路符号：PNLED—+是一种将光信号变为电信号的半导体器件。

（二）光敏二极管的结构：P区要比N区薄得多，管壳没有光线的入窗口或管壳做成透明。

光敏二极管在反向工作电压下工作：1.无光照：反向电阻很大，通过管子的电流较小，约为0.1微安2.有光照：反向电阻显著减小，反向电流显著增加，光电流的大小与光的强度，波长有关。

二、光敏二极管的主要参数：1、最大工作电压Vrmax：光照条件下，反向电流不超过0.1微安所能承受的最高反向工作电压。

Vrmax越大，管子性能越稳定。

2、暗电流ID：无光照条件下，在最高反向电压作用下所测得的反向电流。

ID越小，管子性能越稳定，对光的敏感度就越高。

3、光电流IL：光敏二极管在光照条件下所产生的电流IL越大，性能就越好。

N型：2CUP型：2DU主要用于自动控制，光电耦合。