https://ewh.ieee.org/conf/edtm/2021

第五届IEEE电子器件技术与制造(EDTM)会议20215thIEEEElectronDevicesTechnologyandManufacturing(EDTM)Conference,2021会议主题:智能技术构建智慧互连生活中国成都2021年3月9-12日终版论文提交截止日期:2020年10月25日"由于受新冠肺炎影响,论文提交截止时间延期到2020年11月7日"2021年IEEE电子器件技术与制造(EDTM)会议是一个为期四天的国际学术会议,会议由IEEE电子器件协会(EDS)主办,将于2021年3月9日至12日在中国成都举行.
EDTM是电子器件领域的国际标杆学术会议,聚焦各种电子器件技术和制造的相关研发议题,为来自全球产业、学术界和研发机构的研究人员和工程师提供研发交流的平台.
EDTM在亚洲各个半导体产业热点循环举行,并于2021年首次来到中国.
会议技术领域EDTM2021面向所有电子器件相关领域征集论文,包括材料、工艺、器件、封装、建模、可靠性、制造和良率、工具、测试和任何新兴的器件相关技术.
在网上提交论文时,请作者根据下文的说明选择技术类别.
口头和海报演讲EDTM2021包括三天的并行口头报告与海报演讲技术论坛.
将评选出最佳论文奖、最佳学生论文奖和最佳海报奖.
IEEE认可的经济困难国家的学生可要求提供部分旅行资助,以便在会议上报告被接收的论文.

论文出版EDTM2021论文将遵循IEEE标准评审过程和出版指南.
被接收并宣讲的论文将发表在IEEEXplore中的EDTM2021会议论文集中.
部分高影响力论文的作者会被邀请提交扩展版本,在IEEEJournalofElectronDevicesSociety(J-EDS)的期刊上发表,此部分发表文章将遵循J-EDS的审稿和出版政策.
短课程和研讨课EDTM2021将于2021年3月9日举办一系列的短课程和研讨课.
主题研讨课将涵盖从基础知识到最新进展,旨在帮助与会者能够快速地掌握某个主题.
短课程将围绕EDTM2021主题热点话题讨论相关最新研究和挑战,包括由电子器件赋能的异质集成、人工智能(AI)和机器学习(ML)、万物互联网(IoET)、5G+、自主系统、工业4.
0、未来计算和量子信息处理等前沿技术.
展览EDTM2021为参展商提供展示最新产品和技术的机会,让与会者了解新工具和新技术,帮助他们在工作中取得成功.
https://ewh.
ieee.
org/conf/edtm/2021会议联席主席:AlbertWang(加州大学河滨分校)aw@ece.
ucr.
edu叶甜春(中国科学院微电子研究所)tcye@ime.
ac.
cn会议技术委员会联席主席:吴华强(清华大学)wuhq@tsinghua.
edu.
cnSubramanianIyer(加州大学洛杉矶分校)s.
s.
iyer@ucla.
edu指导委员会:KazunariIshimaru(主席,铠侠)黄如(联席主席,北京大学)FernandoGuarin(格罗方德)Tsu-JaeKingLiu(加州大学伯克利分校)刘明(中国科学院微电子研究所)MeyyaMeyyappan(美国航空航天局)SamarSaha(ProspicientDevices)RaviTodi(西部数码)AlbertWang(加州大学河滨分校)吴华强(清华大学)叶甜春(中国科学院微电子研究所)张波(电子科技大学)BinZhao(EBI)邹雪城(华中科技大学)秘书处:成都汀兰会展有限公司Email:nancy@tlan-group.
com论文征集第五届IEEE电子器件技术与制造(EDTM)会议2021EDTM2021将采用现场会议与线上会议结合的形式:大部分参与者现场作报告并参会,部分由于新冠肺炎影响无法出行的与会者可通过线上通道作报告、听会并参与展览.
征集涵盖(不限定)以下技术领域的原创论文:材料:所有与器件相关的材料,包括半导体、磁学、铁电体、绝缘体、金属、液晶、光刻胶、有机薄膜、蚀刻气体、导电细丝和相变材料等.
用于降低成本并提高可靠性、良率和可制造性的材料工程突破.
特别欢迎提交能够赋能智能器件的创新智能材料相关论文.
制造工艺和工具:半导体工艺和设备,包括工艺模块(沉积、干湿蚀刻、清洗、平坦化、隔离、电介质、金属、硅化物、光刻)、工艺集成、工艺控制、设备对器件的影响、可靠性和良率、自组装技术、工艺传感,AI/ML赋能的工艺增强等.
半导体器件:所有半导体器件,包括硅/锗CMOS,互连,化合物半导体,低维纳米材料,vanderWaals异质结构,纳米线,纳米管,纳米片,量子点,自旋电子器件,柔性和可穿戴电子器件,3D器件,射频和太赫兹器件.
欢迎用于未来计算的新兴器件概念的论文,包括隧道FET,负电容FET,拓扑绝缘体,相变,量子比特器件等.
存储技术:所有存储器类型,包括嵌入式和独立存储,易失性和非易失性存储,存内计算和神经形态计算.
有关基于电荷的存储器、RRAM、MRAM、PCM、FeRAM、交叉点阵和选通器、生物启发型存储器、尺寸微缩、工艺、表征、可靠性、模型、三维集成、读/写/擦除、以及以存储为中心的计算的新层次结构和架构.

光子学、成像和显示:有关光子学、能源光子学、光电子学、微波光子学、纳米光子学、光学传感器技术、光通信和网络、光交换器件、生物光子学、激光器、光学系统、成像器、显示器和光子学、成像和显示领域的其他新兴技术等.
功率和能源器件:与高压器件,功率/射频器件,能量采集器件,光伏,储能器件,分立和集成功率器件,功率模块和系统有关的器件技术.
功率器件结构,例如二极管,BJT,FET,IGBT,宽带隙和超宽带隙材料(GaN,GaAs,AlN,GaO等)以及相关的功率器件.
功率器件制造工艺,模型和仿真等.
模型和仿真:器件,封装和工艺的模型和仿真的进展,包括电学、光学或混合器件,互连,异质集成,寄生元件,制造工艺,物理现象,机械系统,电热效应、测试结构等相关的数值、解析和统计模型与仿真等.