capacitor请问法拉电容和电力电容的区别 即farad capacitor 和power capacitor的区别

超级电容器的英文缩写？

超级电容器（Super-Capacitor，或者Ultra-capacitors） 又称法拉电容. 缩写为：SC。

超级电容器是一种介于传统电容器和电池之间的新型储能元件,比传统的电容器具有更高的 比电容和能量密度,比电池具有更高的功率。

自举电容Bootstrap capacitor如何理解

1.Bootstrap Capacitor Design To Drive High Voltage Floating MOSFET驱动高压浮动MOSFET的自举电容设计 2.The Simulation Analysis Of The Bootstrap Condenser SFunction In The Complementary Symmetrical Circuit Of Power Amplifier;互补对称功率放大电路中自举电容作用仿真分析 3.Optimum Design Of An H Bridge Driving Circuit For Motors自举式H桥电机驱动电路的优化设计 4.Low Voltage Capacitor Auto Compensate Box低压电容自动补偿柜 5.The Sources Of Reactive Power (Vars) Are Machine Vars, Capacitor And Reactor Vats.无功功率来自电机、电容器和电抗器。

6.Applications Of Bootstrap Circuit To MOSFET Drivers;自举电路在MOSFET驱动中的应用 7.Design Of Bootload Based On TMS320C6713 And AM29LV800B基于TMS320C6713及AM29LV800B的上电自举设计 8.Low Voltage Shunt Capacitors Of The Self-Healing TypeGB/T12747-1991自愈式低电压并联电容器 9.EMC Technology Of Power System Automation Equipment电力系统自动化设备的电磁兼容技术

如何分辨电容器(capacitor)的类别？

1、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。

五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。

2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管 2、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。

通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下： 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。

0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。

S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。

A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。

第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。

两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。

第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。

A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。

3、美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。

美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下： 第一部分：用符号表示器件用途的类型。

JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。

第二部分：用数字表示pn结数目。

1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。

第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。

N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。

第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。

多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。

第五部分：用字母表示器件分档。

A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。

如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。

4、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器?秃琶??椒āU庵置??椒ㄓ伤母龌?静糠肿槌桑?鞑糠值姆?偶耙庖迦缦拢? 第一部分：用字母表示器件使用的材料。

A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C -器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料 第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。

A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、 F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。

第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。

三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。

第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。

A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。

除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。

常见后缀如下： 1、稳压二极管型号的后缀。

其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、± 5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。

2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。

3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。

如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。

5、欧洲早期半导体分立器件型号命名法 欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。

第一部分：O-表示半导体器件 第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。

第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。

第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。

俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少，在此不介绍。

分辨问题： 1?中、小功率三极管的检测 A?已知型号和管脚排列的三极管，可按下述方法来判断其性能好坏 (a)?测量极间电阻。

将万用表置于R×100或R×1K挡，按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。

其中，发射结和集电结的正向电阻值比较低，其他四种接法测得的电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大。

但不管是低阻还是高阻，硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。

(b)?三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积。

ICBO随着环境温度的升高而增长很快，ICBO的增加必然造成ICEO的增大。

而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。

通过用万用表电阻直接测量三极管e－c极之间的电阻方法，可间接估计ICEO的大小，具体方法如下： 万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1K挡，对于PNP管，黑表管接e极，红表笔接c极，对于NPN型三极管，黑表笔接c极，红表笔接e极。

要求测得的电阻越大越好。

e－c间的阻值越大，说明管子的ICEO越小；反之，所测阻值越小，说明被测管的ICEO越大。

一般说来，中、小功率硅管、锗材料低频管，其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上，如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动，则表明ICEO很大，管子的性能不稳定。

(c)?测量放大能力(β)。

目前有些型号的万用表具有测量三极管hFE的刻度线及其测试插座，可以很方便地测量三极管的放大倍数。

先将万用表功能开关拨至?挡，量程开关拨到ADJ位置，把红、黑表笔短接，调整调零旋钮，使万用表指针指示为零，然后将量程开关拨到hFE位置，并使两短接的表笔分开，把被测三极管插入测试插座，即可从hFE刻度线上读出管子的放大倍数。

B?检测判别电极 (a)?判定基极。

用万用表R×100或R×1k挡测量三极管三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。

当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。

这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。

黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测三极管为PNP型管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管。

(b)?判定集电极c和发射极e。

(以PNP为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。

在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。

C?判别高频管与低频管 高频管的截止频率大于3MHz，而低频管的截止频率则小于3MHz，一般情况下，二者是不能互换的。

D?在路电压检测判断法 在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测三极管各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断其好坏。

2?大功率晶体三极管的检测 利用万用表检测中、小功率三极管的极性、管型及性能的各种方法，对检测大功率三极管来说基本上适用。

但是，由于大功率三极管的工作电流比较大，因而其PN结的面积也较大。

PN结较大，其反向饱和电流也必然增大。

所以，若像测量中、小功率三极管极间电阻那样，使用万用表的R×1k挡测量，必然测得的电阻值很小，好像极间短路一样，所以通常使用R×10或R×1挡检测大功率三极管。

3?普通达林顿管的检测 用万用表对普通达林顿管的检测包括识别电极、区分PNP和NPN嘈汀⒐啦夥糯竽芰Φ认钅谌荨R蛭?锪侄俟艿腅－B极之间包含多个发射结，所以应该使用万用表能提供较高电压的R×10K挡进行测量。

4?大功率达林顿管的检测 检测大功率达林顿管的方法与检测普通达林顿管基本相同。

但由于大功率达林顿管内部设置了V3、R1、R2等保护和泄放漏电流元件，所以在检测量应将这些元件对测量数据的影响加以区分，以免造成误判。

具体可按下述几个步骤进行： A?用万用表R×10K挡测量B、C之间PN结电阻值，应明显测出具有单向导电性能。

正、反向电阻值应有较大差异。

B?在大功率达林顿管B－E之间有两个PN结，并且接有电阻R1和R2。

用万用表电阻挡检测时，当正向测量时，测到的阻值是B－E结正向电阻与R1、R2阻值并联的结果；当反向测量时，发射结截止，测出的则是(R1＋R2)电阻之和，大约为几百欧，且阻值固定，不随电阻挡位的变换而改变。

但需要注意的是，有些大功率达林顿管在R1、R2、上还并有二极管，此时所测得的则不是(R1＋R2)之和，而是(R1＋R2)与两只二极管正向电阻之和的并联电阻值。

5?带阻尼行输出三极管的检测 将万用表置于R×1挡，通过单独测量带阻尼行输出三极管各电极之间的电阻值，即可判断其是否正常。

具体测试原理，方法及步骤如下： A?将红表笔接E，黑表笔接B，此时相当于测量大功率管B－E结的等效二极管与保护电阻R并联后的阻值，由于等效二极管的正向电阻较小，而保护电阻R的阻值一般也仅有20～50?，所以，二者并联后的阻值也较小；反之，将表笔对调，即红表笔接B，黑表笔接E，则测得的是大功率管B－E结等效二极管的反向电阻值与保护电阻R的并联阻值，由于等效二极管反向电阻值较大，所以，此时测得的阻值即是保护电阻R的值，此值仍然较小。

B?将红表笔接C，黑表笔接B，此时相当于测量管内大功率管B－C结等效二极管的正向电阻，一般测得的阻值也较小；将红、黑表笔对调，即将红表笔接B，黑表笔接C，则相当于测量管内大功率管B－C结等效二极管的反向电阻，测得的阻值通常为无穷大。

C?将红表笔接E，黑表笔接C，相当于测量管内阻尼二极管的反向电阻，测得的阻值一般都较大，约300～∞；将红、黑表笔对调，即红表笔接C，黑表笔接E，则相当于测量管内阻尼二极管的正向电阻，测得的阻值一般都较小，约几欧至几十欧。

请问法拉电容和电力电容的区别 即farad capacitor 和power capacitor的区别

法拉电容器指容量达到法拉级别的电容器。

现在基本上专指双电层电容器，因为他们容量可以做的很大，达到法拉级别。

而其他的都是微法级别。

这类电容器现在用在汽车上的比较多。

电力电容器就比较宽泛了，有很多种，楼上的哥们说的只是电力电容器中的很少的一种，另外有滤波，还有直流等等。

只要运用在电力方面都可以称之为电力电容器。

是一个统称。