时序内存时序

内存时序  时间:2021-01-16  阅读:()

HT32系列EBIAN0470S1/9November2,2017HT32系列EBI文件编码:AN0470S概述HT32系列微控制器的并行总线接口名称为:EBI或外部总线接口.
它能够访问外部异步并行总线设备,例如SRAM、Flash和LCD模块.
该接口将外部信号以内存映射方式对应到Cortex-M核心的内部地址总线.
HT32系列EBI支持数据线和地址线复用功能,可以有效减少连接到外部设备所需的引脚数.
总线的读/写时序可依据外部设备时序要求进行调整.

总线控制信号下表显示了HT32系列外部总线接口中所有控制信号以及地址和数据线信号.
请留意,部分信号只在封装引脚数较多的HT32型号支持,封装引脚数较少的HT32型号可能只支持较精简的信号引脚.
信号输入/输出描述A[xx:0]输出地址总线AD[xx:0]输入/输出地址/数据总线CS输出片选OE输出输出使能WE输出写入使能ALE输出地址锁存使能BL[1:0]输出位组通道ARDY输入异步就绪表1EBI总线控制信号BL[1:0]仅用于部分16位数据宽度SRAM.
ARDY仅用于部分NORFlash.
EBI工作模式EBI支持复用与非复用寻址模式.
非复用寻址方式工作效率更高更快,但需要的引脚数更多.
复用寻址方式速度较慢,并且需要额外的地址锁存器以及较少的引脚数.

非复用模式D8A8:此模式支持8位地址和8位数据.
地址位于EBI_AD信号线的高8位,数据位位于低8位.
D16:在非复用模式中,16位数据位于16EBI_AD信号线.
地址位于EBI_A信号线.
HT32系列EBIAN0470S2/9November2,2017复用模式D8A24ALE:此模式允许24位地址及8位数据共同复用于EBI_AD[15:0]信号线,来减少引脚使用且利用EBI_ALE信号编码8位数据和24位地址.
EBI_AD信号线的高8位(EBI_AD[15:8])依次是地址的最高及最低8位.
EBI_AD信号线的低8位(EBI_AD[7:0])是中间8位地址和8位数据.
D16A16ALE:此模式支持16位地址和16位数据,但还需要使用一个外部锁存器和一个额外的信号EBI_ALE.
16位地址和16位数据复用于EBI_AD引脚.
时序配置HT32系列EBI中有数个时序参数设定用来配合不同的访问协议RDSETUP:设定OE有效前地址建立需要的时间周期数RDSTRB:设定OE保持有效状态的时间周期数RDHOLD:设定OE无效后且CS保持有效状态的时间周期数WESETUP:设定WE有效前地址建立需要的时间周期数WESTRB:设定WE保持有效状态的时间周期数WEHOLD:设定WE无效后且CS保持有效状态的时间周期数EBI_CSEBI_OERDSETUP(0,1,2,…)RDSTRB(1,2,3,…)RDHOLD(0,1,2,…)图1EBI非复用读时序EBI_CSEBI_WEWESETUP(0,1,2,…)WESTRB(1,2,3,…)WEHOLD(0,1,2,…)图2EBI非复用写时序ADDRSETUP和ADDRHOLD控制复用模式外部地址锁存器的时序.
欲了解更多关于时序配置更详细的图表,请查阅参考手册.
ADDRSETUP:设定ALE有效前地址建立到AD总线所需要的时间周期数ADDRHOLD:设定ALE无效后地址在AD总线上保持的时间周期数HT32系列EBIAN0470S3/9November2,2017EBI_ALEEBI_CSEBI_OEADDRSETUP(1,2,3,…)RDSTRB(1,2,3,…)RDHOLD(0,1,2,…)RDSETUP(0,1,2,…)图3EBI复用读时序EBI_ALEEBI_CSEBI_WEADDRSETUP(1,2,3,…)WESTRB(1,2,3,…)WEHOLD(0,1,2,…)WESETUP(0,1,2,…)ADDRHOLD(0,1,2,…)图4EBI复用写时序其他特性整页读操作写缓冲器AHB处理宽度转换读/写周期延长极性配置异步NORFlash接口EBI配置EBI提供了以下功能特性来控制NORFlash内存.
选择映射NORFlash内存的Bank选择要使用的EBI模式:D8A8、D16A16ALE、D8A24ALE、D16使能或除能异步就绪或异步就绪溢出功能配置控制信号的极性设定配置时序参数配置整页读功能异步NORFlash内存有不同的AC特性,所以第一步是要知道特定内存使用的时序参数的值.
本文以MX29GL256F内存为例作参考.
表2列出了MX29GL256F内存读写访问时序.
HT32系列EBIAN0470S4/9November2,2017符号描述值单位Tcs芯片使能设定时间0nsTwpWE#脉冲宽度35nsTwphWE#脉宽高准位时间30nsTwc写周期时间100nsTaa地址之后的有效数据输出100nsToeOE#变为低后有效数据输出25nsTrc读周期时间100ns表2MX29GL256FNORFlash内存时序利用表2中的内存时序,我们将EBI按照以下步骤进行初始化(CPU工作在72MHz且以D16模式中的EBIBank0为例):硬件连接以下是MX29GL256FNORFlash和四个EBI模式之间的典型连接图.
未使用的EBI引脚可作为普通I/O使用.
D8A8A[24:8]AD[7:0]AD[15:9]NORA[6:0]A[23:7]D[7:0]BYTE#AD[8]D[15]VssOEWECSOE#WE#CE#ARDYRY/BY#图5D8A8模式中EBI连接到NORFlashHT32系列EBIAN0470S5/9November2,2017NORD16A[23:0]AD[15:0]D[15:0]A[23:0]BYTE#VccOEWECSOE#WE#CE#ARDYRY/BY#图6D16模式中EBI连接到NORFlashDENQD16A16ALENORA[15:0]AD[15:0]D[15:0]ALEAD[15:0]A[23:16]A[23:16]BYTE#VccOEWECSOE#WE#CE#ARDYRY/BY#图7D16A16ALE模式中EBI连接到NORFlashDENQDENQALEAD[7:0]AD[15:9]/AD[8]A[14:7]D[7:0]A[6:0]/D[15]A[22:16]/A[15]D8A24ALENORBYTE#VssWECSWECEOEOEA[24]A[23]图8D8A24ALE模式中EBI连接到NORFlashHT32系列EBIAN0470S6/9November2,2017异步16位SRAM接口EBI配置EBI提供了以下功能特性来控制SRAM:选择映射SRAM的Bank选择要使用的EBI模式:D8A8、D16A16ALE、D8A24ALE、D16使能或除能字节通道功能配置控制信号的极性设定配置时序参数异步SRAM有不同的AC特性,所以第一步是要知道特定内存使用的时序参数的值.
本文以IS61WV102416BLL内存为例作参考.
表3列出了IS61WV102416BLL内存读写访问时序.
符号描述值单位TsceCE到写入完成时间8nsTaw地址建立到写入完成时间8nsTpweWE脉冲宽度8nsTwc写周期时间10nsTaa地址访问时间10nsTdoeOE访问时间6.
5nsTrc读周期时间10ns表3IS61WV102416BLLSRAM内存时序利用表3中的内存时序,我们将EBI按照以下步骤进行初始化(CPU工作在72MHz且以D16模式中的EBIBank2为例):考虑HT32系列I/O的驱动能力,当CPU工作在72MHz时,可能需要将部分EBI时序参数适当的增加.
HT32系列EBIAN0470S7/9November2,2017硬件连接以下是IS61WV102416BLLSRAM和四个EBI模式之间的典型连接图.
未使用的EBI引脚可作为普通I/O使用.
D8A8SRAMOEWECSBL[0]BL[1]AD[15:8]A[7:0]AD[7:0]D[7:0]A[19:8]A[19:8]OEWECEUBLB图9D8A8模式中EBI连接到SRAMSRAMD16A[19:0]A[19:0]AD[15:0]D[15:0]BL[1]UBOEWECSBL[0]OEWECELB图10D16模式中EBI连接到SRAMD16A16ALESRAMDENQA[15:0]AD[15:0]D[15:0]ALEAD[15:0]A[19:16]A[19:16]BL[1]OEWECSBL[0]UBOEWECELB图11D16A16ALE模式中EBI连接到SRAMHT32系列EBIAN0470S8/9November2,2017DENQDENQALEAD[7:0]AD[15:8]A[15:8]D[7:0]A[7:0]A[19:16]D8A24ALESRAMBL[1]OEWECSBL[0]UBOEWECELB图12D8A24ALE模式中EBI连接到SRAMIntel8080-likeLCD模块接口EBI配置正如上述异步NORFlash或SRAM内存描述类似,EBI有不同的访问协议.
首先必须定义用户所用LCD相关的协议类型.
该选择取决于不同控制信号及读写操作处理时LCD的行为.
硬件连接以下是LCDIntel8080和四个EBI模式之间的典型连接图.
未使用的EBI引脚可作为普通I/O使用.
LCDD16D16A16ALEA[0]RSCSCSWERDOEWRAD[15:0]D[15:0]图13D16/D16A16ALE模式中EBI连接到LCD8080-like接口HT32系列EBIAN0470S9/9November2,2017A[0]RSCSCSWERDOEWRAD[7:0]D[7:0]LCDD8A8D8A24ALE图14D8A8/D8A24ALE模式中EBI连接到LCD8080-like接口版本及修改信息Date日期Author作者Issue发行、修订说明2017.
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31吴旭宏第一版免责声明本网页所载的所有数据、商标、图片、链接及其他数据等(以下简称「数据」),只供参考之用,盛群半导体股份有限公司(以下简称「本公司」)将会随时更改数据,并由本公司决定而不作另行通知.
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