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PSoC6MCU:PSoC62数据手册可编程片上系统(PSoC)赛普拉斯半导体公司198ChampionCourtSanJose,CA95134-1709408-943-2600文档编号:002-19893版本.
*B修订日期2018年11月21日概述PSoC是基于ArmCortexCPU(单核和多核)的可编程嵌入式系统控制器家族,采用可扩展和可配置平台架构.
PSoC6产品系列基于40-nm平台,是一个双核微控制器,它集成了低功耗闪存技术和数字可编程逻辑,高性能模数和数模转换,低功耗比较器以及标准通信和定时外设.
特性32位双核CPU子系统具有单周期倍频的150-MHzArmCortex-M4FCPU(浮点和存储器保护单元)100-MHzCortexM0+CPU用户可选的内核逻辑可运行在1.
1V或0.
9V硬件中支持的处理器间通信分别对应M4和M0+CPU的8KB四通路组相连指令缓存对于CortexM4,使用1.
1-V内核操作的活动CPU功耗斜率为40μA/MHz,CortexM0+为20μA/MHz,都由3.
3V芯片电源电压和内部降压调节器供电对于CortexM4,使用0.
9-V内核操作的活动CPU功耗斜率为22μA/MHz,CortexM0+为15μA/MHz,都由3.
3V芯片电源电压和内部降压调节器供电两个DMA控制器,每个具有16个通道弹性存储器子系统1MB应用闪存,32KBEEPROM区域和32KB监控闪存128位宽闪存访问降低功耗SRAM具有可选择的保留粒度288KB集成SRAM32KB保留边界(可以保留32K到288K,增量为32K)一次可编程(OTP)E-Fuse内存用于验证和安全低功耗操作(电压范围:1.
7V~3.
6V)活动,低功耗活动,睡眠,低功耗睡眠,深度睡眠和休眠模式,用于细粒度电源管理具有64KSRAM保持的深度休眠模式电流在3.
3V外部电源和内部降压时为7μA.
片上单输入多输出(SIMO)DC-DC降压转换器,VDDIO时的输入电流––10A按照I2C规范SID58VIL输入电压低阈值––0.
3*VDDVCMOS输入SID241VIHLVTTL输入,VDD2.
7V1000–mV–SID68VHYSCMOS输入迟滞CMOS0.
05*VDD––mV–SID69IDIODE通过保护二极管到达VDD/VSS的导通电流––100A–SID69AITOT_GPIO芯片的最大拉电流或灌电流总值200mA–GPIO交流规范SID70TRISEF快速强驱动模式下的上升时间VDD10%至90%––2.
5nsCload=15pF,8mA驱动强度SID71TFALLF快速强驱动模式下的下降时间VDD10%至90%––2.
5nsCload=15pF,8mA驱动强度SID72TRISES慢速强驱动模式下的上升时间VDD10%至90%20–60nsCload=15pF,8mA驱动强度SID72ATRISES_2慢速强驱动模式下的下降时间VDD10%至90%48–102nsCload=15pF,8mA驱动强度,2.
7V2V(带纹波),25°CTA,灵敏度=0.
1pFSYS.
PER#16VDD_RIPPLE_1.
8电源的最大允许波纹,直流至10MHz––±25mVVDDA>1.
75V(带纹波),25CTA,寄生电容(CP)2V540730ALSB=2.
4Atyp.
SID320IDACOFFSET所有零输入––1LSB极性由拉或灌电流设置SID321IDACGAIN全量程错误抵消偏移––±15%LSB=2.
4Atyp.
SID322IDACMISMATCH1在低模式下,IDAC1和IDAC2不匹配––9.
2LSBLSB=37.
5nAtyp.
SID322AIDACMISMATCH2在中模式下,IDAC1和IDAC2不匹配––6LSBLSB=300nAtyp.
SID322BIDACMISMATCH3在高模式下,IDAC1和IDAC2不匹配––5.
8LSBLSB=2.
4Atyp.
SID323IDACSET88位IDAC达到0.
5LSB所需的建立时间––10s全量程跃变.
无外部负载.
SID324IDACSET77位IDAC达到0.
5LSB所需的建立时间––10s全量程跃变.
无外部负载.
SID325CMOD外部调制电容.
–2.
2–nF5-V的额定电压,X7R或NP0电容PSoC6MCU:PSoC62数据手册文档编号:002-19893Rev.
*B页42/65Table16.
CSDADC规范SpecID#参数描述最小值典型值最大值单位详情/条件CSDv2ADC规范SIDA94A_RES分辨率––10bits每毫秒要求一次自动归零SID95A_CHNLS_S通路数目-单端接地–––16–SIDA97A-MONO单调性––是–VREFmodeSIDA98A_GAINERR_VREF增益误差–0.
6–%参考源:SRSS(VREF=1.
20V,VDDA2.
7V)SIDA98AA_GAINERR_VDDA增益误差–0.
2–%参考源:SRSS(VREF=1.
20V,VDDA2.
7V)SIDA99A_OFFSET_VREF输入偏移电压–0.
5–lsbADC校准后,Ref.
Src=SRSS,(VREF=1.
20V,VDDA2.
7V)SIDA99AA_OFFSET_VDDA输入偏移电压–0.
5–lsbADC校准后,Ref.
Src=SRSS,(VREF=1.
20V,VDDA2.
7V)SIDA100A_ISAR_VREF电流消耗–0.
3–mACSDADC模块电流SIDA100AA_ISAR_VDDA电流消耗–0.
3–mACSDADC模块电流SIDA101A_VINS_VREF输入电压范围-单端接地VSSA–VREFV(VREF=1.
20V,VDDA2.
7V)SIDA101AA_VINS_VDDA输入电压范围-单端接地VSSA–VDDAV(VREF=1.
20V,VDDA2.
7V)SIDA103A_INRES输入电阻–15–k–SIDA104A_INCAP输入电容–41–pF–SIDA106A_PSRR电源抑制比(DC)–60–dB–SIDA107A_TACQ样本采集时间–10–s用50Ω源阻抗测量.
10μs是默认的软件驱动程序获取时间设置.
设置到0.
05%以内.
PSoC6MCU:PSoC62数据手册文档编号:002-19893Rev.
*B页43/65SpecID#参数描述最小值典型值最大值单位详情/条件SIDA108A_CONV8转换率=Fhclk/(2^(N+2)).
时,8位分辨率转换时间.
时钟频率=50MHz.
–25–s不包括采集时间.
相当于44.
8ksps,包括采集时间.
SIDA108AA_CONV10转换率=Fhclk/(2^(N+2)).
时,10位分辨率转换时间.
时钟频率=50MHz.
–60–s不包括采集时间.
SIDA109A_SND_VRE信噪比和失真比(SINAD)–57–dB用50Ω源阻抗测量.
SIDA109AA_SND_VDDA信噪比和失真比(SINAD)–52–dB用50Ω源阻抗测量.
SIDA111A_INL_VREF积分非线性.
11.
6ksps––2LSB用50Ω源阻抗测量.
SIDA111AA_INL_VDDA积分非线性.
11.
6ksps––2LSB用50Ω源阻抗测量.
SIDA112A_DNL_VREF微分非线性.
11.
6ksps––1LSB用50Ω源阻抗测量.
SIDA112AA_DNL_VDDA微分非线性.
11.
6ksps––1LSB用50Ω源阻抗测量.
数字外设Table17.
定时器/计数器/PWM(TCPWM)规范SpecID#参数描述最小值典型值最大值单位详情/条件SID.
TCPWM.
1ITCPWM1频率为8MHz时的模块电流消耗––70A所有模式(TCPWM)SID.
TCPWM.
2ITCPWM2频率为24MHz时的模块电流消耗––180A所有模式(TCPWM)SID.
TCPWM.
2AITCPWM3频率为50MHz时的模块电流消耗––270A所有模式(TCPWM)SID.
TCPWM.
2BITCPWM4频率为100MHz时的模块电流消耗––540A所有模式(TCPWM)SID.
TCPWM.
3TCPWMFREQ工作频率––100MHzFcmax=FcpuMaximum=100MHzSID.
TCPWM.
4TPWMENEXT所有触发事件的输入触发脉冲宽度2/Fc––ns根据选择的工作模式,触发事件可以为:Stop、Start、Reload、Count、Capture或Kill.
Fc为计数器工作频率SID.
TCPWM.
5TPWMEXT输出触发脉冲宽度1.
5/Fc––ns上溢、下溢、和CC(计数器等于比较值)触发输出的最小可能宽度SID.
TCPWM.
5ATCRES计数器分辨率1/Fc––ns连续计数间的最短时间SID.
TCPWM.
5BPWMRESPWM分辨率1/Fc––nsPWM输出的最小脉宽SID.
TCPWM.
5CQRES正交输入的分辨率2/Fc––ns正交相位输入间的最小脉冲宽度.
引脚延迟应当相似.
PSoC6MCU:PSoC62数据手册文档编号:002-19893Rev.
*B页44/65Table18.
串行通信模块(SCB)规范SpecID#参数描述最小值典型值最大值单位详情/条件固定I2C直流规范SID149II2C1频率为100kHz时的模块电流消耗––30A–SID150II2C2频率为400kHz时的模块电流消耗––80A–SID151II2C31Mbps时的模块电流消耗––180A–SID152II2C4在深度睡眠模式下使能I2C––1.
7AAt60°C固定I2C交流规范SID153FI2C1比特率––1Mbps–固定UART直流规范–SID160IUART1100Kbps时的模块电流消耗––30A–SID161IUART21000Kbps时的模块电流消耗––180A–固定UART交流规范SID162AFUART1比特率––3MbpsULPModeSID162BFUART2––8LPMode固定SPI直流规范SID163ISPI11Mbps时的模块电流消耗––220A–SID164ISPI24Mbps时的模块电流消耗––340A–SID165ISPI38Mbps时的模块电流消耗––360A–SID165AISP1425Mbps时的模块电流消耗––800A–LP模式(1.
1V)固定SPI交流规范,除非另有说明SID166FSPISPI工作频率主机和外部时钟从机––25MHz最大14MHz.
用于ULP(0.
9V)模式SID166AFSPI_ICSPI从器件内部时钟––15MHz最大5MHz.
用于ULP(0.
9V)模式SID166BFSPI_EXTSPI工作频率主机(Fscb为SPI时钟)––Fscb/4MHzFscbmax在LP模式下为100MHz,ULP模式下为25MHzLP模式(1.
1V)固定SPI主模式交流规范,除非另有说明SID167TDMOSClock驱动沿后的MOSI有效时间––12ns最大20ns.
用于ULP(0.
9V)模式SID168TDSISClock捕获沿前的MISO有效时间5––ns全时钟、MISO推迟采样SID169THMOMOSI数据保持时间0––ns参考从设备捕获沿SID169ATSSELMSCK1SSEL有效到第一个SCK有效沿18––ns参考主时钟沿SID169BTSSELMSCK2最后SCK有效沿后SSEL保持18––ns参考主时钟沿LP模式(1.
1V)固定SPI从模式交流规范,除非另有说明SID170TDMISClock捕获沿前的MOSI有效时间5––ns–PSoC6MCU:PSoC62数据手册文档编号:002-19893Rev.
*B页45/65SpecID#参数描述最小值典型值最大值单位详情/条件SID171ATDSO_EXT在Ext.
Clk模式下Sclock驱动沿后的MISO有效时间––20ns最大35ns.
用于ULP(0.
9V)模式SID171TDSO内部Clk.
模式SClock驱动沿后的MISO有效时间––TDSO_EXT+3*TscbnsTscb为串行共模.
模块时钟时段.
SID171BTDSO内部时钟模式SClock驱动沿后的MISO有效时间,中位数过滤使能––TDSO_EXT+4*TscbTscb为串行共模.
模块时钟时段.
.
SID172THSO先前MISO数据保持时间5––ns–SID172ATSSELSCK1到第一个SCK有效沿的SSEL有效65––ns–SID172BTSSELSCK2SSEL在最后一个SCK后保持有效沿65––ns–LCD规范Table19.
LCD直接驱动直流规范SpecID#参数描述最小值典型值最大值单位详情/条件SID154ILCDLOW低功耗模式工作电流–5–A频率为50Hz时的16*4小型段显示SID155CLCDCAP各个common/segment驱动的LCD电容–5005000pF–SID156LCDOFFSET长期段偏移–20–mV–SID157ILCDOP1PWM模式电流.
3.
3-Vbias.
8-MHzIMO.
25°C.
–0.
6–mA32*4段50HzSID158ILCDOP2PWM模式电流.
3.
3-Vbias.
8-MHzIMO.
25°C.
–0.
5–mA32*4段50HzTable20.
LCD直接驱动交流规范SpecID#参数描述最小值典型值最大值单位详情/条件SID159FLCDLCD帧率1050150Hz–PSoC6MCU:PSoC62数据手册文档编号:002-19893Rev.
*B页46/65存储器Table21.
Flash规范SpecID#参数描述最小值典型值最大值单位详情/条件闪存直流规范SID173VPE擦除和编程电压1.
71–3.
6V–Flash交流规范SID174TROWWRITE行(模块)编写时间(擦除和编程)––16msRow(Block)=512bytesSID175TROWERASE行擦除时间––11ms–SID176TROWPROGRAM擦除后的行编程时间––5ms–SID178TBULKERASE批量擦除时间(1024KB)––11ms–SID179TSECTORERASE扇区擦除时间(256KB)––11ms每子扇区512行SID178STSSERIAE子扇区擦除时间––11ms每子扇区8行SID179STSSWRITE子扇区写时间;1擦除加8个程序时间––51ms–SID180STSWRITE扇区写时间;1擦除加512个程序时间––2.
6秒–SID180TDEVPROG器件总编程时间––15秒–SID181FEND闪存耐久性100K––周期–SID182FRET1闪存数据保持时间.
Ta25°C,100KP/E周期10––年–SID182AFRET2闪存数据保持时间.
Ta85°C,10KP/E周期10––年–SID182BFRET3闪存数据保持时间.
Ta55°C,20KP/E周期20––年–SID256TWS100频率为100MHz时的等待状态数3–––SID257TWS50频率为50MHz时的等待状态数2–––备注2.
闪存写入可能需要16毫秒.
在此期间,设备不应该被复位,否则闪存操作将被中断,不能赖以完成操作.
复位源包括XRES引脚,软件复位,CPU锁定状态和特权违规,不正确的电源电平和看门狗.
确保这些不会被无意激活.
PSoC6MCU:PSoC62数据手册文档编号:002-19893Rev.
*B页47/65系统资源Table22.
PSoC62系统资源SpecID#参数描述最小值典型值最大值单位详情/条件欠压上电复位直流规范精确POR(PPOR)SID190VFALLPPOR活动模式和睡眠模式下的BOD跳闸电压VDDD.
1.
54––V对低于1.
54V的电平提供BOD复位保证SID192VFALLDPSLP深度睡眠模式下的BOD跳闸电压VDDD1.
54––V–SID192AVDDRAMP最大电源缓变率(任意电源)––100mV/s活动模式交流欠压POR规范SID194AVDDRAMP_DS深度睡眠模式下的最大电源斜坡率(任何电源)––10mV/sBOD操作保证电压监控器直流规范SID195RVHVD01.
181.
231.
27V–SID195VHVDI11.
381.
431.
47V–SID196VHVDI21.
571.
631.
68V–SID197VHVDI31.
761.
831.
89V–SID198VHVDI41.
952.
032.
1V–SID199VHVDI52.
052.
132.
2V–SID200VHVDI62.
152.
232.
3V–SID201VHVDI72.
242.
332.
41V–SID202VHVDI82.
342.
432.
51V–SID203VHVDI92.
442.
532.
61V–SID204VHVDI102.
532.
632.
72V–SID205VHVDI112.
632.
732.
82V–SID206VHVDI122.
732.
832.
92V–SID207VHVDI132.
822.
933.
03V–SID208VHVDI142.
923.
033.
13V–SID209VHVDI153.
023.
133.
23V–SID211LVI_IDD模块电流–515A–电压监控器交流规范SID212TMONTRIP电压监控器跳闸时间––170ns–PSoC6MCU:PSoC62数据手册文档编号:002-19893Rev.
*B页48/65SWD接口Table23.
SWD和Trace规范SpecID#参数描述最小值典型值最大值单位详情/条件SWD和Trace接口SID214F_SWDCLK21.
7VVDDD3.
6V––25MHzLP模式;VCCD=1.
1VSID214LF_SWDCLK2L1.
7VVDDD3.
6V––12MHzULP模式;VCCD=0.
9VSID215T_SWDI_SETUPT=1/fSWDCLK0.
25*T––ns–SID216T_SWDI_HOLDT=1/fSWDCLK0.
25*T––ns–SID217T_SWDO_VALIDT=1/fSWDCLK––0.
5*Tns–SID217AT_SWDO_HOLDT=1/fSWDCLK1––ns–SID214TF_TRCLK_LP1Trace数据设置/保持时间分别为2/1ns––75MHzLP模式.
VDD=1.
1VSID215TF_TRCLK_LP2Trace数据设置/保持时间分别为3/2ns––70MHzLP模式.
VDD=1.
1VSID216TF_TRCLK_ULPTrace数据设置/保持时间分别为3/2ns––25MHzULP模式.
VDD=0.
9V内部主振荡器Table24.
IMO直流规范SpecID#参数描述最小值典型值最大值单位详情/条件SID218IIMO1频率为8MHz时的IMO工作电流–915A–Table25.
IMO交流规范SpecID#参数描述最小值典型值最大值单位详情/条件SID223FIMOTOL18MHz以频率变化为中心––±2%–SID227TJITR周期到周期和周期抖动–±250–ps–内部低速振荡器Table26.
ILO直流规范SpecID#参数描述最小值典型值最大值单位详情/条件SID231IILO2频率为32kHz时的ILO工作电流–0.
30.
7A–PSoC6MCU:PSoC62数据手册文档编号:002-19893Rev.
*B页49/65Table27.
ILO交流规范SpecID#参数描述最小值典型值最大值单位详情/条件SID234TSTARTILO1ILO启动时间––7s启动时间到最终频率的95%SID236TLIODUTYILO占空比455055%–SID237FILOTRIM1调整后的频率为32kHz28.
83235.
2kHz10%变化晶振规范Table28.
ECO规范SpecID#参数描述最小值典型值最大值单位详情/条件MHzECO直流规范SID316IDD_MHzCload高达18pF的模块工作电流–8001600AMax=33MHz,Type=16MHzMHzECO交流规范SID317F_MHz晶振频率范围4–35MHz–kHzECO直流规范SID318IDD_kHz32-kHz晶振模块工作电流–0.
381A–SID321EESR32K等效串联电阻–80–k–SID322EPD32K驱动电平––1W–kHzECO交流规范SID319F_kHz调整后的频率为32kHz–32.
768–kHz–SID320Ton_kHz启动时间––500ms–SID320EFTOL32K频率容差–50250ppm–外部时钟规范Table29.
外部时钟规范SpecID#参数描述最小值典型值最大值单位详情/条件SID305EXTCLKFREQ外部时钟输入频率0–100MHz–SID306EXTCLKDUTY占空比;VDD/2时测量45–55%–Table30.
PLL规范SpecID#参数描述最小值典型值最大值单位详情/条件SID305PPLL_LOCK实现PLL锁定的时间–1635s–SID306PPLL_OUTPLL模块的输出频率––150MHz–SID307PPLL_IDDPLL电流–0.
551.
1mA100MHz输出时典型值SID308PPLL_JTR周期抖动––150ps100MHz输出频率.
PSoC6MCU:PSoC62数据手册文档编号:002-19893Rev.
*B页50/65Table31.
时钟源切换时间SpecID#参数描述最小值典型值最大值单位详情/条件SID262TCLKSWITCH时钟从clk1切换到clk2需要的clk1周期时间––4clk1+3clk2periods–Table32.
频率锁定环(FLL)规范SpecID#参数描述最小值典型值最大值单位详情/条件频率锁定环(FLL)规范SID450FLL_RANGE输入频率范围0.
001–100MHz下限允许锁定USBSOF信号(1kHz).
上限用于外部输入.
SID451FLL_OUT_DIV2输出频率范围.
VCCD=1.
1V24.
00–100.
00MHzFLL除以2输出的输出范围SID451AFLL_OUT_DIV2输出频率范围.
VCCD=0.
9V24.
00–50.
00MHz输出范围为FLL除以2输出SID452FLL_DUTY_DIV2除以2输出;高或低47.
00–53.
00%–SID454FLL_WAKEUP从稳定输入时钟到深度睡眠唤醒最终值的1%的时间––7.
50s在深度睡眠模式和Fout50MHz时,IMO输入,针对温度小于1度的变化SID455FLL_JITTER周期抖动(1sigma)––35.
00pS在48MHz下为50ps,在200MHz下为12psSID456FLL_CURRENTCCO+逻辑电流––5.
50A/MHz–Table33.
UDB交流规范SpecID#参数描述最小值典型值最大值单位详情/条件数据路径性能SID249FMAX-TIMER在UDB对中16位定时器的最高频率––100MHz–SID250FMAX-ADDER在UDB对中16位加法器的最高频率––100MHz–SID251FMAX_CRC在UDB对中16位CRC/PRS的最高频率––100MHz–UDB中的PLD性能SID252FMAX_PLD在UDB对中双通PLD功能的最高频率––100MHz–时钟输入至数据输出的性能SID253TCLK_OUT_UDB1从时钟输入到数据输出之间的传输延迟时间–5–ns–UDB端口适配器规范条件:10-pF负载,3-VVDDIO和VDDDSID263TLCLKDO从LCLK到输出的延迟时间––11ns–SID264TDINLCLK从输入建立时间到LCLCK上升沿的时间––7ns–PSoC6MCU:PSoC62数据手册文档编号:002-19893Rev.
*B页51/65SpecID#参数描述最小值典型值最大值单位详情/条件SID265TDINLCLKHLD从LCLK上升沿的输入保持时间5––ns–SID266TLCLKHIZ从LCLK到输出为三态的时间––28ns–SID267TFLCLKLCLK频率––33MHz–SID268TLCLKDUTYLCLK占空比(高比例)40%–60%%–Table34.
USB规范(USB要求LP模式1.
1V内部电源)SpecID#参数描述最小值典型值最大值单位详情/条件USB模块规范SID322UVusb_3.
3USB操作的设备电源3.
15–3.
6VUSB配置,USB寄存器旁路SID323UVusb_3.
3USB操作的设备电源(仅功能操作)2.
85–3.
6VUSB配置,USB寄存器旁路SID325UIusb_config在活动模式下设备电源电流–8–mAVDDD=3.
3VSID328Isub_suspend在睡眠模式下设备电源电流–0.
5–mAVDDD=3.
3V,PICU唤醒SID329Isub_suspend在睡眠模式下设备电源电流–0.
3–mAVDDD=3.
3V,设备断开SID330UUSB_Drive_ResUSB驱动器阻抗28–44串联电阻在芯片上SID331UUSB_Pulldown主机模式下USB下拉电阻14.
25–24.
8k–SID332UUSB_Pullup_Idle空闲模式范围900–1575总线空闲SID333UUSB_Pullup活动模式1425–3090上行设备发送Table35.
QSPI规范SpecID#参数描述最小值典型值最大值单位详情/条件SMIFQSPI规范.
所有规格均为15-pF负载SID390QFsmifclockSMIFQSPI输出时钟频率––80MHzLP模式(1.
1V)SID390QUFsmifclockuSMIFQSPI输出时钟频率––50MHzULP模式(0.
9V).
表征保证.
SID397QIdd_qspiLP模式模块电流(1.
1V)––1900ALP模式(1.
1V)SID398QIdd_qspi_uULP模式模块电流(0.
9V)––590AULP模式(0.
9V)SID391QTsetup与时钟捕获沿相关的输入数据设置时间4.
5––ns–SID392QTdatahold与时钟捕获沿相关的输入数据保持时间0––ns–SID393QTdataoutvalid与时钟下降沿相关的输出数据有效时间––3.
7ns–SID394QTholdtime与时钟上升沿相关的输出数据保持时间3––ns–SID395QTseloutvalid与时钟上升沿相关的输出选择有效时间––7.
5ns–SID396QTselouthold与时钟上升沿相关的输出选择保持时间Tsclk––nsTsclk=Fsmifclk周期时间PSoC6MCU:PSoC62数据手册文档编号:002-19893Rev.
*B页52/65Table36.
音频子系统规范SpecID#参数描述最小值典型值最大值单位详情/条件音频子系统规范PDM规范SID400PPDM_IDD1PDM活动电流,立体声操作,1MHz时钟–175–A16ksps时16位音频SID401PDM_IDD2PDM活动电流,立体声操作,3MHz时钟–600–A48ksps时24位音频SID402PDM_JITTERPDM时钟中的RMS抖动–200–200pS–SID403PDM_CLKPDM时钟速度0.
384–3.
072MHz–SID403APDM_BLK_CLKPDM模块输入时钟1.
024–49.
152MHz–SID403BPDM_SETUP数据输入建立时间到PDM_CLK边沿10––ns–SID403CPDM_HOLD数据输入保持时间到PDM_CLK边沿10––ns–SID404PDM_OUT声频采样速率8–48ksps–SID405PDM_WL字长16–24bits–SID406PDM_SNR信噪比(A加权)–100–dBPDM输入,20Hz至20kHzBWSID407PDM_DR动态范围(A加权)–100–dB20Hz至20kHzBW,–60dBFSSID408PDM_FR频率响应–0.
2–0.
2dBDC至0.
45f.
DC阻止过滤关闭SID409PDM_SB阻带–0.
566–f–SID410PDM_SBA阻带衰减–60–dB–SID411PDM_GAIN可调增益–12–10.
5dBPDM至PCM,1.
5dB/stepSID412PDM_ST启动时间–48–WS(字选择)周期I2S规范.
对于LP和ULP模式也是如此,除非另有说明.
SID413I2S_WORDI2S字长度8–32bits–SID414I2S_WSLP模式下字时钟频率––192kHz12.
288MHz位时钟,带32-bit字SID414MI2S_WS_UULP模式下字时钟频率––48kHz3.
072MHz位时钟,带32-bit字SID414AI2S_WS_TDMTDM模式下LP字时钟频率––48kHz8个32-bit通道SID414XI2S_WS_TDM_UTDM模式下ULP字时钟频率––12kHz8个32-bit通道PSoC6MCU:PSoC62数据手册文档编号:002-19893Rev.
*B页53/65SpecID#参数描述最小值典型值最大值单位详情/条件I2S从模式SID430TS_WSWS建立时间到LP模式SCK的下一个上升沿5––ns–SID430UTS_WSWS建立时间到ULPSCK的下一个上升沿11––nsSID430ATH_WSWS保持时间到SCK下一沿TMCLK_SOC+5––ns–SID432TD_SDOLP模式从TX_SCK沿TX_SDO转换的延迟时间–TMCLK_SOC+25–TMCLK_SOC+25ns相关时钟沿基于选择的极性SID432UTD_SDOULP模式从TX_SCK沿TX_SDO转换的延迟时间–TMCLK_SOC+70–TMCLK_SOC+70ns相关时钟沿基于选择的极性SID433TS_SDILP模式下RX_SDI建立时间到RX_SCK的下一个上升沿5––ns–SID433UTS_SDIULP模式下RX_SDI建立时间到RX_SCK的下一个上升沿11––nsSID434TH_SDIRX_SDI保持时间到RX_SCK的上升沿TMCLK_SOC+5––ns–SID435TSCKCYTX/RX_SCK位时钟占空比45–55%–I2S主模式SID437TD_WS从SCK下降沿的WS转换延迟–10–20ns–SID437UTD_WS_U在ULP模式下,SCK下降沿的WS转换延迟–10–40ns–SID438TD_SDO从SCK下降沿的SDO转换延迟–10–20ns–SID438UTD_SDOSDO在ULP模式下从SCK的下降沿转换延迟–10–40ns–SID439TS_WSSDI建立时间到SCK的上升沿5––ns相关时钟沿基于选择的极性SID440TH_WSSDI保持时间到SCK的上升沿TMCLK_SOC-5––ns"T"为TX/RX_SCK位时钟周期.
相关时钟沿基于选择的极性SID443TSCKCYSCK位时钟占空比45–55%–SID445FMCLK_SOCLP模式下MCLK_SOC频率1.
024–98.
304MHzFMCLK_SOC=8*Bit-时钟SID445UFMCLK_SOC_UULP模式下MCLK_SOC频率1.
024–24.
576MHzFMCLK_SOC_U=8*Bit-时钟SID446TMCLKCYMCLK_SOC占空比45–55%–PSoC6MCU:PSoC62数据手册文档编号:002-19893Rev.
*B页54/65SpecID#参数描述最小值典型值最大值单位详情/条件SID447TJITTERMCLK_SOC输入抖动–100–100ps–Table37.
SmartI/O规范SpecID#参数描述最小值典型值最大值单位详情/条件SID420SMIO_BYPSmartI/O旁路延迟––1ns–SID421SMIO_LUTSmartI/OLUTprop延迟–TBD–ns–Table38.
精密ILO(PILO)规范SpecID#参数描述最小值典型值最大值单位详情/条件SID430RIPILO工作电流–1.
24A–SID431F_PILOPILO标称频率–32768–HzT=25℃,20ppm晶体SID432RACC_PILOPILO精确度定期校准–500–500ppm–PSoC6MCU:PSoC62数据手册文档编号:002-19893Rev.
*B页55/65订购信息Table39显示PSoC62器件型号和特性.
124-BGA封装正在进行资格认证.
Table39.
销售器件编号系列MPNCPUSpeed(M4)CPU速度(M0+)单核/双核ULP/LPFlashSRAMNo.
ofCTBMsUDB数目CapSenseGPIOsCRYPTO封装62CY8C6246BZI-D04150/50100/25双核FLEX51212800No104No124-BGACY8C6247BZI-D44150/50100/25双核FLEX102428800Yes104Yes124-BGACY8C6247BZI-D34150/50100/25双核FLEX1024288112Yes104No124-BGACY8C6247BZI-D54150/50100/25双核FLEX1024288112Yes104Yes124-BGACY8C6247FDI-D02150/50100/25双核FLEX102428800No62No80-WLCSPCY8C6247FDI-D32150/50100/25双核FLEX1024288112Yes62No80-WLCSPCY8C6247FDI-D52150/50100/25双核FLEX1024288112Yes62Yes80-WLCSPTable40显示字段值.
Table40.
MPN命名字段描述值含义CY8CCypress前缀6架构6PSoC6A系列0价值1可编程2性能3连接B速度150MHz2100MHz3150MHz4150/50MHzC闪存容量4128KB5256KB6512KB71024KBPSoC6MCU:PSoC62数据手册文档编号:002-19893Rev.
*B页56/65字段描述值含义D封装代码AXTQFPI(0.
8mm间距)AZTQFPII(0.
5mm间距)LQQFNBZBGAFMM-CSPE温度范围C消费者I工业Q扩展工业(105°C)F芯片系列N/APSoC6ASPSoC6A-S(示例)MPSoC6A-M(示例)LPSoC6A-L(示例)BLPSoC6A-BLEG内核ZM0+FM4D双核M4/M0+XY属性代码00-99特定系列特性组代码ES工程样例ES是否为工程样例TTape/Reel发货T是否Tape/Reel方式发货PSoC6MCU:PSoC62数据手册文档编号:002-19893Rev.
*B页57/65封装PSoC62以124-BGA[6]和80-WLCSP封装提供.
Table41.
封装尺寸SpecID#封装描述封装图号PKG_1124-BGA124-BGA,9mm9mm1mm高,0.
65-mm间距001-97718PKG_280-WLCSP80WLCSP,3.
7mmX3.
2mmX0.
43mm高,0.
35mm间距002-20310Table42.
封装特性参数描述条件最小值典型值最大值单位TA工作环境温度––402585°CTJ工作点温度––40–100°CTJA封装JA(124-BGA)––36–°C/wattTJC封装JC(124-BGA)––15–°C/wattTJA封装JA(80-WLCSP)––TBD–°C/wattTJC封装JC(80-WLCSP)––TBD–°C/wattTable43.
回流焊峰值温度封装最高峰值温度峰值温度下最长时间全部260°C30秒Table44.
封装潮敏等级(MSL),IPC/JEDECJ-STD-2封装MSL124-BGAMSL380-WLCSPMSL1Note6.
124-BGA封装正在进行资格认证PSoC6MCU:PSoC62数据手册文档编号:002-19893Rev.
*B页58/65Figure4.
124-BGA9.
0*9.
0*1.
0mm001-97718*BPSoC6MCU:PSoC62数据手册文档编号:002-19893Rev.
*B页59/65Figure5.
80-BallWLCSP3.
676*3.
190*0.
467mm002-20310*APSoC6MCU:PSoC62数据手册文档编号:002-19893Rev.
*B页60/65缩略语Table45.
本文档中使用的缩略语缩略语说明abus模拟局部总线ADC模数转换器AG模拟全局总线AHBAMBA(先进微控制器总线架构)高性能总线,即为一种Arm数据传输总线ALU算术逻辑单元AMUXBUS模拟复用器总线API应用编程接口APSR应用编程状态寄存器Arm高级RISC机器,即为一种CPU架构ATM自动Thump模式BW带宽CAN控制器区域网络,即为一种通信协议CMRR共模抑制比CPU中央处理单元CRC循环冗余校验,即为一种错误校验协议DAC数模转换器,另请参见IDAC、VDACDFB数字滤波器模块DIO数字输入/输出,GPIO仅具有数字功能,无模拟功能.
请参见GPIO.
DMIPSDhrystone每秒百万条指令DMA直接存储器访问,另请参见TDDNL微分非线性,另请参见INLDNU请勿使用DR端口写入数据寄存器DSI数字系统互连DWT数据观察点和跟踪缩略语说明ECC纠错码ECO外部晶体振荡器EEPROM电可擦除可编程只读存储器EMI电磁干扰EMIF外部存储器接口EOC转换结束EOF帧结束EPSR执行程序状态寄存器ESD静电放电ETM嵌入式跟踪宏单元FIR有限脉冲响应,另请参见IIRFPB闪存修补和断点FS全速GPIO通用输入/输出,适用于PSoC引脚HVI高电压中断,另请参见LVI、LVDIC集成电路IDAC电流DAC,另请参见DAC、VDACIDE集成开发环境I2C或IIC内部集成电路,即为一种通信协议IIR无限脉冲响应,另请参见FIRILO内部低速振荡器,另请参见IMOIMO内部主振荡器,另请参见ILOINL积分非线性,另请参见DNLI/O输入/输出,另请参见GPIO、DIO、SIO、USBIOIPOR初次上电复位IPSR中断程序状态寄存器IRQ中断请求PSoC6MCU:PSoC62数据手册文档编号:002-19893Rev.
*B页61/65缩略语说明ITM仪器化跟踪宏单元LCD液晶显示器LIN本地互联网络,即为一种通信协议LR链接寄存器LUT查询表LVD欠压检测,另请参见LVILVI低压中断,另请参见HVILVTTL低压晶体管-晶体管逻辑MAC乘法累加器MCU微控制器单元MISO主入从出NC无连接NMI不可屏蔽的中断NRZ非归零NVIC嵌套向量中断控制器NVL非易失性锁存器,另请参见WOLopamp运算放大器PAL可编程阵列逻辑,另请参见PLDPC程序计数器PCB印刷电路板PGA可编程增益放大器PHUB外设集线器PHY物理层PICU端口中断控制单元PLA可编程逻辑阵列PLD可编程逻辑器件,另请参见PALPLL锁相环PMDD封装材料声明数据手册缩略语说明POR上电复位PRES准确上电复位PRS伪随机序列PS端口读取数据寄存器PSoC可编程片上系统PSRR电源抑制比PWM脉冲宽度调制器RAM随机存取存储器RISC精简指令集计算RMS均方根RTC实时时钟RTL寄存器转换语言RTR远程传输请求RX接收SAR逐次逼近寄存器SC/CT开关电容/连续时间SCLI2C串行时钟SDAI2C串行数据S/H采样和保持SINAD信噪比和失真比SIO特殊输入/输出,带高级功能的GPIO.
请参见GPIO.
SOC开始转换SOF帧开始SPI串行外设接口,即为一种通信协议SR斜率SRAM静态随机存取存储器SRES软件复位SWD串行线调试,即为一种测试协议PSoC6MCU:PSoC62数据手册文档编号:002-19893Rev.
*B页62/65缩略语说明SWV单线浏览器TD传输描述符,另请参见DMATHD总谐波失真TIA互阻放大器TRM技术参考手册TTL晶体管-晶体管逻辑TX发送UART通用异步发射器接收器,它是一种通信协议UDB通用数字模块USB通用串行总线USBIOUSB输入/输出,用于连接至USB端口的PSoC引脚VDAC电压数模转换器,另请参见DAC、IDACWDT看门狗定时器WOL一次性写锁存器,另请参见NVLWRES看门狗定时器复位XRES外部复位I/O引脚XTAL晶体PSoC6MCU:PSoC62数据手册文档编号:002-19893Rev.
*B页63/65文档约定测量单位Table46.
测量单位符号测量单位°C摄氏度dB分贝fF飞法Hz赫兹KB1024个字节kbps每秒千位数khr千小时kHz千赫兹k千欧ksps每秒千次采样LSB最低有效位Mbps每秒兆位数MHz兆赫兹M兆欧Msps每秒兆次采样A微安F微法H微亨s微秒V微伏W微瓦mA毫安ms毫秒mV毫伏nA纳安ns纳秒nV纳伏欧姆pF皮法ppm百万分率ps皮秒符号测量单位s秒sps每秒采样数sqrtHz赫兹平方根V伏特PSoC6MCU:PSoC62数据手册文档编号:002-19893Rev.
*B页64/65修订历史描述标题:PSoC6MCU:PSoC62数据手册可编程片上系统(PSoC)文档编号:002-19893版本ECN变更者提交日期变更说明**5830699XITO07/24/2017翻译自002-18449Rev.
**英文版*A6063117XITO02/08/2018翻译自002-18449Rev.
*C英文版*B6390348XITO11/21/2018翻译自002-18449Rev.
*F英文版PSoC6MCU:PSoC62数据手册文档编号:002-19893Rev.
*B修订日期2018年11月21日页65/65销售、解决方案、和法律信息全球销售和设计支持赛普拉斯公司拥有一个由办事处、解决方案中心、厂商代表和经销商组成的全球性网络.
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