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集微技术信息简报2018年第2期(总第29期)中国科学院文献情报中心2019年3月制集微技术信息简报2019年第2期(总29期)本期目录美国能源部的ARPA-E奖励3500万美元给12个新项目,以支持电网、工业和交通的中压设备.
1欧盟批准为IPCEI研究和创新项目提供17.
5亿欧元的资金,聚焦微电子和化合物半导体领域.
4Sofradir投资1.
5亿欧元推进红外传感器开发.
5Tyndall和Arralis签署了400,000美元的协议,以开发大批量制造工艺,将mmWave集成和封装技术规模化6青山湖科技城每年1亿元扶持发展集成电路产业.
7基于ReS–Re混合维度范德华异质结构的双沟道光电晶体管器件.
9可拉伸橡胶半导体和集成电路11基于氧化物薄膜晶体管高灵敏度有源矩阵驱动自电容指纹传感器16NIST研究人员提高纳米线LED的强度20美MIT开发出首个碳纳米管混合信号集成电路22俄罗斯研发出新型纳米磁性复合材料25三星量产eMRAM(嵌入式磁随机存取存储器)27BIWIN佰维携工控SSD等产品亮相德国纽伦堡国际嵌入式展28WD公司推出iNANDEU511和EU811闪存芯片.
29SK海力士推出ZNSSSD对数据归类储存.
30政策计划前沿研究应用实施集微技术信息简报2019年第2期(总29期)东芝推出新SSD第四代BGA封装.
31政策计划集微技术信息简报2019年第2期1美国能源部的ARPA-E奖励3500万美元给12个新项目,以支持电网、工业和交通的中压设备美国能源部高级研究计划署(ARPA-E)已向12个项目提供3500万美元资金,这些项目寻求利用中压电力的新方法,用于工业、交通、电网及其它领域.
被选中的项目是ARPA-E"建立可靠的电子设备以实现千伏有效安全额定(BREAKERS)"项目的一部分,以及最新的OPEN+组合"千伏设备".
美国能源部长里克·佩里评论说:"美国的能源格局在不断变化,随着新的发电和分配电力的方式越来越受欢迎,我们开发最大限度地发挥其效用的工具至关重要.
这些ARPA-E项目的首要目的是使我们安全、可靠、高效地转移电力的方式现代化,为未来的公用事业和工业创造一套新的能力.
"八个BREAKERS项目将致力开发新的直流电设备,通过消除电气故障、提高效率和反应时间来更好地管理电力,并有可能促进能源储存和可再生资源的扩散.
四千伏设备OPEN+项目将着眼于电力电子在中压领域所面临的挑战,特别关注电网的安全性和可靠性.
现有的配电网络主要是由交流电(AC)电力供电,但直流电能提供较低的配电损耗和较高的载电能力.
断路器项目将开发直流装置,防止电弧,安全隐患,同时处理大量的电力和电压.
据估计,中压直流断路器可以使美国的电力系统得到重大改进,改变整个电网的电力输送和管理方式,以及在工业、运输和资源生产方面的重要应用.
BREAKERS计划包括:超高效智能MVDC混合断路器($4,413,913).
卓克索大学的目标是为中压直流电力系统设计一种高效、快速、低成本、紧凑、可靠的断路器.
断路器的设计是为了保护MVDC系统免受电气故障的影响,并有望在500秒内响应.
德雷克塞尔因此提出了一种基于碳化硅(SiC)设备的固态断路器,旨在显著改善MVDC生态系统的断路器性能.
政策计划政策计划集微技术信息简报2019年第2期2直流宽带隙静态断路器($3,760,000).
伊顿公司将开发一种基于SiC的直流断路器设计,可以提高效率,并可以扩大或降低中压应用的要求.
综合方法包括一个稳健的设计,有效地消散多余的能源和自主协调故障保护跨多个设备.
研究结果将延伸到未来的超宽带隙功率半导体器件和影响未来几代器件和功率电子学的其他进展.
超快谐振直流断路器($500,000).
马凯特大学将开发一种直流断路器,它结合了真空断路器、基于宽带隙的谐振电流源和新型驱动器拓扑的优点.
提出的解决方案是一个转型直流断路器可扩展的电压和电流在中压直流应用,如电力分配、太阳能、风能和电动车辆.
用于未来直流网络的T型模块化直流断路器(T-Breaker)(售价$2,309,950).
俄亥俄州立大学将开发一个基于模块化设计MVDC断路器原型,采用碳化硅模块以降低成本和重量,简化制造并增加可靠性、功能、效率和功率密度.
模块化结构将是自我维持,并允许固有的可扩展性,同时提供多种辅助功能的可能性.
ARC-SAFE:用于直流电力系统的加速响应半导体接触器和浪涌衰减器($2,250,000).
桑迪亚国家实验室将利用基于宽禁带半导体碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的开关,开发一种用于中高压应用的固态断路器.
这个概念是基于桑迪亚光触发氮化镓器件的知识以及团队在中压(MV)应用电路设计的经验.
桑迪亚公司将建造一个原型断路器来演示使用光电导开关的快速响应时间,这种开关在直流系统中可以从1kV扩展到100kV.
这项技术有助于在整个电网更广泛地采用MVDC电力分配.
Open+千伏设备项目包括:超低导通电阻的先进中压SiC-SJ场效应管($3,090,746).
GEGlobalResearch将为第一个高压SiC超级结(SJ)场效应晶体管开发一种设备架构,该晶体管将在中压应用领域提供高效率的变流技术(如从直接到交流电),包括太阳能和风能等可再生能源,以及交通运输.
这种晶体管可以扩展到高压,同时提供比现有商业硅基晶体管低10倍的损耗.
政策计划集微技术信息简报2019年第2期3用于高压(15-20kV)垂直功率器件的原生衬底上的GaNMOCVD生长($2,211,712).
俄亥俄州立大学将开发适用于高压(15-20kV)功率控制和转换的GaN材料.
该团队将开发一种独特的方法来生长具有低背景杂质污染的厚GaN薄膜,这是实现高效率高压操作所必需的.
厚GaN层将沉积在高质量的块状GaN基材上,缺陷减少,这对于在顶部沉积高质量GaN薄膜和执行高压器件设计、制造和测试,以为进一步的GaN材料生长提供反馈和优化至关重要.
用于电网可靠性的20kV氮化镓pn二极管电磁脉冲避雷器($5,415,000).
Sandia国家实验室公司将开发一种新装置,以防止电磁脉冲(EMP)对电网造成破坏.
电磁脉冲避雷器将包括由氮化镓制成的二极管,能够在保护电网免受电磁脉冲威胁所需的纳秒级时间尺度上作出响应.
它将能够阻断20kV,允许一个单一设备可以保护电网上的配电层设备.
该团队将致力于氮化镓晶体生长和器件设计,以实现20kV的性能目标.
它还将建立一条试点生产线,作为最终实现商业化生产的样板.
20kV氮化镓开关技术在高效率中压积木中展示($3,000,000).
弗吉尼亚理工大学将通过开发集成在中压电源模块中的20kV氮化镓设备,加快电力电子在电网规模能源应用中的部署.
高质量的基板和创新的生长技术将被用来减少阻挡20kV所需厚层中的背景杂质污染.
该功率模块将使用3D封装制造,以改善热管理和20kV的高功率密度.
该模块将使中压电力转换器中的高压、高温和快速开关氮化镓设备充分发挥潜力,用于可再生能源网格级应用和运输.
于杰平摘译自http://www.
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com/news_items/2019/feb/arpa-e_080219.
shtml政策计划集微技术信息简报2019年第2期4欧盟批准为IPCEI研究和创新项目提供17.
5亿欧元的资金,聚焦微电子和化合物半导体领域欧盟委员会批准投资化合物半导体(主要是氮化镓、碳化硅等第三代半导体)计划,这一计划由威尔士牵头,威尔士经济部长KenSkates对这一创新计划表示积极响应.
该计划将为研究活动提供17.
5亿欧元的资金,同时将带来高达60亿欧元的民间风险投资,最终将带来新技术的创新.
该项目是委员会批准的第一个综合研究、开发和创新计划,源于欧洲共同关注的重要项目战略论坛(IPCEI),突显了微电子和化合物半导体对欧洲经济的重要性.
IPCEI的总体目标是提供一种集成和协作的研究和创新方法,开发用于包括5G通信、连接自动驾驶车辆和其他下一代商业和工业设备在内的应用的创新组件和技术.
通过将威尔士东南部打造成领先的化合物半导体专业技术中心,从而造福威尔士和整个英国经济.
威尔士政府推动了英国参与泛欧联合微电子研究和创新项目,其中涉及三家威尔士公司:IQE,NewportWaferFab和SPTSTechnologies(Orbotech旗下公司),以及总部位于曼彻斯特的ICS公司.
经济部长KenSkates说:"威尔士的半导体产业集群及其贡献的许多技术在我们现代日常生活中非常普遍,这让我们感到一种真正的自豪感.
我很高兴威尔士代表英国发挥了领导作用,协调该项目的研究并加速整个欧洲的创新工作.
欧盟批准该计划的决定对该行业以及威尔士经济来说都是一个很振奋人心的消息,这一计划为整个欧洲高达60亿英镑的民间风险投资敞开了大门,使我们自己的半导体公司能够与其他国际巨头一起工作.
我们期待与我们的欧洲合作伙伴以及IQE,NewportWaferFab和SPTS密切合作,共同完成这项工作,并将尽我们所能为威尔士交出最令人满意的答卷.
"数字经济与社会专员MariyaGabriel表示:"我们的每个连接设备,每台现政策计划集微技术信息简报2019年第2期5代化机器以及所有的数字服务都依赖于微电子元器件,这些元器件将随着时间的推移变得更小、更快.
出于安全和性能的考虑,如果我们不希望这些关键技术受制于人,我们必须能够自己设计和生产这些技术.
批准该项目的决定是加强合作和体现欧洲共同愿景的结果.
"半导体对二十世纪下半叶产生了巨大影响,因此人们普遍认为化合物半导体将成为彻底改变二十一世纪的新技术.
英国已成为化合物半导体领域众多先进企业和研究机构的所在地,而且大多集中在威尔士.
被称为CSconnected的南威尔士半导体集群,被公认为是由化合物半导体驱动的领先技术中心.
周边地区拥有从研发到创新解决方案等一系列支持高科技供应链的设施和业务.
于杰平摘译自https://compoundsemiconductor.
net/article/106187/EC_Unlocks_%E2%82%AC175B_For_Compound_Semiconductor_Projecthttp://www.
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com/news_items/2019/jan/csconnected_%20210119.
shtmlhttps://mp.
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com/s/dDkvJ7NETPlG7SQ2zdPGdQSofradir投资1.
5亿欧元推进红外传感器开发Sofradir及其子公司Ulis将为法国Nano2022计划投资1.
5亿欧元,用于下一代红外探测器开发.
Nano2022是法国支持纳米技术发展的行动计划,它将为新的微电子试验线提供资金.
意法半导体(STMicroelectronics)和Soitec以及位于奥弗涅-罗讷-阿尔卑斯(Auvergne-Rhone-Alpes)地区的其他公司参与了该项目,Sofradir和Ulis也在该地区运营.
奥弗涅-罗讷-阿尔卑斯地区为该计划贡献了3500万欧元.
Sofradir基于碲化汞镉(MCT/HgCdTe)、锑化铟(InSb)、量子阱红外光电探测器(QWIP)和铟镓砷(InGaAs)技术制造冷却红外(IR)探测器.
ULIS政策计划集微技术信息简报2019年第2期6生产基于非晶硅的非制冷红外传感器.
Ulis计划使用Nano2022试验线开发下一代红外探测器,以解决智能建筑自动化系统(工作空间管理和节能)、道路安全以及车内舒适性需求.
这些试验线还将帮助Sofradir开发空间和天文观测所需要的超大尺寸红外探测器,以及便携式设备和无人机应用的紧凑、轻便型传感器.
"红外技术可以为改善生活、出行、能源效率、安全以及环境监测提供必要的解决方案,这些都是人类社会的重要需求,"Sofradir和Ulis董事长兼首席执行官Jean-FranoisDelepau说,"随着我们的投资,设备制造商将从这些新产品提供的易用性和性能中获益.
"于杰平摘译自http://www.
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com/news_items/2019/jan/sofradir_%20210119.
shtmlhttps://mp.
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com/s/AtOKNH2I0gUy2DgZaxuQRgTyndall和Arralis签署了400,000美元的协议,以开发大批量制造工艺,将mmWave集成和封装技术规模化利默里克Arralis有限公司在贝尔法斯特设有一个设计中心,为航空航天/卫星和安全市场生产110GHz吉赫兹(W-band)以上的射频、微波和毫米波设备、模块和天线,该公司与Tyndall国家研究所(爱尔兰科克大学的研究旗舰)签订了一项40万美元的研发协议,以开发用于自动车辆、卫星通信、5G和雷达成像等应用的下一代mmWave制造技术.
Tyndall的高级员工科学家詹姆斯·罗汉博士说:"该项目结合了Tyndall在厚膜电化学模拟、处理、集成和测试方面的微加工专业知识,以及Arralis为快速发展的mmWave设备市场所提供的设计能力.
"由于以数据为中心的通信量增加,对现有通信网络的需求增加,以及未来物联网应用需求包括自动车辆和卫星通信,在爱尔兰企业通过创新伙伴关系方案的支持下,开发新的单片微波集成电路被视为至关重要.
政策计划集微技术信息简报2019年第2期7Arralis的业务流程经理和技术项目经理MarieBourke说:"我们这个数据饥渴的社会需要持续、不间断地获取越来越多的信息,而这种需求在未来只会增加.
为了满足未来的物联网需求,我们需要新的高性价比、大批量、几何尺寸的mmWave制造技术.
Arralis和廷德尔这两个领导人在这一领域的伙伴关系,将使我们能够通过新的集成mmWave技术,向全球互联更进一步.
"由于自动车辆需要不受阻碍地访问连接的车辆的数据,Ka和W波段的无线通信是必不可少的.
Ka波段支持高数据速率、设备连接、数据收集和流量处理能力,延迟时间低于现有技术,因此预计5G网络将比4G网络快60倍.
廷德尔高级战略业务发展主管卡洛韦伯斯特(CarloWebster)表示:"考虑到计划在未来几年对爱尔兰道路基础设施上的自动驾驶汽车进行测试,廷德尔世界级研究与Arralis市场领先的制造业专长相结合,确保了这将是一次高效、及时的合作.
未来的汽车将是带轮子的电脑,需要ka波段mmWave技术来简化和支持汽车与环境之间的通信协议.
Arralis是mmWave设计领域的领导者,我们将与Tyndall一起加速这一领域和其它领域的创新.
"于杰平摘译自http://www.
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com/news_items/2019/feb/tyndall-arralis_200219.
shtml青山湖科技城每年1亿元扶持发展集成电路产业青山湖科技城借力发力,近日出台了《关于推进以集成电路产业为核心的微纳产业发展专项政策(试行)》,每年将安排1亿元扶持资金,扶持集成电路产业发展.
扶持对象为:注册地且经营场所、税务征管关系及统计关系在青山湖科技城范围内的微纳相关企业,包括特色工艺晶圆制造、半导体高端装备制造、半导体先进封装与加工、芯片设计测试与集成应用等产业.
政策计划集微技术信息简报2019年第2期8租金补助对租用楼宇、厂房用于研发生产的企业,按照先交后补的方式,给予3年的租金补助,单个企业每年租金补助总额不超过100万元.
鼓励做大对入驻的成长型小微企业年度主营收入首次达到2000万元、5000万元和1亿元以上的,分别给予企业50万元、70万元和100万元的一次性奖励.
支持创新鼓励企业加大科研创新,研发投入在100万元-300万元之间的,给予其实际研发投入的20%补助(最高补助不超过60万元).
力挺"高人"鼓励高层次人才在微纳产业领域创新创业,经评审最高给予1000万元的创业发展资金资助,按任务节点分期拨付.
引才有赏对企业引进的微纳产业紧缺专业人才,分别给予本科、硕士、博士每人3万元、7万元、10万元(含临安区级补贴)的一次性生活补贴.
给予微纳产业紧缺专业本科人才三年每人每月800元的租房补贴.
鼓励企业与教育机构合作,建立微纳产业紧缺人才培养基地,给予企业连续三年每年最高100万元的资助.
特事特办对市场前景好、产业升级带动作用强、经济发展支撑大的特别重大项目,以"一事一议"方式给予综合扶持.
扶持政策自2019年3月1日起执行,试行期为三年.
于杰平选摘自http://pc.
news.
hbjt.
com.
cn/hzrb/2019/03/22/article_detail_1_20190322A0512.
htmlhttp://www.
linan.
gov.
cn/art/2019/3/21/art_1367847_31476898.
html前沿研究集微技术信息简报2019年第2期9基于ReS–Re混合维度范德华异质结构的双沟道光电晶体管器件过渡金属硫属化合物二维材料由于具有合适的能带结构和强的光–物质耦合作用,在高性能光电探测器件和光伏器件等领域有很大的应用潜力.
多层ReS2因其直接带隙结构在红外–紫外波段具有优异的光响应率,但是材料气相合成工艺和器件制备过程引入的大量表面缺陷会降低光生载流子的分离和复合效率,从而使得基于ReS2的光电晶体管探测器件的响应速度很慢,极大限制了其在高频器件领域的应用.
哈尔滨工业大学徐成彦教授和美国普渡大学PeideD.
Ye教授合作,通过直接外延生长方法在多层ReS2薄膜上获得了超薄的Se纳米带结构,并制备了基于ReS2–Re混合维度范德华异质结构的双沟道光电晶体管器件.
外延生长的Se纳米结构可以作为光电吸收层,与多层ReS2形成II型能带匹配关系,载流子的转移会在ReS2-Se界面形成载流子的耗尽层并产生内建电场;同时Se纳米结构也会和ReS2形成高质量的界面结合,从而有效的修复表界面的缺陷态并屏蔽外界氧气和水分子对ReS2的影响.
以上优点使得在光照下ReS2–Re异质结构中光生载流子可以快速的分离和复合,从而有效的提高了双沟道器件的光电性能.
研究发现,相比于多层ReS2器件,双沟道器件的光电响应速度提升超过3个数量级,由此前的数十秒降低至数毫秒,同时该器件的光响应率(Photoresponsivity,~98A/W)和光电探测效率(Detectivity,~8*1010Jones)也得到了大幅度的提升.
前沿研究前沿研究集微技术信息简报2019年第2期10图1Se/ReS2混合异质结构的表征:(a)ReS2薄膜上纺锤状t-Se纳米带的光学显微镜图像;(b)原子力显微镜t-Se纳米带的高度分布,插图显示放大的三维(3D)显示;(c)Se/ReS2异质结构的扫描电镜图像;(d)从Se/ReS2异质结构获得的拉曼光谱比较,其中红线从Se/ReS2杂化区(c中的红色圆圈)收集,蓝线从裸露的ReS2薄膜收集.
相关研究发表在《NanoResearch》,March2019,Volume12,Issue3,pp669–674,题目:"Hybriddual-channelphototransistorbasedon1Dt-Seand2DReS2mixed-dimensionalheterostructures".
于杰平摘译自https://link.
springer.
com/article/10.
1007%2Fs12274-019-2275-1https://mp.
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com/s/lQ8w2AnVkLsxFMj70DfOJQhttps://link.
springer.
com/content/pdf/10.
1007%2Fs12274-019-2275-1.
pdf前沿研究集微技术信息简报2019年第2期11可拉伸橡胶半导体和集成电路可拉伸电子能够可逆地拉伸和释放是自本世纪以来开发的一项重要且及其具有前景的电子技术.
由于其具有优越的机械性能,可拉伸电子在可穿戴技术,医疗器械,智能皮肤以及人机交互等众多传统与新兴领域具有巨大的技术优势以及广泛的应用需求.
通常,这些可拉伸电子不仅仅包括由各种可拉伸传感器,还包括至关重要的集成电路以实现复杂的电路连接,接口和数据处理等等功能.
制成可拉伸电子及集成电路的关键在于实现可拉伸电子材料,尤其是具有高载流子迁移率的可拉伸半导体材料.
但实现这种材料以及基于其制成集成电子电路一直是材料和可拉伸电子领域长期存在的技术难题.
目前广泛存在的电子材料,尤其半导体材料,从有机到无机,往往是脆性不可拉伸的,难以直接应用于可拉伸电子器件.
目前主流解决方案是将不可拉伸的材料设计成特殊结构,例如褶皱、蛇形、弹簧、"孤岛互连"等等,以此在拉伸、扭曲、弯曲时承受机械变形,消除机械应力而免遭破坏.
但是这些方法也有工艺复杂、结构可靠性差、制作成本高的缺点,难以大规模应用于柔性可拉伸电子器件.
余存江教授课题组在高性能橡胶半导体上面再次取得重要进展,研究成果于2019年2月1日在ScienceAdvances上在线发表.
他们开发出一种具有高载流子迁移率可拉伸橡胶半导体,以及全橡胶晶体管,逻辑门电路,集成电路及集成电子传感皮肤.
全橡胶电子继承了橡胶材料优良的可拉伸延展性、良好的电性能.
他们进一步展示了基于这种高性能晶体管有源矩阵的全弹性触觉传感皮肤,使橡胶形式的集成电子电路作为一种真正可行的技术.
美国休斯敦大学(UniversityofHouston)的余存江(CunjiangYu)教授课题组在该领域取得了突破性进展,2017年首次在Science子刊ScienceAdvances报道了橡胶半导体复合材料.
这种橡胶半导体无需任何特殊的机械结构就能实现拉伸性能.
他们开发了橡胶半导体、橡胶导体材料,并用这些材料制作成的全橡胶晶体管、各种传感器以及机器人皮肤.
然而,橡胶半导体的开发仍处于起步阶段,它的载流子迁移率较低(场效应迁移率~1cm2/v·s).
要用橡胶半导体真正实现可拉伸集成电路,前沿研究集微技术信息简报2019年第2期12必须有一种具有高载流子迁移率、器件性能均匀以及可大规模制造的可拉伸半导体.
高载流子迁移率这种高迁移率全橡胶晶体管及其阵列由橡胶电子材料制成的.
其中金属型碳纳米管掺杂的P3HT-NFs/PDMS为橡胶半导体、金纳米粒子包裹的银纳米线(AuNP-AgNWs)嵌入的PDMS的复合材料(AuNPs-AgNWs/PDMS)为橡胶导体,可拉伸的离子胶为介电层.
通过干法转移金属型碳纳米管(m-CNTs)到橡胶半导体P3HT-NFs/PDMS表面,载流子迁移率可以有效地提高到~9.
76cm2/v·s.
其原理是在m-CNTs和P3HT之间有较低的能量势垒(~0.
1eV)的情况下,m-CNTs可以给载流子提供优良的传输路径,缩短载流子在沟道内的传输距离,从而显著提高有效载流子迁移率.
这种高迁移率的橡胶半导体的优点包括以下几个方面:(i)高有效迁移率同时可以拉伸收缩50%;ii)基于商用的前驱体制备无需进一步合成;(iii)简单、可重复和可量产的制作方法;以及(iv)低成本.
研究测试表明,高性能橡胶晶体管在经历高水平的机械拉伸时(50%),依旧能保持正常的工作状态和相对稳定的器件性能.
前沿研究集微技术信息简报2019年第2期13图1高载流子迁移率的橡胶晶体管及阵列全橡胶逻辑门电路布尔运算的逻辑门是集成电子和电路的基本组成部分.
全部由橡胶材料制前沿研究集微技术信息简报2019年第2期14成的集成电子电路与传统的硅基电子电路相辅相成,同时拥有许多传统技术无法轻易实现的应用.
该工作第一次实现了全橡胶逻辑门电路,包括反相器,与非门(NAND)和或非门(NOR).
这些逻辑门均能同时在无应变和双向50%(平行和垂直沟道方向)应变下正常工作.
图2橡胶逻辑门电路全橡胶触觉感知皮肤利用高性能橡胶晶体管阵列技术,他们还制备了8*8有源矩阵的全橡胶触觉感知皮肤.
当皮肤受压时,阵列上各个单元的电压信号可以被测量.
晶体管前沿研究集微技术信息简报2019年第2期15有源矩阵技术可以有效做到相邻传感单元之间没有串扰同时减少排线数量.
橡胶智能皮肤能够定量感知压力分布进而识别物体的形状.
即使当橡胶智能皮肤被进一步沿着平行和垂直于沟道的两个方向拉伸50%,在拉伸和释放100个循环后,其感知能力没有明显变化.
图3.
全橡胶阵列集成触觉感知皮肤相关研究发表在《ScienceAdvances》,01Feb2019:Vol.
5,no.
2,eaav5749DOI:10.
1126/sciadv.
aav5749,题目:"Fullyrubberyintegratedelectronicsfromhigheffectivemobilityintrinsicallystretchablesemiconductors".
于杰平摘选自https://mp.
weixin.
qq.
com/s/aU_q0MMlOct3Ov43aRJBmAhttp://advances.
sciencemag.
org/content/5/2/eaav5749前沿研究集微技术信息简报2019年第2期16基于氧化物薄膜晶体管高灵敏度有源矩阵驱动自电容指纹传感器指纹识别已广泛用于移动设备中的生物识别,现有的指纹传感器已经在主要使用基于Si的技术的移动设备领域中商业化.
最近,已经开发出互电容指纹传感器以降低生产成本并扩展使用薄膜技术的应用范围.
然而,由于互电容方法检测到互电容的变化,因此与自电容方法相比,寄生电容与脊-谷电容的比率高,导致灵敏度低.
为了演示自电容指纹传感器,应在每个像素中集成诸如晶体管的开关器件,这降低了电极配置和传感电路的复杂性.
氧化物薄膜晶体管(TFT)可以作为自电容指纹传感器的开关装置的良好候选者.
Guk-JinJeon等人报道了集成Al-InSnZnOTFT,场效应移动性高于30cm2/Vs的自电容指纹传感器.
指纹传感器可以采用友好的工艺方法实现像素之间的隔离.
该指纹传感器旨在降低整个系统的寄生电阻和电容,而氧化物氧化物薄膜晶体管(TFT)优异的均匀性和低漏电流(eastday.
com/a/190328113633744.
html东芝推出新SSD第四代BGA封装近日,东芝推出最新的BG4系列固态硬盘产品,是新系列的单一封装NVMe固态硬盘,容量最高可达1024GB,其中于单一封装搭载创新的96层3D快闪存储器及全新控制器,提供同级最佳的读取效能.
应用实施集微技术信息简报2019年第2期32这款新系列的单一封装固态硬盘采用PCIeGen3x4通道,提供高达2250MB/s的循序读取效能,并以更出色的快闪存储器管理,提供领先业界的随机读取效能,最高可达380000IOPS.
BG4单一封装固态硬盘适用于体积精巧及效能导向的系统,例如超薄型笔记型计算机、物联网嵌入式系统,以及服务器和数据中心.
BG4固态硬盘是以NVMExpressTMRevision1.
3a规格为基础建构,在循序及随机写入效能方面,分别比前代的BG3系列高出约70%及90%.
此外更利用东芝存储器最先进的BiCSFLASHTM及新款固态硬盘控制器,让电源效率分别在读取及写入时提升20%及7%.
BG4单一封装固态硬盘系列将供应128GB、256GB、512GB及1024GB四种容量,其中1.
3mm的薄型规格容量最高可达512GB.
外型规格选项包括表面粘着M.
21620(16x20mm)单一封装或可拆卸M.
22230(22x30mm)模块,可让轻薄型行动PC享有更多设计弹性,这款产品将于不久后推向市场.
BG4的固件扩展了可以缓存在主机内存缓冲区中的用户数据映射信息范围,从而提高了复制大文件等用例的性能.
这些变化意味着BG4会要求使用更大的主机内存来加速其操作,但所请求的HMB大小仍然小于100MB.
其他固件更改的重点是提高随机I/O性能并减少后台闪存管理对交互性能的影响.
来自东芝的初步性能数据表明,随机写入性能几乎翻了一番,随机读取性能远远超过BG3的两倍.
邹丽雪选摘自https://www.
dramx.
com/news/memory/20190109-15612.
html《集微技术信息简报》是由中国科学院文献情报中心情报研究部承担编辑的半导体、集成电路、微电子相关领域科技信息综合报道及专题分析简报(双月报),于2014年3月正式启动,2014年为季度发行的《光刻技术信息简报》,2015年更名《集微技术信息简报》双月发行,2017-2018年根据服务内容聚焦点更名《第三代半导体技术信息简报》.
2019年起卷名恢复《集微技术信息简报》.
按照"统筹规划、系统布局、分工负责、整体集成、长期积累、深度分析、协同服务、支撑科研"的发展思路,规划和部署《集微技术信息简报》.
《集微技术信息简报》服务对象是集成电路、微电子领域的相关领导、科技战略研究专家和科研一线工作者.
《集微技术信息简报》内容力图兼顾科技决策和管理者、科技战略专家和领域科学家的信息需求,报道集成电路、微电子领域的国际科技战略与规划、科技计划与预算、科技进展与动态、科技前沿与热点、重大科技研发与应用、重要科技政策与管理等方面的最新进展与发展动态,不定期提供半导体、集成电路、微电子领域热点方向的专题分析.
《集微技术信息简报》是内部资料,不公开出版发行;除了其所报道的专题分析报告代表相应作者的观点外,其所刊载报道的中文翻译信息、汇编信息等并不代表编译者及其所在单位的观点.
NSTL微电子器件及集成专项情报服务团队执笔人:王丽沈湘邹丽雪于杰平联系人:王丽电话:010-82626611-6649电子邮件:wangli@mail.
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