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CSD85301Q2ZHCSDF5–DECEMBER2014CSD85301Q220V双双路路N通通道道NexFET功功率率金金属属氧氧化化物物半半导导体体场场效效应应晶晶体体管管(MOSFET)1特特性性.
1低导通电阻产产品品概概要要两个独立的MOSFETTA=25°C典典型型值值单单位位节省空间的小外形尺寸无引线(SON)2mm*2mmVDS漏源电压20V塑料封装Qg栅极电荷总量(4.
5V)4.
2nC针对5V栅极驱动器而优化Qgd栅极电荷栅极到漏极1.
0nCVGS=1.
8V65mΩ雪崩级VGS=2.
5V33mΩ无铅且无卤素RDS(on)漏源导通电阻VGS=3.
8V25mΩ符合RoHS环保标准VGS=4.
5V23mΩVGS(th)阈值电压0.
9V2应应用用范范围围用于网络互联,电信和计算系统的负载点同步降压.
.
转换器订订购购信信息息(1)针对笔记本个人电脑(PC)和平板电脑的适配器或器器件件介介质质数数量量封封装装出出货货USB输入保护CSD85301Q27英寸卷带3000SON2mmx2mm卷带封装电池保护CSD85301Q2T7英寸卷带250塑料封装(1)要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录.
3说说明明CSD85301Q2是一款20V、23mN通道器件,它具最最大大绝绝对对额额定定值值TA=25°C值值单单位位有两个独立的MOSFET,并且采用SON2mmx2mmVDS漏源电压20V塑料封装.
这两个场效应管(FET)采用半桥配置,适VGS栅源电压±10V用于同步降压等电源应用.
此外,该部件还可用于适ID持续漏极电流(受封装限制)5.
0A配器、USB输入保护和电池充电应用.
两个FET的IDM脉冲漏极电流(1)26A漏源导通电阻均较低,可最大程度降低损耗并减少元件PD功率耗散(2)2.
3W数,非常适合空间受限型应用.
TJ,运行结温和-55至150°CTstg储存温度范围俯俯视视图图和和电电路路图图雪崩能量,单一脉冲EAS3.
8mJID=8.
7A,L=0.
1mH,RG=25Ω(1)最大RθJA=185°C/W,脉冲持续时间≤100μs,占空比≤1%.
(2)RθJA=55°C/W,这是在厚度为0.
06英寸的环氧板(FR4)印刷电路板(PCB)上的1英寸22盎司的铜焊盘上测得的典型值.
RDS(on)与与VGS间间的的关关系系栅栅极极电电荷荷1PRODUCTIONDATAinformationiscurrentasofpublicationdate.
ProductsconformtospecificationsperthetermsoftheTexasInstrumentsstandardwarranty.
Productionprocessingdoesnotnecessarilyincludetestingofallparameters.
EnglishDataSheet:SLPS521CSD85301Q2ZHCSDF5–DECEMBER2014www.
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cn目目录录1特特性性.
16器器件件和和文文档档支支持持.
76.
1商标.
72应应用用范范围围.
16.
2静电放电警告.
73说说明明.
16.
3术语表74修修订订历历史史记记录录27机机械械封封装装和和可可订订购购信信息息.
85Specifications.
37.
1封装尺寸.
85.
1ElectricalCharacteristics.
37.
2印刷电路板(PCB)焊盘图案.
95.
2ThermalInformation.
37.
3建议模板开口.
95.
3TypicalMOSFETCharacteristics.
47.
4Q2卷带信息.
104修修订订历历史史记记录录日日期期修修订订版版本本注注释释2014年12月*最初发布.
2版权2014,TexasInstrumentsIncorporatedCSD85301Q2www.
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cnZHCSDF5–DECEMBER20145Specifications5.
1ElectricalCharacteristics(TA=25°Cunlessotherwisestated)PARAMETERTESTCONDITIONSMINTYPMAXUNITSTATICCHARACTERISTICSBVDSSDrain-to-SourceVoltageVGS=0V,ID=250μA20VIDSSDrain-to-SourceLeakageCurrentVGS=0V,VDS=16V1μAIGSSGate-to-SourceLeakageCurrentVDS=0V,VGS=10V10μAVGS(th)Gate-to-SourceThresholdVoltageVDS=VGS,ID=250μA0.
60.
91.
2VVGS=1.
8V,ID=0.
5A6599mVGS=2.
5V,ID=5A3339mRDS(on)Drain-to-SourceOn-ResistanceVGS=3.
8V,ID=5A2529mVGS=4.
5V,ID=5A2327mgsTransconductanceVDS=2V,ID=5A20SDYNAMICCHARACTERISTICSCissInputCapacitance361469pFCossOutputCapacitanceVGS=0V,VDS=10V,=1MHz6889pFCrssReverseTransferCapacitance4862pFRGSeriesGateResistance7.
3QgGateChargeTotal(4.
5V)4.
25.
4nCQgdGateChargeGate-to-Drain1.
0nCVDS=10V,ID=5AQgsGateChargeGate-to-Source1.
1nCQg(th)GateChargeatVth0.
5nCQossOutputChargeVDS=10V,VGS=0V1.
3nCtd(on)TurnOnDelayTime6nstrRiseTime26nsVDS=10V,VGS=5V,IDS=5A,RG=0td(off)TurnOffDelayTime14nstFallTime15nsDIODECHARACTERISTICSVSDDiodeForwardVoltageISD=5A,VGS=0V0.
81.
0VQrrReverseRecoveryCharge7.
2nCVDS=10V,IF=5A,di/dt=300A/μstrrReverseRecoveryTime14ns5.
2ThermalInformation(TA=25°Cunlessotherwisestated)THERMALMETRICMINTYPMAXUNITJunction-to-AmbientThermalResistance(1)70RθJA°C/WJunction-to-AmbientThermalResistance(2)185(1)DevicemountedonFR4materialwith1inch2(6.
45cm2),2oz.
(0.
071mmthick)Cu.
(2)DevicemountedonFR4materialwithminimumCumountingarea.
Copyright2014,TexasInstrumentsIncorporated3CSD85301Q2ZHCSDF5–DECEMBER2014www.
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cnMaxRθJA=70whenMaxRθJA=185whenmountedon1inch2mountedonminimum(6.
45cm2)of2oz.
padareaof2oz.
(0.
071mmthick)Cu.
(0.
071mmthick)Cu.
5.
3TypicalMOSFETCharacteristics(TA=25°Cunlessotherwisestated)Figure1.
TransientThermalImpedance4Copyright2014,TexasInstrumentsIncorporatedCSD85301Q2www.
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cnZHCSDF5–DECEMBER2014TypicalMOSFETCharacteristics(continued)(TA=25°Cunlessotherwisestated)VDS=5VFigure2.
SaturationCharacteristicsFigure3.
TransferCharacteristicsID=5AVDS=10VFigure4.
GateChargeFigure5.
CapacitanceID=5AFigure6.
ThresholdVoltagevsTemperatureFigure7.
On-StateResistancevsGate-to-SourceVoltageCopyright2014,TexasInstrumentsIncorporated5CSD85301Q2ZHCSDF5–DECEMBER2014www.
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cnTypicalMOSFETCharacteristics(continued)(TA=25°Cunlessotherwisestated)ID=5AFigure8.
NormalizedOn-StateResistancevsTemperatureFigure9.
TypicalDiodeForwardVoltageSinglePulse,MaxRθJA=185°C/WFigure10.
MaximumSafeOperatingAreaFigure11.
SinglePulseUnclampedInductiveSwitchingFigure12.
MaximumDrainCurrentvsTemperature6Copyright2014,TexasInstrumentsIncorporatedCSD85301Q2www.
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cnZHCSDF5–DECEMBER20146器器件件和和文文档档支支持持6.
1商商标标NexFETisatrademarkofTexasInstruments.
Allothertrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.
6.
2静静电电放放电电警警告告这些装置包含有限的内置ESD保护.
存储或装卸时,应将导线一起截短或将装置放置于导电泡棉中,以防止MOS门极遭受静电损伤.
6.
3术术语语表表SLYZ022—TI术语表.
这份术语表列出并解释术语、首字母缩略词和定义.
版权2014,TexasInstrumentsIncorporated7CSD85301Q2ZHCSDF5–DECEMBER2014www.
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cn7机机械械封封装装和和可可订订购购信信息息以下页中包括机械封装和可订购信息.
这些信息是针对指定器件可提供的最新数据.
这些数据会在无通知且不对本文档进行修订的情况下发生改变.
欲获得该数据表的浏览器版本,请查阅左侧的导航栏.
7.
1封封装装尺尺寸寸除非另外注明,否则全部尺寸单位均为mm.
8版权2014,TexasInstrumentsIncorporatedCSD85301Q2www.
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cnZHCSDF5–DECEMBER20147.
2印印刷刷电电路路板板(PCB)焊焊盘盘图图案案要获得与印刷电路板(PCB)设计相关的建议电路布局布线,请参见《应用说明》SLPA005-通过PCB布局布线技巧来减少振铃.
7.
3建建议议模模板板开开口口除非另外注明,否则全部尺寸单位均为mm.
版权2014,TexasInstrumentsIncorporated9CSD85301Q2ZHCSDF5–DECEMBER2014www.
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cn7.
4Q2卷卷带带信信息息Notes:1.
测自链齿孔中心线到孔眼中心线2.
10个链齿孔的累积容差为±0.
203.
其他材料可用4.
卷带的SR典型值最大为109OHM/SQ5.
全部尺寸单位为mm,除非另外注明.
10版权2014,TexasInstrumentsIncorporated重重要要声声明明德州仪器(TI)及其下属子公司有权根据JESD46最新标准,对所提供的产品和服务进行更正、修改、增强、改进或其它更改,并有权根据JESD48最新标准中止提供任何产品和服务.
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deyisupport.
comIMPORTANTNOTICE邮寄地址:上海市浦东新区世纪大道1568号,中建大厦32楼邮政编码:200122Copyright2015,德州仪器半导体技术(上海)有限公司PACKAGEOPTIONADDENDUMwww.
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com10-Dec-2020Addendum-Page1PACKAGINGINFORMATIONOrderableDeviceStatus(1)PackageTypePackageDrawingPinsPackageQtyEcoPlan(2)Leadfinish/Ballmaterial(6)MSLPeakTemp(3)OpTemp(°C)DeviceMarking(4/5)SamplesCSD85301Q2ACTIVEWSONDQK63000RoHS&GreenNIPDAU|SNLevel-1-260C-UNLIM8531CSD85301Q2TACTIVEWSONDQK6250RoHS&GreenNIPDAU|SNLevel-1-260C-UNLIM-55to1508531(1)Themarketingstatusvaluesaredefinedasfollows:ACTIVE:Productdevicerecommendedfornewdesigns.
LIFEBUY:TIhasannouncedthatthedevicewillbediscontinued,andalifetime-buyperiodisineffect.
NRND:Notrecommendedfornewdesigns.
Deviceisinproductiontosupportexistingcustomers,butTIdoesnotrecommendusingthispartinanewdesign.
PREVIEW:Devicehasbeenannouncedbutisnotinproduction.
Samplesmayormaynotbeavailable.
OBSOLETE:TIhasdiscontinuedtheproductionofthedevice.
(2)RoHS:TIdefines"RoHS"tomeansemiconductorproductsthatarecompliantwiththecurrentEURoHSrequirementsforall10RoHSsubstances,includingtherequirementthatRoHSsubstancedonotexceed0.
1%byweightinhomogeneousmaterials.
Wheredesignedtobesolderedathightemperatures,"RoHS"productsaresuitableforuseinspecifiedlead-freeprocesses.
TImayreferencethesetypesofproductsas"Pb-Free".
RoHSExempt:TIdefines"RoHSExempt"tomeanproductsthatcontainleadbutarecompliantwithEURoHSpursuanttoaspecificEURoHSexemption.
Green:TIdefines"Green"tomeanthecontentofChlorine(Cl)andBromine(Br)basedflameretardantsmeetJS709Blowhalogenrequirementsof<=1000ppmthreshold.
Antimonytrioxidebasedflameretardantsmustalsomeetthe<=1000ppmthresholdrequirement.
(3)MSL,PeakTemp.
-TheMoistureSensitivityLevelratingaccordingtotheJEDECindustrystandardclassifications,andpeaksoldertemperature.
(4)Theremaybeadditionalmarking,whichrelatestothelogo,thelottracecodeinformation,ortheenvironmentalcategoryonthedevice.
(5)MultipleDeviceMarkingswillbeinsideparentheses.
OnlyoneDeviceMarkingcontainedinparenthesesandseparatedbya"~"willappearonadevice.
IfalineisindentedthenitisacontinuationofthepreviouslineandthetwocombinedrepresenttheentireDeviceMarkingforthatdevice.
(6)Leadfinish/Ballmaterial-OrderableDevicesmayhavemultiplematerialfinishoptions.
Finishoptionsareseparatedbyaverticalruledline.
Leadfinish/Ballmaterialvaluesmaywraptotwolinesifthefinishvalueexceedsthemaximumcolumnwidth.
ImportantInformationandDisclaimer:TheinformationprovidedonthispagerepresentsTI'sknowledgeandbeliefasofthedatethatitisprovided.
TIbasesitsknowledgeandbeliefoninformationprovidedbythirdparties,andmakesnorepresentationorwarrantyastotheaccuracyofsuchinformation.
Effortsareunderwaytobetterintegrateinformationfromthirdparties.
TIhastakenandcontinuestotakereasonablestepstoproviderepresentativeandaccurateinformationbutmaynothaveconducteddestructivetestingorchemicalanalysisonincomingmaterialsandchemicals.
TIandTIsuppliersconsidercertaininformationtobeproprietary,andthusCASnumbersandotherlimitedinformationmaynotbeavailableforrelease.
InnoeventshallTI'sliabilityarisingoutofsuchinformationexceedthetotalpurchasepriceoftheTIpart(s)atissueinthisdocumentsoldbyTItoCustomeronanannualbasis.
PACKAGEOPTIONADDENDUMwww.
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com10-Dec-2020Addendum-Page2重重要要声声明明和和免免责责声声明明TI均以"原样"提供技术性及可靠性数据(包括数据表)、设计资源(包括参考设计)、应用或其他设计建议、网络工具、安全信息和其他资源,不保证其中不含任何瑕疵,且不做任何明示或暗示的担保,包括但不限于对适销性、适合某特定用途或不侵犯任何第三方知识产权的暗示担保.
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cn/zh-cn/legal/termsofsale.
html)以及ti.
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