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技术手册FM4442256字节存储卡芯片版本3.
11FM4442256字节存储卡芯片技术手册2008.
12技术手册FM4442256字节存储卡芯片版本3.
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13产品综述产品简介FM4442是复旦微电子股份有限公司设计的存储卡芯片,容量为256X8BitsEEPROM,带写保护功能及编程安全码认证功能.
外围接口遵循ISO7816协议标准(同步传输),可广泛用于各类IC存储卡.
产品特点z256X8bitsEEPROMz字节寻址z低32字节有写保护功能,具有不可逆性(一旦启动,不可撤消)z32X1bit保护存储器结构z复位应答遵循ISO7816-3标准每字节的擦、写编程时间各为2.
5msz双链路协议z数据输出显示操作结束z最小10万次擦写次数z数据保存时间大于10年z触点定义和串行接口符合ISO7816标准(同步传输)z仅当正确的3字节可编程加密代码(PSC)进入后,数据才可改变引脚排列图1复位和复位应答引脚功能引脚符号功能C1VCC工作电压2.
5V~5VC2RST复位信号C3CLK时钟信号C4I/O数据线(开漏输出)C5NC空接C6GND地技术手册FM4442256字节存储卡芯片版本3.
14功能描述FM4442具有256x8bitEEPROM存储单元.
除了PSC(个人安全码)存储区外,所有单元均可读.
前32个字节带有写保护功能,写保护有效之前,所有单元均可擦写,一旦写保护有效,该单元只读.
写保护位只能一次编程,不能擦.
复位和复位响应上电后,芯片进入上电复位状态,上电复位状态可被复位信号结束.
复位信号由RST自"0"变"1"开始,至CLK自"0"变"1"结束.
复位信号可中止任何有效指令.
上电复位后在数据改变之前必须首先执行读操作.
复位响应遵循ISO7816同步传送方式.
复位响应自动设置地址计数器为"0"并且送第一个数据位在I/O端,随着时钟信号的施加,相继地址的数据可被串行读出.
具体时序参见图2.
响应复位字节1字节2字节3字节4(HEX)DO7…DO0DO15…DO8DO23…DO16DO31…DO24VCC10RST10CLK012303132ICsetsI/OtostateZ10I/ODO0DO1DO2DO30DO31图2复位和复位应答技术手册FM4442256字节存储卡芯片版本3.
15指令格式指令具有如下格式:MSBControlLSBMSBAddressLSBMSBDataLSBB7B6B5B4B3B2B1B0A7A6A5A4A3A2A1A0D7D6D5D4D3D2D1D0指令介绍(1)读取主存储区控制字节地址字节数据字节B7B6B5B4B3B2B1B0A7…A0D7…D0二进制00110000地址任意十六进制30H00H…FFH任意该指令将读出当前字节地址N及以后的所有单元的数据内容,所需脉冲数m=(256-N)x8+1.
(2)读取保护存储区控制字节地址字节数据字节B7B6B5B4B3B2B1B0A7…A0D7…D0二进制00110100任意任意十六进制34H任意任意该指令将读出所有保护存储区内容(32bit),显示对应地址单元的数据内容是否可以被改写.
(3)更新主存储区控制字节地址字节数据字节B7B6B5B4B3B2B1B0A7…A0D7…D0二进制00111000地址输入数据十六进制38H00H…FFH输入数据该指令以字节方式写入主存储区.
根据新旧数据,处理模式期间将执行下述操作序列中一种:擦除和写入(5ms)对应于m=245个时钟脉冲不进行擦除而直接写入(2.
5ms)对应于m=124个时钟脉冲只进行擦除而无写入(2.
5ms))对应于m=124个时钟脉冲(所有数值是按50kHz时钟速率计算所得)技术手册FM4442256字节存储卡芯片版本3.
16CLKI/ORST12324123m-2m-1m2421命令输入处理图3更新主存储区(4)写保护存储区控制字节地址字节数据字节B7B6B5B4B3B2B1B0A7…A0D7…D0二进制00111100地址输入数据十六进制3CH00H…1FH输入数据将输入的数据与该单元原有的数据比较,若相同,置相应的写保护位有效,该单元变为只读.
(5)读取安全存储区控制字节地址字节数据字节B7B6B5B4B3B2B1B0A7…A0D7…D0二进制00110001任意任意十六进制31H任意任意读出4字节安全存储区内容.
(6)更新安全存储区控制字节地址字节数据字节B7B6B5B4B3B2B1B0A7…A0D7…D0二进制00111001地址输入数据十六进制39H00H…1FH输入数据必须在PSC验证通过后,才能进行更新.
否则,只有出错计数器(地址0)的各位可以从"1"写成"0".
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17(7)比较认证数据控制字节地址字节数据字节B7B6B5B4B3B2B1B0A7…A0D7…D0二进制00110011地址输入数据十六进制33H00H…03H输入数据每次验证PSC的一个指定字节.
PSC认证芯片内存有3Byte的编程安全认证码(PSC),如果用户未能通过PSC认证,则除出错计数器可写外,无权执行其它存储单元擦和写的操作,只可读取存储单元中除PSC单元之外的内容.
PSC的认证过程如下:控制字节地址字节数据字节命令B7…B0A7…A0D7…D0备注读取安全存储区31H任意任意校对错误计数器更新安全存储区39H00H输入数据错误计数器中写自由位输入数据:00000ddd二进制比较认证数据33H01H输入数据参考数据字节1比较认证数据33H02H输入数据参考数据字节2比较认证数据33H03H输入数据参考数据字节3更新安全存储区39H00HFFH清除错误计数器读取安全存储区31H任意任意校对错误计数器技术手册FM4442256字节存储卡芯片版本3.
18技术参数最大额定值参数符号最小值典型值最大值单位电源电压VCC-0.
36V输入电压Vi-0.
36V储存温度Tsto-25+70℃功耗Ptot70mW注:器件工作于上表中各项条件下时,可能会导致器件永久性损害.
最大额定值下只限于器件的功能性运作,长期工作于最大额定值条件下可能会引起器件可靠性问题,包括EEPROM数据保持时间和最大擦写寿命次数.
工作范围参数符号最小值典型值最大值单位工作温度TA-20+60℃电源电压VCC2.
55.
05.
5V直流电学特性参数符号最小值典型值最大值单位电源电流(Vcc=5.
0V)ICC310mA输入高电平(I/O,CLK,RST)VIH0.
7VccVccV输入低电平(I/O,CLK,RST)VIL00.
3*VccV高输入电流(VIH=5.
0V)(I/O,CLK,RST)IIH50A输出低吸收电流(Vl=0.
4V,开漏)IOL1mA输出高漏电流(Vl=Vcc,开漏)IOH50A输入电容CI10pF交流电学特性参数符号最小值典型值最大值单位时钟频率fCLK750kHzI/O高电平宽度(起始条件)t110μs时钟高电平至I/O保持时间t24μsI/O低电平至时钟保持时间(起始条件)t34μs技术手册FM4442256字节存储卡芯片版本3.
19参数符号最小值典型值最大值单位I/O建立至时钟高电平时间t41μs时钟低电平至I/O保持时间t51μs时钟高电平至I/O清零时间(停止条件)t64μs时钟低电平至I/O有效时间t72.
5μs时钟低电平至I/O有效时间t82.
5μs时钟低电平至I/O清零时间t92.
5μs复位高电平至时钟建立时间t104μs时钟低至复位保持时间t114μs复位高电平时间(地址复位)t122050μs复位低电平至I/O有效时间t132.
5μs复位低电平至时钟建立时间t144μs时钟高电平宽度t159μs时钟低电平宽度t169μs时钟低电平至I/O有效时间t172.
5μs中止时有效复位时间t185μs复位高电平至I/O清零时间t192.
5μs时钟上升延迟时间tR1μs时钟下降延迟时间tF1μs擦除时间tER2.
5*ms写入时间tWR2.
5*ms上电复位时间tPOR100μs注:"*"条件为fCLK=50kHz时序图图4FM4442复位和复位响应技术手册FM4442256字节存储卡芯片版本3.
110图5FM4442命令模式输出数据起始条件IC置I/O为高阻态ZDO0DO0……101010CLKI/OfCLKt7图6数据输出1010CLKI/OfCLKt8t901…命令处理起始条件IC置I/O为高阻态Z图7FM4442处理模式技术手册FM4442256字节存储卡芯片版本3.
111图8FM4442中止时序图技术手册FM4442256字节存储卡芯片版本3.
112订货信息器件代号封装形式包装方式工作温度范围FM4442-P5-R模块封装(6引脚)卷盘装载FM4442-M3-R模块封装(6引脚)卷盘装载-20°C~+60°C技术手册FM4442256字节存储卡芯片版本3.
113版本信息版本号发布日期页数章节或图表更改说明1.
02004.
104首次发布.
2.
02007.
1010更新版式.
2.
12008.
510销售及服务网点更新香港分公司地址.
3.
02008.
814更新产品简介、产品特点、技术参数、订货信息.
3.
12008.
1214销售及服务网点更新北京分公司地址及联系方式.
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