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1中国闪存市场评测中心目录一、测试环境.
2二、量产测试3三、存储功能测试.
3四、检查CPRM测试.
3五、Powercycling稳定性测试.
4六、电流及容量测试.
4七、Testmetrix测试.
5八、读写速度测试.
68.
1、HDBENCH软件测试.
68.
2、ATTODiskBenchmark软件测试78.
3、H2test软件测试…78.
4、CrystalDiskMark3.
0软件测试…88.
5、FlashDisk软件测试…88.
6、Iometer测试记录…8九、手机测试.
9十、BurnIn测试.
9深圳市闪存市场资讯有限公司|ShenZhenFlashmarketInformationCo.
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2中国闪存市场评测中心一、测试环境16GB样品参数主控:SK6658AAWWEFlash:K9ACGD8U0B-W000000*2(ECDE98DE94)PDTCodeVer:1658AA-K9ACGD8U0PDTUtilityVer:20130724基板:1000801271BUSChannel:SingleInterleaveMode:I-2MID:82OID:4A54PName:NCard读卡器型号:RTS5308、松下BN-SDCMP3手机型号:联想P70、联想A790e、联想A668t、金立GN380、金立GN105、酷派7260、三星GT-S5750E、KV138、天语S998、步步高i508电脑编号主板芯片组CPU内存操作系统EQ01-793IntelG41+ICH7/RIntelPentuimE52002GBDDR2WinXP+SP3CSH-201880GMH/U3S3AMDAthlon(tm)Ⅱ*2250Processor4GBDDR3CSH-192IntelID0100+ID1C5CIntelPentiumG620@2.
60GHz4GBDDR3CSH-212AMD870+SB850AMDFx(tm)-4100@3.
60GHz4GBDDR3WinXp或Win7备注:烧录CPRMClass等级:Class10容量:激光码:Y16GD27S9S2062488MadeinTAIWAN加工厂:DLT料号:WHP0015S2022文件编号:T13071706数量:20片测试日期:2013-08-13样品图片:深圳市闪存市场资讯有限公司|ShenZhenFlashmarketInformationCo.
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3中国闪存市场评测中心二、量产测试来样20片,FlashP/N选择K9ACGD8U0B_Single_16G_I2,设置Single,Interleave2量产,样品均量产OK,容量为15264MB.
三、存储功能测试测试系统:WinXP+SP3读卡器:USB3.
0读卡器测试内容大容量文件(4GB)多级目录文件(16级)>5000个小文件长文件名文件影音图片文档及压缩文件其它类型文件测试结果PASSPASSPASSPASSPASSPASSPASS20片样品均使用USB3.
0读卡器拷贝以上各类文件至满盘,均拷贝匹配OK,查看无新增坏块.
四、检查CPRM测试软件:SD-JukeboxV6读卡器:PanasonicBN-SDCMP3抽取2pcs样品使用PanasonicBN-SDCLP3读卡器在SD-JukeboxV6"SD"界面上可以正确显示盘符且格式化OK,CPRM烧录OK:深圳市闪存市场资讯有限公司|ShenZhenFlashmarketInformationCo.
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4中国闪存市场评测中心五、Powercycling稳定性测试测试样品均拷贝匹配测试OK后,进行自动超稳定测试.
样品测试模式测试结果备注3#~6#文件方式超稳(V2.
0.
4.
7)4片分别自动拔插2922、3001、3001、3001次OK(RTS5308)RTS5308+U3端口7#随机扇区超稳(V1.
8.
11)1片自动拔插3864次OK(RTS5308)RTS5308+U3端口以上样品重新上盘拷贝匹配OK.
超稳测试后,HDBENCH速度:六、读卡器电流及容量测试(FLUKE289C、RTS5308+U3端口)编号待机电流写电流读电流瞬间最大电流读写后待机1#98.
83A40.
19~51.
78mA16.
70~72.
44mA73.
10mA121.
42A2#105.
08A41.
05~53.
30mA17.
14~70.
21mA74.
44mA125.
01A另外抽取6片查看其待机电流均在0.
105mA左右.
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5中国闪存市场评测中心七、Testmetrix测试:(EQ01-238)测试平台:VTE3100Version3.
1S测试脚本:SD_Card(Spec3.
0_High&Extended-Capacity_UHS-IandNon-UHS-I)_Compliance[rev31R].
vte],VTE11549,EMMC1177,3.
2A,Patch1a-b33(SW3.
2A),VTE3100测试1片OK,测试速度:10.
76/92.
76MB/ScardsizeFullSpeedClass10PerformanceMoveNotDefinedPw13.
29(MB/s)Pr19.
01(MB/s)Tfw(ave)(主板芯片组DurationcycleError备注备注8#880GMH/U3S315h18m9910默认数据RTS5308+U3端口9#880GMH/U3S315h18m9900默认数据RTS5308+U3端口10#IntelID0100+ID1C5C15h07m10370默认数据RTS5308+U3端口11#IntelG41+ICH7/R110h00m——0——RTS5308+U3端口12#IntelG41+ICH7/R110h00m——0——RTS5308+U3端口以上样品重新上盘拷贝匹配OK,11#、12#目前110hOK,继续老化中深圳市闪存市场资讯有限公司|ShenZhenFlashmarketInformationCo.
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