内存常用内存命名规则

常见内存芯片命名

2010-06-0821:13:23|分类个人日记|标签 |字号大中小订阅

三星Samsung内存

具体含义解释

例 SAMSUNG

K4S283232E-TC60 SDRAM

K4H280838B-TCB0 DDR

K4T51163QE-HCE6 DDR2

K4B1G164E-HCE7 DDR3

主要含义

第1位——芯片功能K代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4 代表DRAM。 9代表NANDFLASH

第3位——芯片的更进一步的类型说明 S代表SDRAM、H代表DDR、T代表DDR2、B代表DDR3、 G代表SGRAM。

第4、 5位——容量和刷新速率容量相同的内存采用不同的刷新速率也会使用不同的编号。64、 62、 63、 65、 66、 67、 6A代表64Mbit的容量 28、27、 2A代表128Mbit的容量 56、55、57、5A代表256Mbit的容量 51代表512Mbit的容量。第6、 7位——数据线引脚个数 08代表8位数据 16代表16位数据 32代表32位数据 64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、 15位——芯片的速率如60为6ns  70为7ns  7B为7.5ns(CL=3)  7C为7.5ns(CL=2)  80为8ns  10为10ns(66MHz)。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义拿到一个内存条后就非常容易计算出它

的容量。例如一条三星DDR内存使用18片SAMSUNGK4H280838B-TCB0颗粒封装颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits 第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits 兆数位×16片/8bits=256MB兆字节 。

注 “bit”为“数位”  “B”即字节“byte” 一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算文中所举的例子中有两种情况一种是非ECC内存每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存另一种ECC内存在每64位数据之后还增加了8位的ECC校验码。通过校验码可以检测出内存数据中的两位错误纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中不计算校验位具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。

Hyn ix(Hyunda i)现代

现代内存的含义

HY57V281620FTP-H H57V2562GTR-75C(新版 SDRAM

HY5DV641622AT-36 H5DU5162ETP-E3C DDR

HYXXXXXXXXXXXXXXXX

123456789101112

HY5PS121621BFP-C4 H5PS5162FFR-25C DDR2

HY5TQ1G163ZNFP-G8 H5TQ1G163BFR-12C DDR3

1、 HY代表是现代的产品

2、 内存芯片类型 (57=SDRAM 5D=DDRSDRAM 5P=DDR2SDRAM,

5T=DDR3SDRAM)  27=NAND FLASH

3、工作电压空白=5VV=3.3V,U=2.5V Q=1.8V

4、芯片容量和刷新速率 16=16Mbits、 4KRef  64=64Mbits、 8KRef 

65=64Mbits、 4KRef  128=128Mbits、 8KRef  129=128Mbits、 4KRef 

256=256Mbits、 16KRef  257=256Mbits、 8KRef

5、代表芯片输出的数据位宽40、80、 16、32分别代表4位、8位、 16位和32位

6、 BANK数量 1、 2、 3分别代表2个、 4个和8个B ank是2的幂次关系

7、 I/O界面 1 :S STL_3、 2:S STL_2

8、芯片内核版本可以为空白或A、B、C、D等字母越往后代表内核越新

9、代表功耗L=低功耗芯片空白=普通芯片

10、 内存芯片封装形式 JC=400mi lSOJ TC=400mi lTSOP-Ⅱ TD=13mmTSOP-Ⅱ TG=16mmTSOP-Ⅱ

11、工作速度

55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ、4:250MHZ、33:300NHZ、L:DDR200、H:DDR266B、 K:DDR266A

现代的mBGA封装的颗粒

Micron美光

以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。

含义

MT——Micron的厂商名称。

48——内存的类型。 48代表SDRAM46代表DDR。 47=DDR2

LC——供电电压。 LC代表3VC代表5VV代表2.5V。

16M8——内存颗粒容量为128Mbits 计算方法是 16M地址×8位数据宽度。

A2——内存内核版本号。

TG——封装方式TG即TSOP封装。

-75——内存工作速率 -75即133MHz  -65即150MHz。

实例一条MicronDDR内存条采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。

其容量计算为容量32M×4b i t×16片/8=256MB兆字节 。

Infineon英飞凌

Infineon是德国西门子的一个分公司 目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。 Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少辨别也是最容易的。

HYB39S 128400即128MB/4b i t s  “128”标识的是该颗粒的容量后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此如HYB39S 128800即128MB/8b i t s 

HYB39S 128160即128MB/16b i t s HYB39S256800即256MB/8b i t s。

Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线然后标上工作速率。

-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz 

-8——表示该内存的工作频率是100MHz。

例如

1条Kings ton的内存条采用16片Inf ineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为 128Mbits 兆数位×16片/8=256MB兆字节 。1条Ramaxel的内存条采用8片Inf ineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为 128Mbits 兆数位×8片/8=128MB兆字节 。

KINGMAX、 kti

KINGMAX内存的说明

Kingmax内存都是采用TinyBGA封装Tinybal lgr idarray  。并且该封装模式是专利产品所以我们看到采用Kin gmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量 64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。

容量备注

KSVA44T4A0A——64Mbits  16M地址空间×4位数据宽度

KSV884T4A0A——64Mbits  8M地址空间×8位数据宽度

KSV244T4XXX——128Mbits  32M地址空间×4位数据宽度

KSV684T4XXX——128Mbits  16M地址空间×8位数据宽度

KSV864T4XXX——128Mbits  8M地址空间×16位数据宽度。

Kin gmax内存的工作速率有四种状态是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率

-7A——PC133/CL=2

-7——PC133/CL=3 

-8A——PC100/CL=2

-8——PC100/CL=3。

例如一条Kin gmax内存条采用16片KSV884T4A0A-7A的内存颗粒制造其容量计算为 64Mbits 兆数位×16片/8=128MB兆字节 。

Winbond华邦

含义说明

WXXXXXXXX

12345

1、W代表内存颗粒是由Winbond生产

2、代表显存类型 98为SDRAM 94为DDRRAM

3、代表颗粒的版本号常见的版本号为B和H

4、代表封装H为TSOP封装B为BGA封装D为LQFP封装

5、工作频率:0  10ns、 100MHz  8  8ns、 125MHz Z 7.5ns、 133MHz Y

6.7ns、 150MHz  6  6ns、 166MHz  5  5ns、 200MHZ

Mosel 台湾茂矽

台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商对大陆供货不多因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为V54C365164VDT45 从编号的6、 7为65表示单颗粒为64/88MB从编号的8、 9位16可知单颗粒位宽16b i t 从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns

NANYA南亚 、 El ix i r、 PQI、 PLUSS、Atl、 EUDAR

南亚科技是全球第六大内存芯片厂商也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司它在全球排名第五位。这颗显存编号为NT5 SV8M16CT-7K其中第4位字母

“S”表示是SDRAM显存 6、7位8M表示单颗粒容量8M 8、9位16表示单颗粒位宽16bi t  -7K表示速度为7ns。

主要含义

NT5TU 256T8 B U 25C

1 2 3 4 5 6 7

1 NANYATECHNOLOGY

2: Product Family

5S=SDRAM 、 5D=DDRSDRAM 5T=DDR2 SDRAM 5C=DDR3 SDRAM

3: I n t e r f a c e&Power(vdd&vddg)

V=LVTTL(3.3V-3.3V) E=LVTTL(2.5V-2.5V) S=S STL-2(2.5V-2.5V)

M=LVTTL(1 .8V-1 .8V)

U=S STL-18(1 .5V-1 .5V) B=S STL-15(1 .5V-1 .5V) A=S STL-18(2.0V-

2.0V)

4: Organizat ion(Depth.Width)

M=MONO T=DDP

256MB=64M4=32M8=16M16

512MB=128M4=64M8=32M16

1GB=256M4=128M8=64M16

2GB=512T4=256T 8

5: DEVICE VERSION

A=1st version B=2nd version C=3rd D=4tnF=5tn

6: PACKAGE CODE

Green +Halogen Free

S=TSOP II G=DDR1BGA/DDR284-BALLBGA E=60-BALLBGA T=68-BALLBGA

M=92 U=71 Y=63 N=78 P=96 T=SDR54-pin

TSOPII/DDR66pin TSSOPII

7: Speed

SDRAM

75B=PC-133-3-3-3 6K=PC-166-3-3-3

DDR2 SDRAM

75B=DDR266 6K=DDR333 5T=DDR400

DDR2 SDRAM

5A=DDR2-400-3-3-3 37B=DDR2-533-4-4-4 3C=DDR2-677-4-4-4

25C/AC=DDR2-800-5-5-5 25D/AD=DDR2-800-6-6-6 BE=DDR2 1066-7-7-7

DDR3 SDRAM

AC=DDR3-800-5-5-5 AD=DDR3-800-6-6-6 BE=DDR3-800-7-7-7 BF=

DDR3-1066-8-8-8

CF=DDR3-1033-8-8-8 CG=DDR3-1033-9-9-0