存储器分类存储器的分类

存储器的分类及其各自的特点

存储器（Memory）是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。

其概念很广，有很多层次，在数字系统中，只要能保存二进制数据的都可以是存储器；在集成电路中，一个没有实物形式的具有存储功能的电路也叫存储器，如RAM、FIFO等；在系统中，具有实物形式的存储设备也叫存储器，如内存条、TF卡等。

计算机中全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。

它根据控制器指定的位置存入和取出信息。

有了存储器，计算机才有记忆功能，才能保证正常工作。

计算机中的存储器按用途存储器可分为主存储器（内存）和辅助存储器（外存），也有分为外部存储器和内部存储器的分类方法。

外存通常是磁性介质或光盘等，能长期保存信息。

内存指主板上的存储部件，用来存放当前正在执行的数据和程序，但仅用于暂时存放程序和数据，关闭电源或断电，数据会丢失。

　　存储器的分类特点及其应用 　　在嵌入式系统中最常用的存储器类型分为三类： 　　1．随机存取的RAM; 　　2．只读的ROM; 　　3．介于两者之间的混合存储器 　　1.随机存储器（Random ess Memory，RAM） 　　RAM能够随时在任一地址读出或写入内容。

RAM的优点是读/写方便、使用灵活； 　　RAM的缺点是不能长期保存信息，一旦停电，所存信息就会丢失。

RAM用于二进制信息的临时存储或缓冲存储 　　2.只读存储器（Read-Only Memory，ROM） 　　ROM中存储的数据可以被任意读取，断电后，ROM中的数据仍保持不变，但不可以写入数据。

　　ROM在嵌入式系统中非常有用，常常用来存放系统软件（如ROM BIOS）、应用程序等不随时间改变的代码或数据。

　　ROM存储器按发展顺序可分为：掩膜ROM、可编程ROM（PROM）和可擦写可编程ROM（EPROM）。

　　3. 混合存储器 　　混合存储器既可以随意读写，又可以在断电后保持设备中的数据不变。

混合存储设备可分为三种： 　　EEPROM NVRAM FLASH 　　（1）EEPROM 　　EEPROM是电可擦写可编程存储设备，与EPROM不同的是EEPROM是用电来实现数据的清除，而不是通过紫外线照射实现的。

　　EEPROM允许用户以字节为单位多次用电擦除和改写内容，而且可以直接在机内进行，不需要专用设备，方便灵活，常用作对数据、参数等经常修改又有掉电保护要求的数据存储器。

　　（2） NVRAM 　　NVRAM通常就是带有后备电池的SRAM。

当电源接通的时候，NVRAM就像任何其他SRAM一样，但是当电源切断的时候，NVRAM从电池中获取足够的电力以保持其中现存的内容。

　　NVRAM在嵌入式系统中使用十分普遍，它最大的缺点是价格昂贵，因此，它的应用被限制于存储仅仅几百字节的系统关键信息。

　　（3）Flash 　　Flash（闪速存储器，简称闪存）是不需要Vpp电压信号的EEPROM，一个扇区的字节可以在瞬间（与单时钟周期比较是一个非常短的时间）擦除。

　　Flash比EEPROM优越的方面是，可以同时擦除许多字节，节省了每次写数据前擦除的时间，但一旦一个扇区被擦除，必须逐个字节地写进去，其写入时间很长。

　　存储器工作原理 　　这里只介绍动态存储器（DRAM）的工作原理。

　　工作原理 　　动态存储器每片只有一条输入数据线，而地址引脚只有8条。

为了形成64K地址，必须在系统地址总线和芯片地址引线之间专门设计一个地址形成电路。

使系统地址总线信号能分时地加到8个地址的引脚上，借助芯片内部的行锁存器、列锁存器和译码电路选定芯片内的存储单元，锁存信号也靠着外部地址电路产生。

　　当要从DRAM芯片中读出数据时，CPU首先将行地址加在A0-A7上，而后送出RAS锁存信号，该信号的下降沿将地址锁存在芯片内部。

接着将列地址加到芯片的A0-A7上，再送CAS锁存信号，也是在信号的下降沿将列地址锁存在芯片内部。

然后保持WE=1，则在CAS有效期间数据输出并保持。

　　当需要把数据写入芯片时，行列地址先后将RAS和CAS锁存在芯片内部，然后，WE有效，加上要写入的数据，则将该数据写入选中的存贮单元。

　　存储器芯片 　　由于电容不可能长期保持电荷不变，必须定时对动态存储电路的各存储单元执行重读操作，以保持电荷稳定，这个过程称为动态存储器刷新。

PC/XT机中DRAM的刷新是利用DMA实现的。

首先应用可编程定时器8253的计数器1，每隔1⒌12μs产生一次DMA请求，该请求加在DMA控制器的0通道上。

当DMA控制器0通道的请求得到响应时，DMA控制器送出到刷新地址信号，对动态存储器执行读操作，每读一次刷新一行。

计算机存储器可分为几类？它们的主要区别是什么？

计算机存储器可分为两类，分别有内存和外存。

二者的区别： 1、位置不同 内存也被称为内存储器和主存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。

外储存器是指除计算机内存及CPU缓存以外的储存器，此类储存器一般断电后仍然能保存数据。

常见的外存储器有硬盘、软盘、光盘、U盘等。

2、特点不同 内存储器速度快 价格贵，容量小，断电 后内存内数据会丢失。

（ROM 断电不丢失） 外存储器 单位价格低，容量大,速度慢, 断电后数据不会丢失。

扩展资料： 外存的类型 软盘：软磁盘使用柔软的聚酯材料制成原型底片，在两个表面涂有磁性材料。

常用软盘直径为3.5英寸，存储容量为1.44MB，软盘通过软盘驱动器来读取数据。

U盘：U盘也被称为“闪盘”，可以通过计算机的USB口存储数据。

与软盘相比，由于U盘的体积小、存储量大及携带方便等诸多优点，U盘已经取代软盘的地位。

硬盘：硬磁盘是由涂有磁性材料额铝合金圆盘组成的，每个硬盘都由若干个磁性圆盘组成。

磁带存储器：磁带也被称为顺序存取存储器SAM。

它存储容量很大，但查找速度很慢，一般仅用作数据后备存储。

计算机系统使用的磁带机有3中类型：盘式磁带机、数据流磁带机及螺旋扫描磁带机。

光盘存储器：光盘指的是利用光学方式进行信息存储的圆盘。

它应用了光存储技术，即使用激光在某种介质上写入信息，然后再利用激光读出信息。

光盘存储器可分为:CD-ROM、CD-R、CD-RW、和DVD-ROM等。

软盘、硬盘、光盘、U盘、磁带都是外部存储器。

从冯.诺依曼的存储程序工作原理及计算机的组成来说，计算机分为运算器、控制器、存储器和输入/输出设备，这里的存储器就是指内存，而硬盘属于输入/输出设备。

CPU运算所需要的程序代码和数据来自于内存，内存中的东西则来自于硬盘，所以硬盘并不直接与CPU打交道。

硬盘相对于内存来说就是外部存储器。

存储器是用来存储器数据的,内存有高速缓存和内存,计算机内部存储,外存就是类似U盘的外部存储。

参考资料：搜狗百科-外存储器 参考资料：搜狗百科-内存

计算机内存储器分为____两种

存储器的分类 内存是存储器的一种。

存储器是计算机的重要组成部分，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存），辅助存储器又称外存储器。

外存储器通常是磁性介质和光盘，能长期保存信息，并且不依赖于电来保存信息。

内存的分类 内存的物理实质是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路。

内存按存储信息的功能可分为只读存储器ROM（Read Only Memory）、可改写的只读存储器EPROM（Erasable Progrmmable ROM）和随机存储器RAM（Random ess Memory）。

ROM中的信息只能被读出，而不能被操作者修改或删除，故一般用于存放固定的程序。

EPROM和一般的ROM不同点在于它可以用特殊的装置擦除和重写它的内容，一般用于软件的开发过程。

RAM就是我们平常所说的内存，主要用来存放各种现场的输入、输出数据，中间计算结果，以及与外部存储器交换信息。

它的存储单元根据具体需要可以读出，也可以写入或改写。

一旦关闭电源或发生断电，其中的数据就会丢失。

现在的RAM多为MOS型半导体电路，它分为静态和动态两种。

静态RAM是靠双稳态触发器来记忆信息的；动态RAM是靠MOS电路中的栅级电容来记忆信息的。

由于电容上的电荷会泄漏，需要定时给予补充，所以动态RAM需要设置刷新电路。

但动态RAM比静态RAM集成度高、功耗低，从而成本也低，适于作大容量存储器。

所以主内存通常采用动态RAM，而高速缓冲存储器（Cache）则使用静态RAM。

另外，内存还应用于显卡，声卡及CMOS等设备中，用于充当设备缓存或保存固定的程序及数据。

动态RAM按制造工艺的不同，又可分为动态随机存储器（Dynamic RAM）、扩展数据输出随机存储器（Extened Data Out RAM）和同步动态随机存储器（Sysnchromized Dynamic RAM）。

存储器可分为

1.非永久记忆的存储器：断电后信息就消失的存储器，如半导体读／写存储器RAM。

2. 永久性记忆的存储器：断电后仍能保持信息的存储器，如磁性材料做成的存储器以及半导体ROM．

存储器有哪些常见分类？存储器系统为什么采用多级存储结构

存储的基础部分分为ROM和RAM。

为了缓解主存储器读写速度慢，不能满足CPU运行速度需要的矛盾，另一方面解决了主存储器容量小，存不下更多的程序和数据的难题。

当前计算机系统中，广泛采用了多级结构的存储器系统，应用是建立在程序运行的局部性原理之上的。

扩展资料： 注意事项： 外储存器是指除计算机内存及CPU缓存以外的储存器，此类储存器一般断电后仍然能保存数据。

常见的外存储器有硬盘、软盘、光盘、U盘等。

所以说硬盘也属于外存储器，外存储器最大的特点就是容量大，价格低，速度慢。

硬盘一般都是固定在电脑主机上的，只要在搬动主机或者电脑上时注意不要大幅度的晃动，不要长时间让硬盘处于震荡状态。

定期进行磁盘碎片整理，使用杀毒软件杀毒。

参考资料来源：百度百科-存储器 参考资料来源：百度百科-多级存储体系

存储器的分类

一、RAM(Random ess Memory，随机存取存储器) RAM的特点是：电脑开机时，操作系统和应用程序的所有正在运行的数据和程序都会放置其中，并且随时可以对存放在里面的数据进行修改和存取。

它的工作需要由持续的电力提供，一旦系统断电，存放在里面的所有数据和程序都会自动清空掉，并且再也无法恢复。

根据组成元件的不同，RAM内存又分为以下十八种： 01.DRAM（Dynamic RAM，动态随机存取存储器） 这是最普通的RAM，一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元，DRAM将每个内存位作为一个电荷保存在位存储单元中，用电容的充放电来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，因此必须每几微秒就要刷新一次，否则数据会丢失。

存取时间和放电时间一致，约为2~4ms。

因为成本比较便宜，通常都用作计算机内的主存储器。

02.SRAM（Static RAM，静态随机存取存储器） 静态，指的是内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时进行存取。

每6颗电子管组成一个位存储单元，因为没有电容器，因此无须不断充电即可正常运作，因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定，往往用来做高速缓存。

03.VRAM（Video RAM，视频内存） 它的主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换器中，有效降低绘图显示芯片的工作负担。

它采用双数据口设计，其中一个数据口是并行式的数据输出入口，另一个是串行式的数据输出口。

多用于高级显卡中的高档内存。

04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速页切换模式动态随机存取存储器） 改良版的DRAM，大多数为72Pin或30Pin的模块。

传统的DRAM在存取一个BIT的数据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。

而FRM DRAM在触发了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行内，则可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。

由于一般的程序和数据在内存中排列的地址是连续的，这种情况下输出行地址后连续输出列地址就可以得到所需要的数据。

FPM将记忆体内部隔成许多页数Pages，从512B到数KB不等，在读取一连续区域内的数据时，就可以通过快速页切换模式来直接读取各page内的资料，从而大大提高读取速度。

在96年以前，在486时代和PENTIUM时代的初期， FPM DRAM被大量使用。

05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸数据输出动态随机存取存储器） 这是继FPM之后出现的一种存储器，一般为72Pin、168Pin的模块。

它不需要像FPM DRAM那样在存取每一BIT 数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间，然后才能读写有效的数据，而下一个BIT的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。

因此它可以大大缩短等待输出地址的时间，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。

它一般应用于中档以下的Pentium主板标准内存，后期的486系统开始支持EDO DRAM，到96年后期，EDO DRAM开始执行。

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06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆发式延伸数据输出动态随机存取存储器） 这是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在芯片上增加了一个地址计数器来追踪下一个地址。

它是突发式的读取方式，也就是当一个数据地址被送出后，剩下的三个数据每一个都只需要一个周期就能读取，因此一次可以存取多组数据，速度比EDO DRAM快。

但支持BEDO DRAM内存的主板可谓少之又少，只有极少几款提供支持（如VIA APOLLO VP2），因此很快就被DRAM取代了。

07.MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽动态随机存取存储器） MoSys公司提出的一种内存规格，其内部分成数个类别不同的小储存库 (BANK)，也即由数个属立的小单位矩阵所构成，每个储存库之间以高于外部的资料速度相互连接，一般应用于高速显示卡或加速卡中，也有少数主机板用于L2高速缓存中。

08.WRAM（Window RAM，窗口随机存取存储器） 韩国Samsung公司开发的内存模式，是VRAM内存的改良版，不同之处是它的控制线路有一、二十组的输入/输出控制器，并采用EDO的资料存取模式,因此速度相对较快，另外还提供了区块搬移功能（BitBlt），可应用于专业绘图工作上。

09.RDRAM（Rambus DRAM，高频动态随机存取存储器） Rambus公司独立设计完成的一种内存模式，速度一般可以达到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。

但使用该内存后内存控制器需要作相当大的改变，因此它们一般应用于专业的图形加速适配卡或者电视游戏机的视频内存中。

10.SDRAM（Synchronous DRAM，同步动态随机存取存储器） 这是一种与CPU实现外频Clock同步的内存模式，一般都采用168Pin的内存模组，工作电压为3.3V。

所谓clock同步是指内存能够与CPU同步存取资料，这样可以取消等待周期，减少数据传输的延迟，因此可提升计算机的性能和效率。

11.SGRAM（Synchronous Graphics RAM，同步绘图随机存取存储器） SDRAM的改良版，它以区块Block，即每32bit为基本存取单位，个别地取回或修改存取的资料，减少内存整体读写的次数，另外还针对绘图需要而增加了绘图控制器，并提供区块搬移功能（BitBlt），效率明显高于SDRAM。

12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆发式静态随机存取存储器） 一般的SRAM是非同步的，为了适应CPU越来越快的速度，需要使它的工作时脉变得与系统同步，这就是SB SRAM产生的原因。

13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管线爆发式静态随机存取存储器） CPU外频速度的迅猛提升对与其相搭配的内存提出了更高的要求，管线爆发式SRAM取代同步爆发式SRAM成为必然的选择，因为它可以有效地延长存取时脉，从而有效提高访问速度。

14.DDR SDRAM（Double Data Rate二倍速率同步动态随机存取存储器） 作为SDRAM的换代产品，它具有两大特点：其一，速度比SDRAM有一倍的提高；其二，采用了DLL（Delay Locked Loop：延时锁定回路）提供一个数据滤波信号。

这是目前内存市场上的主流模式。

15.SLDRAM （Synchronize Link，同步链环动态随机存取存储器） 这是一种扩展型SDRAM结构内存，在增加了更先进同步电路的同时，还改进了逻辑控制电路，不过由于技术显示，投入实用的难度不小。

16.CDRAM（CACHED DRAM，同步缓存动态随机存取存储器） 这是三菱电气公司首先研制的专利技术，它是在DRAM芯片的外部插针和内部DRAM之间插入一个SRAM作为二级CACHE使用。

当前，几乎所有的CPU都装有一级CACHE来提高效率，随着CPU时钟频率的成倍提高，CACHE不被选中对系统性能产生的影响将会越来越大，而CACHE DRAM所提供的二级CACHE正好用以补充CPU一级CACHE之不足，因此能极大地提高CPU效率。

17.DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步双倍速率动态随机存取存储器) DDRII 是DDR原有的SLDRAM联盟于1999年解散后将既有的研发成果与DDR整合之后的未来新标准。

DDRII的详细规格目前尚未确定。

18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM) 是下一代的主流内存标准之一，由Rambus 公司所设计发展出来，是将所有的接脚都连结到一个共同的Bus，这样不但可以减少控制器的体积，已可以增加资料传送的效率。

二、ROM(READ Only Memory，只读存储器) ROM是线路最简单半导体电路，通过掩模工艺，一次性制造，在元件正常工作的情况下，其中的代码与数据将永久保存，并且不能够进行修改。

一般应用于PC系统的程序码、主机板上的 BIOS (基本输入/输出系统Basic Input/Output System)等。

它的读取速度比RAM慢很多。

根据组成元件的不同，ROM内存又分为以下五种： 1.MASK ROM（掩模型只读存储器） 制造商为了大量生产ROM内存，需要先制作一颗有原始数据的ROM或EPROM作为样本，然后再大量复制，这一样本就是MASK ROM，而烧录在MASK ROM中的资料永远无法做修改。

它的成本比较低。

2.PROM（Programmable ROM，可编程只读存储器） 这是一种可以用刻录机将资料写入的ROM内存，但只能写入一次，所以也被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。

PROM在出厂时，存储的内容全为1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0，则用户可以将其中的部分单元写入1)， 以实现对其“编程”的目的。

3.EPROM（Erasable Programmable，可擦可编程只读存储器） 这是一种具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程的ROM内存，写入前必须先把里面的内容用紫外线照射它的IC卡上的透明视窗的方式来清除掉。

这一类芯片比较容易识别，其封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住， 以防止遭到阳光直射。

4.EEPROM（Electrically Erasable Programmable，电可擦可编程只读存储器） 功能与使用方式与EPROM一样，不同之处是清除数据的方式，它是以约20V的电压来进行清除的。

另外它还可以用电信号进行数据写入。

这类ROM内存多应用于即插即用（PnP）接口中。

5.Flash Memory（快闪存储器） 这是一种可以直接在主机板上修改内容而不需要将IC拔下的内存，当电源关掉后储存在里面的资料并不会流失掉，在写入资料时必须先将原本的资料清除掉，然后才能再写入新的资料，缺点为写入资料的速度太慢。